基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出首批 80 V 和 100 V 熱插拔專(zhuān)用 MOSFET(ASFET)，該系列產(chǎn)品采用緊湊型 8x8 mm LFPAK88 封裝，且具有增強(qiáng)安全工作區(qū)（SOA）的特性。這些新型 ASFET 針對(duì)要求嚴(yán)格的熱插拔和軟啟動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了全面優(yōu)化，可在 175℃ 下工作，適用于先進(jìn)的電信和計(jì)算設(shè)備。

憑借數(shù)十年開(kāi)發(fā)先進(jìn)晶圓和封裝解決方案所積累的專(zhuān)業(yè)知識(shí)，Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出的這款 PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產(chǎn)品組合中的首選，在緊湊的 8x8 mm 封裝尺寸中兼顧低 RDS(on)和強(qiáng)大線性模式（安全工作區(qū)）性能，可滿(mǎn)足嚴(yán)苛的熱插拔應(yīng)用要求。此外，Nexperia（安世半導(dǎo)體）還發(fā)布了一款 80 V ASFET 產(chǎn)品 PSMN1R9-100SSE（80 V，1.9 mΩ），旨在響應(yīng)計(jì)算服務(wù)器和其他工業(yè)應(yīng)用中使用 48 V 電源軌的增長(zhǎng)趨勢(shì)，在這些應(yīng)用中，環(huán)境條件允許 MOSFET 采用（找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城）較低的 VDS擊穿電壓額定值。

在熱插拔和軟啟動(dòng)應(yīng)用中，具有增強(qiáng)型 SOA 的 ASFET 越來(lái)越受市場(chǎng)歡迎。當(dāng)容性負(fù)載引入帶電背板時(shí)，這些產(chǎn)品強(qiáng)大的線性模式性能對(duì)于高效可靠地管理浪涌電流必不可少。當(dāng) ASFET 完全導(dǎo)通時(shí)，低 RDS(on)對(duì)于最大限度地降低 I2R 損耗也同樣重要。除了 RDS(on)更低且封裝尺寸更緊湊之外，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的第三代增強(qiáng) SOA 技術(shù)與前幾代 D2PAK 封裝相比還實(shí)現(xiàn)了 10% SOA 性能改進(jìn)（在 50 V、1 ms 條件下，電流分別為 33 A 和 30 A）。

Nexperia（安世半導(dǎo)體）的另一項(xiàng)創(chuàng)新在于，用于熱插拔的新型 ASFET 完整標(biāo)示了 25℃ 和 125℃ 下的 SOA 特性。數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供了經(jīng)過(guò)全面測(cè)試的高溫下 SOA 曲線，設(shè)計(jì)工程師無(wú)需進(jìn)行熱降額計(jì)算，并顯著擴(kuò)展了實(shí)用的高溫下 SOA 性能。

到目前為止，適合熱插拔和計(jì)算應(yīng)用的 ASFET 通常采用較大尺寸的 D2PAK 封裝（16x10 mm）。LFPAK88 封裝是 D2PAK 封裝的理想替代選項(xiàng)，空間節(jié)省效率高達(dá) 60%。PSMN2R3-100SSE的 RDS(on)僅為 2.3 mΩ，相較于現(xiàn)有器件至少降低了 40%。

LFPAK88 不僅將功率密度提高了 58 倍，還提供兩倍的 ID(max)額定電流以及超低熱阻和電阻。該產(chǎn)品結(jié)合了 Nexperia（安世半導(dǎo)體）先進(jìn)的晶圓和銅夾片封裝技術(shù)的功能優(yōu)勢(shì)，包括占用空間更小、RDS(on)更低以及 SOA 性能更優(yōu)。Nexperia（安世半導(dǎo)體）還提供采用 5x6 mm LFPAK56E 封裝的 25 V、30 V、80 V 和 100 V ASFET 系列產(chǎn)品，并針對(duì)需要更小 PCB 管腳尺寸的低功耗應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

審核編輯：湯梓紅