《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道說，繼hbm技術(shù)之后，三星電子將開發(fā)新一代dram技術(shù)。

《首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》援引業(yè)界消息人士的話報(bào)道說，三星avp事業(yè)部以2025年批量生產(chǎn)為目標(biāo)，正在開發(fā)名為“cache d內(nèi)存”的新一代d內(nèi)存技術(shù)。三星電子表示，與hbm相比，現(xiàn)金dram的能源效率提高了60%，數(shù)據(jù)移動(dòng)延遲時(shí)間也減少了50%。

有傳聞稱，三星緩存DRAM將使用與hbm不同的成套方式。hbm目前水平連接到gpu，但緩存d內(nèi)存垂直連接到gpu。據(jù)悉，hbm可以將多個(gè)dram垂直連接起來，提高數(shù)據(jù)處理速度，因此，現(xiàn)金dram僅用一個(gè)芯片就可以儲(chǔ)存與整個(gè)hbm相同數(shù)量的數(shù)據(jù)。

三星開發(fā)高速緩存DRAM等存儲(chǔ)器技術(shù)的主要目標(biāo)是加強(qiáng)后端技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力?；仡?022年，臺(tái)積電在封裝領(lǐng)域的銷售額約為51.13億美元，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了40億美元的三星。

值得關(guān)注的是，三星在擴(kuò)充先進(jìn)封裝技術(shù)方面投入了大量資金。該公司的目標(biāo)是，每年投資2萬億韓元（15億美元）以上建立裝配線，并在2023年之前建立avp事業(yè)部門，趕超臺(tái)積電等競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)。

業(yè)界有關(guān)人士認(rèn)為，隨著很難體現(xiàn)更加精巧的電路，3D封裝將成為半導(dǎo)體企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的關(guān)鍵。三星要想在2030年之前成為系統(tǒng)半導(dǎo)體的領(lǐng)頭羊，就必須進(jìn)行封裝技術(shù)投資。