chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星將削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資

微云疏影 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-10-08 11:45 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

三星電子正在減少對(duì)平澤、平澤晶圓p3工廠的投資,因此預(yù)計(jì)增設(shè)規(guī)模將僅為當(dāng)初計(jì)劃的三分之一。計(jì)劃升級(jí)為先進(jìn)加工節(jié)點(diǎn)的設(shè)備更換伴隨著自然減產(chǎn),會(huì)對(duì)市場(chǎng)產(chǎn)生重大影響。

平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道,三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬(wàn)個(gè)dram和3萬(wàn)個(gè)nand芯片,但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬(wàn)個(gè)dram和1萬(wàn)個(gè)nand芯片。

雖然2023年下半年價(jià)格出現(xiàn)反彈,但對(duì)市場(chǎng)復(fù)蘇的預(yù)測(cè)仍然保守。p3增產(chǎn)投資減少可能意味著今后一年內(nèi)供給不會(huì)大幅增加。特別是nand閃存的需求不會(huì)增加。與dram相比,nand投資的減少幅度更大。這意味著nand型市場(chǎng)的恢復(fù)將會(huì)趨緩。

三星電子的設(shè)備投資預(yù)計(jì)到2023年將達(dá)到36萬(wàn)億至37萬(wàn)億韓元(約270億美元)。但是,由于最近的投資減少,預(yù)計(jì)今年年末總支出將減少到29萬(wàn)億韓元。

另外,韓國(guó)投資證券調(diào)查中心負(fù)責(zé)人預(yù)測(cè)說(shuō),隨著dram制造進(jìn)入第4代10納米節(jié)點(diǎn)(1a)和第5代10納米節(jié)點(diǎn)(1b)加工技術(shù),工程方式將大幅改變。設(shè)備升級(jí)期間,生產(chǎn)線暫時(shí)中斷并安裝新設(shè)備。這就是企業(yè)為了避免對(duì)產(chǎn)量影響過(guò)大而在淡季采取這種行動(dòng)的原因。因此,三星存儲(chǔ)器生產(chǎn)線的啟動(dòng)率將從q4下降,預(yù)計(jì)在q4中dram和nand的供應(yīng)將大幅減少。

據(jù)悉,實(shí)際上,dram價(jià)格在過(guò)去6個(gè)月里已經(jīng)觸底,一直保持穩(wěn)定趨勢(shì),存儲(chǔ)器企業(yè)已經(jīng)向客戶公司提出了上調(diào)nand合同價(jià)格的要求。業(yè)界預(yù)測(cè)說(shuō),三星、sk海力士、美光將恢復(fù)經(jīng)濟(jì)周期,收益性也將迅速恢復(fù)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    462

    文章

    53179

    瀏覽量

    453681
  • DRAM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    40

    文章

    2362

    瀏覽量

    187276
  • NAND
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1733

    瀏覽量

    139902
  • 晶圓廠
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    640

    瀏覽量

    38766
  • 三星
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    1718

    瀏覽量

    33481
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率

    三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折, 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士,更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使
    發(fā)表于 04-18 10:52

    三星晶圓代工產(chǎn)線恢復(fù)運(yùn)營(yíng),6月沖刺最大產(chǎn)能利用率

    據(jù)媒體最新報(bào)道,韓國(guó)三星電子的晶圓代工部門(mén)已正式解除位于園區(qū)的晶圓代工生產(chǎn)線的停機(jī)狀態(tài),并計(jì)劃在今年6月產(chǎn)能利用率提升至最高水平。這一舉措標(biāo)志著
    的頭像 發(fā)表于 02-18 15:00 ?814次閱讀

    三星電子否認(rèn)1b DRAM重新設(shè)計(jì)報(bào)道

    據(jù)報(bào)道,三星電子已正式否認(rèn)了有關(guān)其重新設(shè)計(jì)第五代10nm級(jí)DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認(rèn)引發(fā)了業(yè)界對(duì)三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新
    的頭像 發(fā)表于 01-23 15:05 ?752次閱讀

    三星大幅削減2025年晶圓代工投資

    近日,三星電子宣布了一項(xiàng)重大決策,大幅削減其晶圓代工部門(mén)在2025年的設(shè)施投資。據(jù)透露,與上一年相比,此次削減幅度
    的頭像 發(fā)表于 01-23 14:36 ?701次閱讀

