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是德科技和Ansys攜手為4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程

actSMTC ? 來源:是德科技快訊 ? 2023-10-10 18:22 ? 次閱讀
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新參考流程采用臺積電 N4PRF 制程,提供了開放、高效的射頻設計解決方案

強大的電磁仿真工具可提升 WiFi-7 系統(tǒng)的性能和功率效率

綜合流程可提高設計效率,實現(xiàn)更準確的仿真,從而更快將產品推向市場

2023年10月9日,是德科技(Keysight Technologies,Inc.)、新思科技公司(Nasdaq:SNPS)和 Ansys 公司(Nasdaq:ANSS)宣布攜手推出面向臺積電 N4PRF 制程的新參考流程。

N4PRF 制程是半導體代工企業(yè)臺積電所擁有的先進 4 納米(nm)射頻(RF)FinFET 制程技術。這個參考流程是以新思科技的定制設計產品系列為基礎而構建,提供了完整的射頻設計解決方案,以滿足客戶對開放式射頻設計環(huán)境以及更高預測準確度和設計效率的需求。

該參考流程為設計人員提供了出色的解決方案選項,并且成功集成了是德科技的射頻集成電路(RFIC)設計與交互式電磁(EM)分析工具,以及 Ansys 的 EM 建模和電源完整性簽核解決方案。

下一代無線系統(tǒng)將具有更大帶寬,支持更多設備聯(lián)網,其通信延遲更短,并且覆蓋范圍更廣。用于無線數據傳輸的射頻集成電路(如收發(fā)信機和射頻前端元器件)設計變得越來越復雜。

面對更高的電路頻率、更小的尺寸和復雜的版圖相關效應,通過物理方式研發(fā)高速設計的傳統(tǒng)方式將遇到重重挑戰(zhàn)。為了實現(xiàn)先進的性能和強健的產品可靠性,設計人員需要更準確、更全面的建模及仿真功能。

臺積電 N4PRF 設計參考流程可在新思科技定制編譯器 設計和版圖環(huán)境中,使用低噪聲放大器(LNA)和 LC 調諧壓控振蕩器(LC VCO)等關鍵設計組件對設計進行嚴格驗證,從而有效縮短設計交付時間,提高版圖設計效率。參考流程配備了先進的工具,可實現(xiàn)高效的無源器件合成、EM 模型提取、包含器件金屬的熱感知電遷移分析,以及支持正確處理電感電路(CUI)結構的版圖后期提取。

除了新思科技定制編譯器之外,這個開放的現(xiàn)代參考流程還包括:Synopsys PrimeSim 仿真工具和 PrimeSim 可靠性環(huán)境,可提供簽核準確度電路仿真;以及 Synopsys IC Validator 和 Synopsys StarRC,可提供簽核實體驗證和提取解決方案。

Ansys Totem 可提供熱感知簽核電遷移驗證和電源完整性分析(EM/IR)。

RaptorX 和 Exalto 提供電磁建模功能,并具有獨特的 CUI 功能,可顯著減少空間占用。

VeloceRF 針對多層螺旋電感器、平衡-不平衡轉換器/變壓器和傳輸線等電磁器件提供了全自動芯片版圖合成。Keysight PathWave ADS RFPro 則提供了快速、交互式的電磁電路聯(lián)合仿真和分析,可協(xié)助設計人員在開發(fā)期間提前發(fā)現(xiàn)并修復版圖相關效應。

PathWave RFIC 設計(GoldenGate)支持在早期芯片設計和驗證過程中進行諧波平衡仿真。

是德科技副總裁兼 EDA 事業(yè)部總經理 Niels Faché 表示:“是德科技、新思科技和 Ansys 已經擴大與臺積電的戰(zhàn)略技術合作,為臺積電先進的 4nm 射頻技術提供更高水平的射頻設計能力。我們目睹了射頻設計人員使用前幾代解決方案和流程的各種不便,這些舊解決方案和流程已經無法滿足如今的 WiFi-7 片上系統(tǒng)和射頻子系統(tǒng)設計需求。要應對新的版圖相關效應,設計人員必須具備詳細的仿真和建模能力,并且必須能夠準確簽核。其他商用工具和工作流程無法滿足如臺積電這類頂尖芯片制造企業(yè)的嚴苛要求,通常也沒有能力對包含數百個耦合信號端口的現(xiàn)代模擬設計進行建模?!?/p>

新思科技戰(zhàn)略與產品管理 EDA 集團副總裁 Sanjay Bali 表示:“新思科技、Ansys 和是德科技一直利用在定制模擬、射頻和多物理場設計方面數十年的專業(yè)技術,為我們共同的客戶降低風險,并幫助他們加速實現(xiàn)成功。我們與 Ansys 和是德科技最近再次攜手,為臺積電先進 N4P 制程提供新的射頻設計參考流程。這是一個開放、優(yōu)化的流程,可為先進 WiFi-7 系統(tǒng)提供高質量的結果?!?/p>

Ansys 公司電子、半導體光學業(yè)務副總裁兼總經理 John Lee 表示:“隨著射頻頻率攀升至毫米波和亞太赫茲范圍,多物理場為我們的客戶帶來了新的挑戰(zhàn),包括優(yōu)化功率、空間占用、可靠性和性能等等??蛻粝胍淮尉驮O計出成功的產品,需要在整個設計流程中都采用高性能的解決方案。我們與是德科技和新思科技正在攜手與臺積電開展緊密合作,將我們先進的電源完整性和電磁建模技術引入定制設計流程中,從而滿足高速電路設計人員的需求。”







審核編輯:劉清

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原文標題:是德科技、新思科技和Ansys攜手為臺積電的先進4nm射頻FinFET制程打造全新參考流程

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