高精密電壓-電流的IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試，具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試需求。系統(tǒng)采用模塊化集成的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，為用戶后續(xù)靈活添加或升級(jí)測量模塊提供了極大便捷和優(yōu)性價(jià)比，提高測試效率以及產(chǎn)線UPH。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)支持交互式手動(dòng)操作或結(jié)合探針臺(tái)的自動(dòng)操作，能夠在從測量設(shè)置和執(zhí)行到結(jié)果分析和數(shù)據(jù)管理的整個(gè)表征過程中實(shí)現(xiàn)高效和可重復(fù)的器件表征。也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元，均采用多量程設(shè)計(jì)，測試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，Z大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試，可測試低至pA漏電流；集電極-發(fā)射極，Z大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時(shí)間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；Z高支持3500V(可擴(kuò)展至10kV)電壓輸出，且自帶漏電流測量功能。電容特性測試，包括輸入電容，輸出電容，以及反向傳輸電容測試，頻率Z高支持1MHz，可靈活選配。

系統(tǒng)優(yōu)勢/Feature

PART 01

IGBT等大功率器件由于其功率特點(diǎn)極易產(chǎn)生大量熱量，施加應(yīng)力時(shí)間長，溫度迅速上升，嚴(yán)重時(shí)會(huì)使器件損壞，且不符合器件工作特性。普賽斯高壓模塊建立的時(shí)間小于5ms，在測試過程中能夠減少待測物加電時(shí)間的發(fā)熱。

PART 02

高壓下漏電流的測試能力，測試覆蓋率優(yōu)于國際品牌。市面上絕大多數(shù)器件的規(guī)格書顯示，小模塊在高溫測試時(shí)漏電流一般大于5mA，而車規(guī)級(jí)三相半橋高溫下漏電大于50mA。以HITACH Spec.No.IGBT-SP-05015 R3規(guī)格書為例：3300V，125℃測試條件下ICES典型值14mA，Z大40mA。普賽斯靜態(tài)系統(tǒng)高壓模塊測試幾乎可以W美應(yīng)對所有類型器件的漏電流測試需求。

PART 03

此外，VCE(sat)測試是表征 IGBT 導(dǎo)通功耗的主要參數(shù)，對開關(guān)功耗也有一定的影響。需要使用高速窄脈沖電流源，脈沖上升沿速度要足夠快時(shí)才能減小器件發(fā)熱，同時(shí)設(shè)備需要有同步采樣電壓功能。

IGBT靜態(tài)測試系統(tǒng)大電流模塊：50us—500us 的可調(diào)電流脈寬，上升邊沿在 15us(典型值)，減少待測物在測試過程中的發(fā)熱，使測試結(jié)果更加準(zhǔn)確。下圖為 1000A 波形：

PART 04

快速靈活的客制化夾具解決方案：強(qiáng)大的測試夾具解決方案對于保證操作人員安全和支持各種功率器件封裝類型極為重要。不論器件的大小或形狀如何，普賽斯均可以快速響應(yīng)用戶需求，提供靈活的客制化夾具方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點(diǎn)，可用于二極管、三極管、場效應(yīng)晶體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管，模組類產(chǎn)品的測試。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)作為J端產(chǎn)品，以往在國際市場上只被少數(shù)企業(yè)掌握。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以及先進(jìn)半導(dǎo)體制造設(shè)備保有國出口管制的升級(jí)，對國產(chǎn)設(shè)備廠家來說既是挑戰(zhàn)也是機(jī)遇。未來，武漢普賽斯將充分發(fā)揮自身的技術(shù)和創(chuàng)新優(yōu)勢，持續(xù)推動(dòng)J端產(chǎn)品落地應(yīng)用，真正做到以技術(shù)創(chuàng)造更多價(jià)值。

審核編輯 黃宇