    三星2025年晶圓代工投資減半

    2工廠和華城S3工廠。盡管投資規(guī)模有所縮減,但三星在這兩大工廠的項(xiàng)目推進(jìn)上并未止步。 P2工
    的頭像 發(fā)表于 01-23 11:32 ?867次閱讀

    三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM

    問(wèn)題,在2024年底決定在改進(jìn)現(xiàn)有1b nm工藝的同時(shí),從頭設(shè)計(jì)新版1b nm DRAM。 不過(guò),三星通過(guò)相關(guān)媒體表示相關(guān)報(bào)道不準(zhǔn)確。盡管三星否認(rèn)了重新設(shè)計(jì),但有業(yè)內(nèi)人士透露,三星的目
    的頭像 發(fā)表于 01-23 10:04 ?1164次閱讀

    三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì),應(yīng)對(duì)良率與性能挑戰(zhàn)

    nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P,其重點(diǎn)將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND
    的頭像 發(fā)表于 01-22 14:04 ?1180次閱讀

    三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量

    近日,三星電子已做出決定,減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前,全球NAND
    的頭像 發(fā)表于 01-14 14:21 ?703次閱讀

    三星削減中國(guó)西安NAND閃存產(chǎn)量應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化

    近日,三星電子宣布將對(duì)其在中國(guó)西安的NAND閃存工廠實(shí)施減產(chǎn)措施,以應(yīng)對(duì)全球NAND市場(chǎng)供過(guò)于求的現(xiàn)狀及預(yù)期的價(jià)格下滑趨勢(shì)。據(jù)《朝鮮日?qǐng)?bào)》報(bào)道,三星決定將該工廠的晶圓投入量
    的頭像 發(fā)表于 01-14 10:08 ?717次閱讀

    三星減少NAND生產(chǎn)光刻膠使用量

    近日,據(jù)相關(guān)報(bào)道,三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破,成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉,三星已經(jīng)制定了未來(lái)NAND
    的頭像 發(fā)表于 11-27 11:00 ?798次閱讀

    三星MLC NAND閃存或面臨停產(chǎn)傳聞

    近日,業(yè)界傳出消息稱,三星電子大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給,并計(jì)劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場(chǎng)銷(xiāo)售該類(lèi)產(chǎn)品,而到了2025年6月,MLC
    的頭像 發(fā)表于 11-21 14:16 ?1287次閱讀

    MLC NAND產(chǎn)能或遭削減?三星否認(rèn)停產(chǎn)傳聞

    近日,業(yè)界傳出消息,MLC NAND(多層單元閃存)的產(chǎn)能供給大幅削減,其中三星電子被指調(diào)整產(chǎn)能。據(jù)市場(chǎng)傳言,
    的頭像 發(fā)表于 11-20 16:13 ?1302次閱讀

    英飛凌削減投資,推遲居林晶圓廠擴(kuò)建

    近日,半導(dǎo)體市場(chǎng)低迷的態(tài)勢(shì)對(duì)英飛凌科技產(chǎn)生了影響,公司決定推遲其位于馬來(lái)西亞居林的“超級(jí)晶圓廠”第二階段建設(shè),并將該項(xiàng)目的投資削減10%。
    的頭像 發(fā)表于 11-14 14:23 ?763次閱讀

    三星P4一期產(chǎn)線調(diào)整:將同時(shí)生產(chǎn)DRAMNAND Flash

    據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,三星電子已決定調(diào)整其園區(qū)P4產(chǎn)線第一期的產(chǎn)能分配,以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求的快速變化。這一決策標(biāo)志著三星電子在半導(dǎo)體生產(chǎn)策略上的重
    的頭像 發(fā)表于 11-13 14:19 ?928次閱讀

    三星電子HBM3E商業(yè)化遇阻,或重新設(shè)計(jì)1a DRAM電路

    近日,業(yè)界傳出三星電子HBM3E商業(yè)化進(jìn)程遲緩的消息,據(jù)稱這一狀況或與HBM核心芯片DRAM有關(guān)。具體而言,1a DRAM的性能問(wèn)題成為了三星
    的頭像 發(fā)表于 10-23 17:15 ?1107次閱讀