與BJT放大電路相比MOSFET偏置電路有什么特點(diǎn)？

BJT放大電路和MOSFET偏置電路都是常見的放大電路，它們在電子元器件中具有很重要的地位。兩者之間存在很多的共同點(diǎn)和差異點(diǎn)，本文將重點(diǎn)比較MOSFET偏置電路與BJT放大電路的特點(diǎn)，并且探討在實(shí)際應(yīng)用中它們各自的優(yōu)缺點(diǎn)。

一、MOSFET偏置電路的特點(diǎn)

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor）偏置電路與BJT（Bipolar Junction Transistor）放大電路相比，存在以下幾個(gè)獨(dú)特的特點(diǎn)：

1、MOSFET的輸入阻抗很高，輸出阻抗很低

MOSFET的輸入阻抗高于BJT，因此MOSFET在傳遞小信號(hào)時(shí)可以起到更好的放大作用。由于MOSFET的輸出阻抗很低，因此在輸出端口串接的負(fù)載電阻較小的時(shí)候，會(huì)有更好的驅(qū)動(dòng)能力。

2、MOSFET的器件參數(shù)不穩(wěn)定

MOSFET的器件參數(shù)會(huì)受到溫度的影響而變化，這意味著在設(shè)計(jì)時(shí)必須考慮到溫度變化對電路的影響，并且做好相應(yīng)的補(bǔ)償措施。與之相比，BJT的配置更加穩(wěn)定。

3、MOSFET的動(dòng)態(tài)范圍大

MOSFET在大信號(hào)放大時(shí)的動(dòng)態(tài)范圍較大，可以承受更高的電壓。這意味著MOSFET更適合應(yīng)用于高電壓、高功率的場合，如放大器、電源調(diào)節(jié)器等等。

4、MOSFET對靜態(tài)電流變化敏感

MOSFET的有效輸出電流與偏置電流直接相關(guān)，因此在設(shè)計(jì)時(shí)必須要考慮偏置電流的穩(wěn)定性，以避免誤差或者電壓漂移。

5、MOSFET對噪聲的抑制能力較弱

MOSFET由于使用了高阻值的材料，從而在使用的時(shí)候更容易受到外部環(huán)境影響。特別是在高內(nèi)阻電路中，MOSFET更容易產(chǎn)生噪聲和雜波。

二、BJT放大電路的特點(diǎn)

BJT放大電路，相較于MOSFET偏置電路，有以下的特點(diǎn)：

1、BJT具有較高的主動(dòng)放大度

與MOSFET相比，BJT的主動(dòng)放大度更高。這意味著在小信號(hào)的放大時(shí)，BJT的性能要更加優(yōu)秀。

2、BJT具有較好的溫度穩(wěn)定性

由于BJT使用的的器件參數(shù)是固定的，在設(shè)計(jì)配置時(shí)只需要考慮對器件加熱的影響即可。由于BJT的器件參數(shù)是相對穩(wěn)定的，所以整個(gè)電路的工作狀態(tài)也相對穩(wěn)定。

3、BJT的輸出阻抗較高

BJT輸出阻抗在器件技術(shù)水平的限制下，會(huì)比MOSFET要高。這表明在高輸出電壓、大負(fù)載的電路中，BJT會(huì)更加適用。

4、BJT偏置電流穩(wěn)定

BJT與MOSFET相比，使用的NMOS和PMOS器件尺寸只有一部分受到影響，但在PNP和NPN器件之間的比例是恒定的，因此偏置電流可以更好地穩(wěn)定，電路的穩(wěn)定性較好。

5、BJT對噪聲的抑制能力較強(qiáng)

BJT使用的是低阻值的硅材料，所以在抑制噪聲方面效果更好。這就使得BJT電路更適用于需求較高的放大器應(yīng)用場合。

三、兩者的優(yōu)劣

從上述分析可以看出MOSFET偏置電路和BJT放大電路各有優(yōu)劣。MOSFET由于其高輸入阻抗和輸出阻抗低的特點(diǎn)，更適合小信號(hào)放大，特別是在大范圍變化的情況下，可以傳輸更大范圍的電壓和電流，適用于極化電源和要求高電壓的場合。相對的，BJT具有較好的輸出阻抗，更加適合要求較大輸出電壓、大負(fù)載的電路。并且，由于BJT的穩(wěn)定性更好，所以在需要較高性能的場合，如小信號(hào)放大、放大器等，使用BJT更加可靠。

總之，選擇MOSFET偏置電路和BJT放大電路的關(guān)鍵是根據(jù)應(yīng)用需求選擇適合的放大器。對于需要高輸入阻抗、輸出阻抗低的應(yīng)用，可以選擇MOSFET；對于需要較好的穩(wěn)定性和對噪聲抑制需求較高的應(yīng)用，可以選擇BJT。