電學(xué)測(cè)試是芯片測(cè)試的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，用來描述和評(píng)估芯片的電性能、穩(wěn)定性和可靠性。芯片電學(xué)測(cè)試包括直流參數(shù)測(cè)試、交流參數(shù)測(cè)試和高速數(shù)字信號(hào)性能測(cè)試等。

什么是芯片電學(xué)測(cè)試?

芯片電學(xué)測(cè)試就是檢測(cè)芯片、元件等電性能參數(shù)是否滿足設(shè)計(jì)的要求。檢測(cè)的項(xiàng)目有電壓、電流、阻抗、電場(chǎng)、磁場(chǎng)、EDM、相應(yīng)時(shí)間等。電學(xué)測(cè)試是評(píng)估芯片性能的重要環(huán)節(jié)，確保芯片的穩(wěn)定性、可靠性，保證其可以正常運(yùn)行工作。

芯片電學(xué)測(cè)試參數(shù)

芯片電測(cè)試參數(shù)包括直流參數(shù)測(cè)試、交流參數(shù)測(cè)試和高速數(shù)字信號(hào)性能測(cè)試等。

1. 直流參數(shù)測(cè)試

是對(duì)芯片的直流特性進(jìn)行測(cè)試，包括：

靜態(tài)電流測(cè)試：測(cè)試芯片在不同電壓下靜態(tài)電流的大小，評(píng)估芯片的電流驅(qū)動(dòng)能力。

電壓測(cè)試：測(cè)試芯片在不同電壓下的表現(xiàn)，包括芯片的最大工作電壓和靜態(tài)電壓。

斜率測(cè)試：測(cè)試芯片在不同電流下的電壓數(shù)值變化。

反向電流測(cè)試：測(cè)試芯片在反向電流下的性能表現(xiàn)。

2.交流參數(shù)測(cè)試

是測(cè)試芯片的動(dòng)態(tài)電特性，包括：

共模抑制比(CMRR)測(cè)試：測(cè)試芯片在輸入信號(hào)存在共模干擾時(shí)輸出信號(hào)的變化量。

變化時(shí)間測(cè)試：測(cè)試芯片在輸入信號(hào)變化時(shí)輸出信號(hào)的變化時(shí)間。

放大器帶寬測(cè)試：測(cè)試芯片放大器的傳輸帶寬。

相位測(cè)試：測(cè)試芯片信號(hào)傳輸?shù)南辔蛔兓?/p>

3.高速數(shù)字信號(hào)性能測(cè)試

主要是針對(duì)數(shù)字信號(hào)處理芯片進(jìn)行測(cè)試，包括：

時(shí)鐘偏移測(cè)試：測(cè)試芯片的時(shí)鐘誤差，評(píng)估芯片時(shí)鐘同步性。

捕獲時(shí)延測(cè)試：測(cè)試芯片捕獲信號(hào)的時(shí)延。

輸出時(shí)延測(cè)試：測(cè)試芯片輸出數(shù)字信號(hào)的時(shí)延。

串行接口電氣特性測(cè)試：測(cè)試芯片的串行接口傳輸電氣特性。

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審核編輯：湯梓紅