【博主簡介】本人“愛在七夕時”，系一名半導體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時間不定期的分享半導體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎應用等相關知識。常言：真知不問出處，所分享的內(nèi)容如有雷同或是不當之處，還請大家海涵。當前在各網(wǎng)絡平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學習！

碳化硅（Sic）模塊是一種 集成多個碳化硅半導體元件的封裝產(chǎn)品 。它主要包括碳化硅（Sic）MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）和碳化硅（Sic）SBD（肖特基勢壘二極管）等元件，這些元件通過封裝技術組合在一起，形成一個高效的電力電子模塊。

碳化硅（Sic）模塊的主要特點和優(yōu)勢包括：

高效能與低損耗 ：由于碳化硅材料的固有特性，如高耐壓、低導通電阻和快速開關能力，碳化硅模塊能夠在高壓和高頻條件下表現(xiàn)出色，從而實現(xiàn)高效率和低能量損耗。

高工作溫度 ：碳化硅模塊具有比硅更高的熱導率，能夠在更高的溫度下穩(wěn)定工作，從而擴展了電力電子設備的適用范圍。

高擊穿電場強度 ：碳化硅具有極高的擊穿電場強度，使其能夠在更高的電壓下工作而不會發(fā)生擊穿，進一步提高了模塊的可靠性和安全性。

高頻率運行能力 ：由于碳化硅器件的開關損耗極低，碳化硅模塊可以在更高的開關頻率下工作，從而提高了電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度。

廣泛的應用領域 ：碳化硅模塊廣泛應用于電力電子領域，包括電動汽車的逆變器、充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器，以及工業(yè)電機驅(qū)動、太陽能光伏逆變器等多個領域。

總的來說，碳化硅模塊憑借其卓越的性能和廣泛的應用前景，正在逐漸成為現(xiàn)代電力電子技術的重要組成部分。

同時，碳化硅（Sic） MOSFET與傳統(tǒng)Si器件相比，具有高電壓、大電流、高速驅(qū)動、低損耗、高溫穩(wěn)定等諸多優(yōu)點，是新一代器件。近年來，利用這些優(yōu)異特性，作為向大功率發(fā)展的電動汽車 (EV) 的牽引逆變器電路，并聯(lián)連接多個 SiC MOSFET元件的功率模塊被使用的情況越來越多。

另一方面，由于并聯(lián)使用這樣的高速元件，有時會發(fā)生元件間的并聯(lián)驅(qū)動振蕩 (以下簡稱振蕩)。發(fā)生振蕩的話元件有破壞的危險，因此抑制對策是市場的重要課題之一。

半導體碳化硅（Sic）模塊并聯(lián)驅(qū)動振蕩抑制方法的詳解；mp.weixin.qq.com/s/Vtl91T1KS7LiWfqX_SgkNA?token=1025816937&lang=zh_CN

最后總經(jīng)一下

為了抑制振蕩，只要“增加相位裕量，降低增益”就可以了。但是，作為根本對策，“增加相位裕量”是最有效的 (因為ωp2會產(chǎn)生2 次延遲的增益峰值，很難降低增益)。

衡量“相位裕量”的指標是“ωp2/ωz比”。ωp2/ωz比越大，相位裕量越大，越穩(wěn)定。 ?為了增加 ωp2/ωz比來提高相位裕量，“Cgd和 Lgg大，Cds和 Lss相反小”就可以了。

Cgd 和 Cds是元件的寄生電容，所以很難從后面進行調(diào)整。因此，為了增加相位裕量，適當?shù)卦O計模塊的各寄生電感 (即布局)是重要的。

免責聲明

【我們尊重原創(chuàng)，也注重分享。文中的文字、圖片版權(quán)歸原作者所有，轉(zhuǎn)載目的在于分享更多信息，不代表本號立場，如有侵犯您的權(quán)益請及時私信聯(lián)系，我們將第一時間跟蹤核實并作處理，謝謝！】

審核編輯 黃宇