碳化硅又稱金剛砂，是以石英砂、石油焦、木屑、食鹽等為原料，經電阻爐高溫冶煉而成。事實上，碳化硅在很久以前就被發(fā)現了。其特點是:化學性能穩(wěn)定，導熱系數高，熱膨脹系數小，耐磨性好，硬度高（莫氏硬度等級為9.5級，僅次于世界上最硬的金剛石（10級）），導熱性能優(yōu)良，高溫抗氧化性強。由于碳化硅的天然含量較低，它主要是人造的。
碳化硅半導體產業(yè)鏈主要包括碳化硅高純粉體、單晶襯底、外延片、功率器件、模塊封裝和終端應用等。

1. 碳化硅高純粉末
高純碳化硅粉末是PVT法生長碳化硅單晶體所需原料。其產品純度直接影響碳化硅單晶的生長質量和電性能。碳化硅粉末的合成方法有很多種，主要有固相法、液相法和氣相法。其中，固相法包括碳熱還原法、自蔓延高溫合成法和機械粉碎法。液相法包括溶膠-凝膠法和聚合物熱分解法.氣相法包括化學氣相沉積法、等離子體法和激光誘導法。
2.單晶襯底
單晶襯底是半導體的支撐材料、導電材料和外延生長襯底。生產碳化硅單晶襯底的關鍵步驟是單晶的生長，這也是碳化硅半導體材料應用的主要技術難點。是產業(yè)鏈中技術密集、資金密集的環(huán)節(jié)。目前SiC單晶的生長方法有物理氣相輸運法（PVT法）、液相法（LPE法）、高溫化學氣相沉積法（HTCVD法）等。
3. 外延片
碳化硅外延片是指在碳化硅襯底上生長出具有一定要求、與襯底晶向相同的單晶薄膜（外延層）的碳化硅芯片。目前，在碳化硅單晶襯底上制備SiC薄膜的方法主要有化學氣相沉積法（CVD）、液相法（LPE）、升華法、濺射法、分子束外延法等。

碳化硅

4. 功率器件
KeepTops研發(fā)的碳化硅材料制成寬禁帶功率器件具有耐高溫、高頻、高效率等特點。
5. 模塊進行封裝
目前處于量產階段的相關功率器件的封裝類型基本上都采用硅功率器件。模塊封裝可以優(yōu)化碳化硅功率器件在使用過程中的性能和可靠性，并能靈活地將功率器件與不同的應用解決方案結合起來。
6. 終端應用程序
在第三代半導體應用中，碳化硅半導體的優(yōu)勢在于與氮化鎵半導體互補。由于SiC器件具有轉換效率高、發(fā)熱量低、重量輕等優(yōu)點，下游行業(yè)對SiC器件的需求不斷增加，有取代Siq器件的趨勢。

審核編輯 黃宇