CS32F031系列是32位工業(yè)級信號鏈MCU，采用ARM? Cortex?-M0 內(nèi)核，最高8KB SRAM和64KB Flash，豐富的通信接口(I2C、SPI/I2S和USART)，和多達12個定時器。芯片符合IEC60730的要求，支持Flash/RAM硬件校驗，具備寬溫(-40~105℃)、寬壓(2.0~5.5V)等特點，以適應(yīng)嚴(yán)苛的工作環(huán)境。

CS32F031系列集成豐富的信號鏈IO，包括INL低至1.2LSB的12位ADC、溫漂60ppm/℃的內(nèi)部參考電壓、±2℃精度的溫度傳感器等，并提供一系列電源工作模式，以滿足不同的低功耗應(yīng)用。

信號鏈IO
1路12位ADC，1us轉(zhuǎn)換時間，最多10 個外部輸入通道，INL低至1.2LSB

— 工作電壓: 2.4 to 5.5V

— 輸入電壓: 0~5.5V

— 工作溫度: -40~105℃

內(nèi)置1.22V參考電壓，60ppm低溫漂

內(nèi)置溫度傳感器，精度±2℃

VBAT內(nèi)部監(jiān)測,精度1%

系統(tǒng)特性
內(nèi)核：32位ARM? Cortex?-M0內(nèi)核，最高頻率48MHz

存儲器

— 32~64KBytes的Flash存儲器，支持硬件校驗

— 192Bytes數(shù)據(jù)Flash存儲器

— 4~8KBytes的SRAM，帶硬件奇偶校驗

CRC32發(fā)生/校驗器

5通道DMA，支持的外設(shè): SPIx, I2Sx, I2Cx, USARTx, TIMx, ADC

最多39個I/O，支持最高48MHz工作頻率，所有I/O映射外部中斷向量

支持從內(nèi)部Flash、內(nèi)部SRAM和系統(tǒng)存儲器啟動

電源管理

— 低功耗模式: 睡眠，深度睡眠1，深度睡眠2和待機模式

— 獨立VBAT為RTC和備用寄存器供電

— 支持上電/掉電復(fù)位 (POR/PDR)

— 支持低電壓檢測 (LVD)

96位UNID

串行單線調(diào)試(SWD)

時鐘和定時器
時鐘模塊

— 內(nèi)部8MHz RC振蕩器(HRC), 精度±1%

— 內(nèi)部14MHz RC振蕩器(HRC14), 精度±1%

— 內(nèi)部40KHz RC振蕩器(LRC)

— 4~32MHz 晶體振蕩器(HXT)

— 32.768KHz 低速晶體振蕩器(LXT)

— 鎖相環(huán)(PLL), 最高支持 48MHz

定時器(TIM)

— 1個16位高級控制定時器(TIM1)，有6個帶死區(qū)控制的PWM輸出通道

— 1個32位通用定時器

— 多達5個16位通用定時器

— 1個16位基礎(chǔ)定時器

— 1個獨立看門狗定時器(FWDT)和1個窗看門狗定時器(WWDT)

— 1個24位系統(tǒng)時間定時器(SysTick)

具備日歷功能的RTC

— 支持報警和周期性地從深度睡眠1/深度睡眠2/待機模式下喚醒

— VDD關(guān)閉時保存20 bytes的用戶數(shù)據(jù)

通訊接口
最多2個SPI接口(18Mbps)，支持4到16位可配置的幀格式，其中SPI1可復(fù)用作I2S接口

最多5個USART接口(6Mbps)，支持從深度睡眠1/深度睡眠2模式喚醒

最多2個主/從I2C接口(1M bit/s)，支持時鐘延展和多個從地址，其中I2C1支持從深度睡眠1/深度睡眠2模式喚醒

工作環(huán)境
VDD/VDDA電壓: 2.0 to 5.5V

VBAT電壓: 2.0 to 5.5V

溫度范圍: -40 to 105℃

封裝
LQFP48

審核編輯 黃宇