華為公開“半導(dǎo)體器件”專利：提升場效應(yīng)晶體管電流驅(qū)動能力

華為技術(shù)有限公司最近增加了多項專利信息，其中一項是“半導(dǎo)體器件”，公開號碼為cn116868342a。

根據(jù)專利摘要，該公開是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導(dǎo)體通道的兩端。漏極和源極分別接觸氧化物半導(dǎo)體通道的多個表面，增加源極和泄漏極和氧化物半導(dǎo)體溝道的接觸面積，減少接觸電阻。由于半導(dǎo)體器件的接觸電阻降低，在相同電壓下的電流會增加，從而提高差額效應(yīng)晶體管的電流驅(qū)動能力和響應(yīng)速度。

據(jù)了解，截至2022年底，華為擁有有效授權(quán)專利超過12萬項，主要分布在中國、歐洲、美洲、亞太、中東、非洲。華為在中國和歐洲分別擁有4萬多項專利，在美國擁有22000多項專利。

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