chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Nexperia推出高功率工業(yè)應(yīng)用專用MOSFET

安世半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:安世半導(dǎo)體 ? 2025-10-10 11:22 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,為旗下不斷擴(kuò)充的應(yīng)用專用MOSFET (ASFET)產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。ASFET系列的產(chǎn)品特性經(jīng)優(yōu)化調(diào)校,可滿足特定終端應(yīng)用的嚴(yán)苛需求。其中,80 V PSMN1R9-80SSJ與100 V PSMN2R3-100SSJ兩款開(kāi)關(guān)器件能夠提供增強(qiáng)的動(dòng)態(tài)均流功能,專為需要并聯(lián)多個(gè)匹配MOSFET的高功率48 V應(yīng)用設(shè)計(jì)。此類應(yīng)用涵蓋叉車、電動(dòng)滑板車、代步設(shè)備等電動(dòng)交通工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),或高功率工業(yè)電機(jī)。

在并聯(lián)兩個(gè)或多個(gè)MOSFET以實(shí)現(xiàn)高電流能力和降低導(dǎo)通損耗的過(guò)程中,設(shè)計(jì)人員往往難以確保在導(dǎo)通與關(guān)斷階段,負(fù)載電流可在各獨(dú)立器件間均勻分配。VGS(th)值最低的MOSFET會(huì)最先導(dǎo)通,進(jìn)而承受更高熱應(yīng)力,可能會(huì)加速器件失效。為保障足夠的安全裕量,工程師通常會(huì)對(duì)終端應(yīng)用中所用MOSFET的規(guī)格進(jìn)行過(guò)度設(shè)計(jì)。這種方式不僅會(huì)增加成本、消耗更多時(shí)間,還需開(kāi)展額外的測(cè)試,但仍難以保證器件在高負(fù)載電流(數(shù)十安培級(jí)別)場(chǎng)景下具有穩(wěn)定表現(xiàn)。另一種方案是向供應(yīng)商采購(gòu)經(jīng)過(guò)篩選匹配的器件,但同樣會(huì)增加終端應(yīng)用的整體成本。

Nexperia PSMN1R9-80SSJ和PSMN2R3-100SSJ ASFET憑借優(yōu)異的特性和增強(qiáng)的動(dòng)態(tài)均流功能,可幫助設(shè)計(jì)人員規(guī)避上述兩種方案的局限。在導(dǎo)通/關(guān)斷過(guò)程中,針對(duì)單器件電流達(dá)50 A的應(yīng)用場(chǎng)景,這兩款開(kāi)關(guān)能使并聯(lián)器件間的電流差值減少50%;同時(shí),VGS(th)參數(shù)差異范圍縮小50%(最大值與最小值僅差0.6 V)。這一特性結(jié)合1.9 mΩ或2.3 mΩ的低RDS(on),有助于在功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中提升能效表現(xiàn)。

新款A(yù)SFET采用兼具耐用性與空間效率的8 mm×8 mm銅夾片LFPAK88封裝,工作溫度范圍為-55℃至+175℃。

Nexperia (安世半導(dǎo)體)

Nexperia(安世半導(dǎo)體)總部位于荷蘭,是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司,目前在歐洲、亞洲和美國(guó)共有12,500多名員工。作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者,Nexperia(安世半導(dǎo)體)的器件被廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、移動(dòng)和消費(fèi)等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,幾乎為世界上所有電子設(shè)計(jì)的基本功能提供支持。

Nexperia(安世半導(dǎo)體)為全球客戶提供服務(wù),每年的產(chǎn)品出貨量超過(guò)1,000億件。這些產(chǎn)品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面成為行業(yè)基準(zhǔn),獲得廣泛認(rèn)可。Nexperia(安世半導(dǎo)體)擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴(kuò)充的產(chǎn)品范圍,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,充分體現(xiàn)了公司對(duì)于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴(yán)苛要求的堅(jiān)定承諾。

Nexperia:效率致勝。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    150

    文章

    9076

    瀏覽量

    225819
  • 功率開(kāi)關(guān)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    188

    瀏覽量

    26835
  • 開(kāi)關(guān)器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    210

    瀏覽量

    17404
  • Nexperia
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    795

    瀏覽量

    58435

原文標(biāo)題:新品快訊 | Nexperia推出應(yīng)用專用MOSFET,為高功率工業(yè)應(yīng)用提供增強(qiáng)的動(dòng)態(tài)均流功能

文章出處:【微信號(hào):Nexperia_China,微信公眾號(hào):安世半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    Nexperia推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100V MOSFET

    Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的新款100 V MOSFET,采用緊湊型CCPAK1212(12 x 12毫米)銅夾封裝。此款器件具有超低導(dǎo)通損耗,導(dǎo)通電
    的頭像 發(fā)表于 09-18 18:19 ?861次閱讀

    Nexperia推出40-100V汽車MLPAK MOSFET

    Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日推出40-100 V汽車MOSFET產(chǎn)品組合,該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微引腳封裝,專為車身控制、信息娛樂(lè)、電池防反保護(hù)及LED照明應(yīng)用設(shè)計(jì)。
    的頭像 發(fā)表于 09-12 09:38 ?348次閱讀

