為什么PN結(jié)的雪崩擊穿和齊納擊穿在溫度升高的情況下，擊穿電壓變化方向相反？

PN結(jié)是半導(dǎo)體器件中最基本的組成部件之一，廣泛應(yīng)用于電力、電信、信息處理等領(lǐng)域。PN結(jié)的雪崩擊穿和齊納擊穿是PN結(jié)失效的兩種主要形式，它們?cè)跍囟壬叩那闆r下，擊穿電壓變化方向相反。下面我們來(lái)詳細(xì)探討一下它們的原理和機(jī)理。

PN結(jié)的基本原理

PN結(jié)是由n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體組成的器件，其中n型半導(dǎo)體具有多余電子，p型半導(dǎo)體具有多余空穴，兩者結(jié)合后生成的PN結(jié)在界面處形成帶電區(qū)域，其中電子從n型半導(dǎo)體濃度高處向p型半導(dǎo)體低處擴(kuò)散，減少了p型半導(dǎo)體空穴的濃度，形成了負(fù)電荷；同樣地，空穴從p型半導(dǎo)體濃度高處向n型半導(dǎo)體低處擴(kuò)散，減少了n型半導(dǎo)體電子的濃度，形成了正電荷。在帶電區(qū)域內(nèi)，電子和空穴重組釋放出能量，產(chǎn)生電場(chǎng)，形成了PN結(jié)電勢(shì)壘。在零偏值情況下，PN結(jié)中無(wú)電流通過(guò)，稱為反向偏置；當(dāng)外加電壓的極性與電場(chǎng)相同時(shí)，電子和空穴的擴(kuò)散方向相反，帶電區(qū)域加深，電勢(shì)壘增加，阻止電流通過(guò)，稱為正向偏置。

PN結(jié)的雪崩擊穿

PN結(jié)的雪崩擊穿是指當(dāng)電壓從零偏置狀態(tài)向正向偏置狀態(tài)增加時(shí)，PN結(jié)電勢(shì)壘減小，外加電場(chǎng)增強(qiáng)，電子被加速進(jìn)入p區(qū)，空穴被加速進(jìn)入n區(qū)，達(dá)到足夠的動(dòng)能后與離子相撞而產(chǎn)生新的自由電子和空穴，加速后繼續(xù)與離子撞擊，自由電子和空穴不斷增多，帶電區(qū)域瞬間擴(kuò)大，形成通道，發(fā)生擊穿流，PN結(jié)失效。

雪崩擊穿的擊穿電壓與溫度升高的關(guān)系

PN結(jié)的雪崩擊穿電壓與溫度升高的關(guān)系是復(fù)雜的。由于溫度升高會(huì)導(dǎo)致PN結(jié)內(nèi)載流子的濃度、遷移率和碰撞概率的變化，從而影響電壓-電流特性。一般來(lái)說(shuō)，隨著溫度升高，載流子濃度增加，遷移率降低，碰撞概率增大，電動(dòng)力下降，電勢(shì)壘減小，擊穿電壓降低。但同時(shí)，由于碰撞概率的增大，雪崩電離的幾率也增大，從而導(dǎo)致?lián)舸╇妷旱纳仙?。因此，在不同條件下，PN結(jié)的雪崩擊穿電壓的變化方向是不一樣的。

PN結(jié)的齊納擊穿

PN結(jié)的齊納擊穿是指當(dāng)PN結(jié)反向偏置電壓繼續(xù)增大時(shí)，受到電勢(shì)壘的攔截，不能再進(jìn)一步地加速，而空穴和電子的遷移模式轉(zhuǎn)變?yōu)闊岚l(fā)射，熱電子和熱空穴從電勢(shì)壘兩側(cè)分別穿過(guò)電勢(shì)壘，形成了電荷載流子，進(jìn)而產(chǎn)生擊穿流，PN結(jié)失效。

齊納擊穿的擊穿電壓與溫度升高的關(guān)系

齊納擊穿與雪崩擊穿不同，擊穿電壓隨溫度升高的變化方向也不同。隨著溫度升高，載流子濃度增加，電動(dòng)力也增加，電場(chǎng)強(qiáng)度隨之上升，增加了電子穿越電勢(shì)壘的能力，齊納擊穿電壓隨之上升。

PN結(jié)的溫度對(duì)擊穿特性的影響是復(fù)雜的，并不是單一的因素決定的。正因?yàn)槿绱耍O(shè)計(jì)PN結(jié)時(shí)需要兼顧溫度和電壓對(duì)器件的影響。當(dāng)環(huán)境溫度上升或電壓升高時(shí)，PN結(jié)的擊穿電壓可能會(huì)上升或下降，需要合理選擇電壓級(jí)別、材料、工藝等參數(shù)，以充分發(fā)揮PN結(jié)的性能。