近日，據(jù)相關(guān)報道，三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破，成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。

據(jù)悉，三星已經(jīng)制定了未來NAND閃存的生產(chǎn)路線圖，并計劃在這一生產(chǎn)過程中，將光刻膠的使用量降低至目前的一半。這一技術(shù)革新不僅將顯著降低生產(chǎn)成本，還將有助于提升生產(chǎn)效率，為三星在全球NAND閃存市場的競爭中增添更多優(yōu)勢。

光刻膠是半導(dǎo)體制造過程中不可或缺的關(guān)鍵材料之一，其質(zhì)量和性能直接影響到芯片的生產(chǎn)質(zhì)量和良率。然而，光刻膠的供應(yīng)一直受到全球供應(yīng)鏈緊張的影響，價格波動較大，給半導(dǎo)體制造商帶來了不小的成本壓力。因此，三星此次減少光刻膠使用量的舉措，無疑是對當(dāng)前市場環(huán)境的積極應(yīng)對。

此外，這一技術(shù)突破也展現(xiàn)了三星在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的創(chuàng)新能力和技術(shù)實(shí)力。通過不斷優(yōu)化生產(chǎn)工藝，三星不僅能夠提升產(chǎn)品質(zhì)量和性能，還能夠有效降低生產(chǎn)成本，提高市場競爭力。