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針對要求嚴苛的電源轉換應用推出先進的 650 V 碳化硅二極管

江師大電信小希 ? 來源:江師大電信小希 ? 作者:江師大電信小希 ? 2023-09-22 09:25 ? 次閱讀
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基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650 V SiC 肖特基二極管滿足工業(yè)級器件標準,可應對高電壓和高電流應用帶來的挑戰(zhàn),包括開關模式電源、AC-DC 和 DC-DC 轉換器、電池充電基礎設施、不間斷電源和光伏逆變器,并提高持續(xù)運行性能。例如,相比僅使用硅基解決方案的數(shù)據(jù)中心,配備采用 Nexperia PSC1065K SiC 肖特基二極管設計電源的數(shù)據(jù)中心將更加符合嚴格的能源效率標準。

PSC1065K 具備不受溫度影響的電容開關和零恢復性能,提供先進的性能以及出色的品質因數(shù)(QC x VF)。其突出的開關性能幾乎不受電流和開關速度變化的影響。PSC1065K 的合并 PIN 肖特基(MPS)結構還具備其他優(yōu)勢,例如出色的浪涌電流耐受能力,從而無需額外的保護電路。這些特性可顯著降低系統(tǒng)復雜性,使硬件設計人員能夠在耐用(找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城)型高功率應用中,以更小的外形尺寸實現(xiàn)更高的效率。Nexperia(安世半導體)作為一系列高質量半導體技術產品的供應商,聲譽良好,值得設計人員信賴。

這款 SiC 肖特基二極管采用真 2 引腳(R2P)TO-220-2 通孔電源塑料封裝。其他封裝選項包括表面貼裝(DPAK R2P 和 D2PAK R2P)和采用真 2 引腳配置的通孔(TO-247-2)封裝,可在高達 175℃ 的高壓應用中增強可靠性。

Nexperia SiC 產品組高級總監(jiān) Katrin Feurle 表示:

在當前可用的解決方案中,我們提供的高性能 SiC 肖特基二極管表現(xiàn)優(yōu)異,對此我們倍感自豪。隨著人們的能源意識日漸增強,我們正致力于為市場帶來更多選擇和便利性,以滿足市場對高容量、高效率應用顯著增加的需求。

審核編輯 黃宇

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