    Nexperia碳化硅MOSFET優(yōu)化電源開(kāi)關(guān)性能

    面對(duì)大功率電壓應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的需求,Nexperia(安世半導(dǎo)體)正式推出了碳化硅(SiC)MOSFET。這些器件具備出色的RDS(on)
    的頭像 發(fā)表于 06-14 14:56 ?1154次閱讀
    <b class='flag-5'>Nexperia</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>優(yōu)化電源開(kāi)關(guān)性能

    Nexperia推出新款汽車級(jí)SiC MOSFET,具備卓越效率與熱穩(wěn)定性

    近日,Nexperia宣布推出一系列高效且堅(jiān)固的汽車級(jí)碳化硅(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,SiCMOSFET),這些新產(chǎn)品在RDS(on)額定值方面分別為30、40和60mΩ。這些產(chǎn)品在性能指標(biāo)
    的頭像 發(fā)表于 05-08 11:09 ?475次閱讀
    <b class='flag-5'>Nexperia</b><b class='flag-5'>推出</b>新款汽車級(jí)SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>,具備卓越效率與熱穩(wěn)定性

    Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

    Nexperia(安世半導(dǎo)體)正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
    的頭像 發(fā)表于 03-21 10:11 ?963次閱讀

    Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)

    近日,Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性,還采用了先進(jìn)的表面貼
    的頭像 發(fā)表于 03-20 11:18 ?721次閱讀
    <b class='flag-5'>Nexperia</b><b class='flag-5'>推出</b>高效耐用的1200 V SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>,采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)

    Nexperia推出全新CCPAK GaN FET產(chǎn)品組合

    Nexperia(安世半導(dǎo)體)融合其近20年來(lái)在高質(zhì)量、穩(wěn)健性SMD封裝方面的豐富生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),推出全新CCPAK GaN FET產(chǎn)品組合?;诖司媒?jīng)考驗(yàn)的封裝技術(shù),CCPAK作為一種真正創(chuàng)新的封裝提供了業(yè)界領(lǐng)先的性能。
    的頭像 發(fā)表于 02-19 13:45 ?768次閱讀

    Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 02-13 17:21 ?2次下載
    <b class='flag-5'>Nexperia</b> SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b> LTspice模型使用指南

    瑞薩電子推出新型 100V 功率 MOSFET,助力多領(lǐng)域應(yīng)用

    近日,瑞薩電子公司宣布推出新型100V功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機(jī)控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應(yīng)用而設(shè)計(jì),以其卓越的
    的頭像 發(fā)表于 01-13 11:41 ?720次閱讀
    瑞薩電子<b class='flag-5'>推出</b>新型 100V <b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>,助力多領(lǐng)域應(yīng)用

    Nexperia推出CCPAK1212封裝MOSFET,性能再升級(jí)

    Nexperia公司近日宣布,成功推出16款全新的80V和100V功率MOSFET,這些產(chǎn)品均采用了創(chuàng)新的CCPAK1212封裝技術(shù)。這一突破性設(shè)計(jì)不僅提升了
    的頭像 發(fā)表于 12-24 09:15 ?981次閱讀

    CCPAK1212封裝將再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)

    提供超低RDS(on)和超高的電流與熱管理能力 ? 奈梅亨,2024 年12 月12 日 :Nexperia今日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新
    發(fā)表于 12-16 14:09 ?417次閱讀

    安世半導(dǎo)體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現(xiàn)

    基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產(chǎn)品均采用創(chuàng)新型銅夾片CCPAK1212封裝,具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先
    的頭像 發(fā)表于 12-12 11:35 ?4344次閱讀

    MOSFET并聯(lián)在功率設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

    功率電子設(shè)計(jì)中,為了滿足更大的電流需求和提升系統(tǒng)可靠性,常常需要將多個(gè)MOSFET器件并聯(lián)使用。然而,MOSFET的并聯(lián)應(yīng)用并非簡(jiǎn)單的器件堆疊,它涉及諸多技術(shù)挑戰(zhàn),如電流均衡、熱管
    的頭像 發(fā)表于 12-04 01:07 ?1391次閱讀
    <b class='flag-5'>MOSFET</b>并聯(lián)在<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率</b>設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

    AOS MOSFET并聯(lián)在功率設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

    如今,由于對(duì)大電流和功率應(yīng)用的需求不斷增加,單一的MOSFET已經(jīng)無(wú)法滿足整個(gè)系統(tǒng)的電流要求。在這種情況下,需要多個(gè)MOSFET并聯(lián)工作,以提供更高的電流和
    的頭像 發(fā)表于 11-27 15:32 ?1074次閱讀
    AOS  <b class='flag-5'>MOSFET</b>并聯(lián)在<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率</b>設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

    Nexperia推出高性能柵極驅(qū)動(dòng)器IC

    Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出一系列高性能柵極驅(qū)動(dòng)器IC,可用于驅(qū)動(dòng)同步降壓或半橋配置中的邊和低邊N溝道MOSFET。這些驅(qū)動(dòng)器包含車規(guī)級(jí)和
    的頭像 發(fā)表于 11-20 17:23 ?1051次閱讀