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為什么三極管的Ic和Vbe也是一個指數(shù)關(guān)系?

工程師鄧生 ? 來源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2023-09-20 17:05 ? 次閱讀
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為什么三極管的Ic和Vbe也是一個指數(shù)關(guān)系?

三極管是一種常用的電子元件,廣泛應(yīng)用于電路、通信、自動化等領(lǐng)域。在三極管的工作中,其Ic(集電極電流)和Vbe(基極-發(fā)射極電壓)之間存在著一個指數(shù)關(guān)系,即眾所周知的“指數(shù)律”。那么,為什么三極管的Ic和Vbe也是一個指數(shù)關(guān)系呢?下面我將從物理原理和器件結(jié)構(gòu)兩方面進(jìn)行詳細(xì)闡述。

一、物理原理

1.載流子注入

在三極管中,NPN型三極管的基區(qū)為P型,發(fā)射極為N型,集電極為P型。當(dāng)正極施加于基極時,會形成一種電場,電場會使得P區(qū)的空穴少數(shù)載流子向基區(qū)移動,而電場強度越強,移動速度越快,移動電子的數(shù)量也會增加。隨著電子進(jìn)入基區(qū),它們與P區(qū)的電子結(jié)合形成電子空穴對,使得電子從P區(qū)進(jìn)入基區(qū)。由于其速度與電場強度相關(guān)聯(lián),因此電流與電壓之間的關(guān)系就是指數(shù)的關(guān)系。

2.發(fā)射區(qū)

在三極管中,基區(qū)和發(fā)射區(qū)之間的勢壘很小,可以被輕松地穿透。當(dāng)P區(qū)的少子和N區(qū)的多子交匯時,就會形成一種電子空穴對,這種電子空穴對即為發(fā)射區(qū)。因此,在伏安特性曲線上,當(dāng)Vbe達(dá)到一定值時,電流呈指數(shù)級增長。

3.集電區(qū)

在NPN型三極管中,集電區(qū)為P型,其導(dǎo)電性能不好,電子越容易被亞微觀結(jié)構(gòu)所凈化,從而導(dǎo)致的當(dāng)電子從基極流入集電極時,它們需要克服P區(qū)勢壘對電子的影響,這就阻礙了電子的運動,電流的增長速度會減慢,從而形成了指數(shù)關(guān)系。

二、器件結(jié)構(gòu)

三極管是由兩個PN接面與另一種摻雜型構(gòu)成的,分別為P元件、N元件和N元件、P元件兩種。其基底的參雜濃度一般比表面的高,在二極管上由于較少的摻雜,能攜帶帶電載流子數(shù)量有限。而同理,在三極管中,因為P元件的摻雜濃度比N元件集電區(qū)高很多,因此造成集電區(qū)的電子運動受到極大的限制,電流在集電區(qū)的呈現(xiàn)也因此出現(xiàn)指數(shù)關(guān)系。

綜上所述,三極管的Ic和Vbe之間存在指數(shù)關(guān)系,是由于其物理原理和器件結(jié)構(gòu)共同作用的結(jié)果。當(dāng)電流從基極涌向發(fā)射極時,會產(chǎn)生電子空穴對,這種過程隨著電壓和電流的提高而不斷加速,因此Ic和Vbe之間存在指數(shù)關(guān)系。通過仔細(xì)分析三極管的物理原理和器件結(jié)構(gòu),可以更好地理解其工作原理,并為電子管的使用和設(shè)計提供更深層次的理論基礎(chǔ)。

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