隨著hbm工程設(shè)備的商用化，半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)正在加快研究開(kāi)發(fā)（rd）的步伐。

據(jù)業(yè)界11日稱，韓美半導(dǎo)體（hanm）最近推出了為hbm設(shè)計(jì)的“dual tc bonder griffin”。hbm可以將dram芯片垂直堆疊起來(lái)提高性能，芯片組裝置可以通過(guò)熱壓縮準(zhǔn)確堆疊dram，從而保護(hù)數(shù)據(jù)路徑。

sti公司與世界級(jí)半導(dǎo)體公司簽訂了HBM專用設(shè)備的供應(yīng)合同，設(shè)備名為“Flux Reflow”（助焊劑回流焊）。flux reflow設(shè)備在半導(dǎo)體焊接點(diǎn)和顛倒的芯片逆流的過(guò)程中，生成傳遞電信號(hào)的導(dǎo)電高峰。sti提供flux reflow設(shè)備，減少焊接造成的污染，提供最佳室內(nèi)環(huán)境。

裝備企業(yè)east最近還實(shí)現(xiàn)了hbm專用晶圓壓縮機(jī)的商用化。該晶圓壓縮機(jī)進(jìn)入hbm的“底部填充”過(guò)程，改善了半導(dǎo)體性能。充電工程是將dram堆積起來(lái)后，使絕緣樹(shù)脂均勻凝固，消除dram之間的雜質(zhì)，防止振動(dòng)或濕度等外部因素造成的損傷。

據(jù)悉，SK海力士目前占據(jù)全球HBM市場(chǎng)的50%以上份額，三星正迎頭追趕。近日三星電子副總裁兼存儲(chǔ)部門DRAM開(kāi)發(fā)主管Sangjun Hwang宣布，三星開(kāi)始向客戶提供高帶寬內(nèi)存HBM3E樣品，且下一代產(chǎn)品HBM4正在開(kāi)發(fā)中，目標(biāo)2025年供貨。