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顯影液為何無法除去HMDS和BARC?原因是什么?又該如何將其去除?

中科院半導(dǎo)體所 ? 來源:Tom聊芯片智造 ? 2023-11-07 18:17 ? 次閱讀
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光刻過程中,殘留的HMDS和BARC會(huì)對(duì)后續(xù)光刻和鍍膜工藝造成影響,但其用顯影液卻無法除去,原因是什么,又該如何將其去除,這篇文章將帶大家一探究竟。

顯影液為何無法除去HMDS&BARC

我們先從它們的成分說起。HMDS,中文名六甲基二硅氮烷,是一種有機(jī)物,在水中的溶解性很低,但它可與多種有機(jī)溶劑混溶,比如醇、醚和多數(shù)非極性溶劑。

HMDS是一種單分子層的表面改性,所以它的厚度非常薄,通常在幾埃(1埃=0.1納米)至幾十埃的范圍內(nèi)。BARC也主要以有機(jī)物為主,其厚度比HDMS要厚,一般根據(jù)其要阻止的光的波長和光刻膠的厚度來設(shè)計(jì)。

對(duì)于BARC,厚度通常在幾十納米到幾百納米之間。而顯影液一般是堿性的,因此顯影液一般無法將HMDS和ARC完全去除。

而光刻膠在曝光后,會(huì)包含羧基的物質(zhì),而羧基(-COOH)可以和堿性物質(zhì)反應(yīng),因此光刻膠是可以被去除。

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HMDS&BARC殘留的影響

HMDS和BARC除不干凈,就相當(dāng)于在晶圓的表面夾雜了一層有機(jī)物層,對(duì)后面的半導(dǎo)體工序影響很大,特別是光刻與鍍膜工序。

對(duì)后續(xù)光刻的影響

導(dǎo)致接下來的光刻膠附著不牢固,引起光刻膠剝離。

影響光刻膠的曝光,導(dǎo)致光刻圖案的尺寸不準(zhǔn)確或邊緣粗糙等。

對(duì)后續(xù)鍍膜的影響

1. 可能會(huì)影響后續(xù)膜層的附著力,導(dǎo)致新沉積的膜層在后續(xù)的加工步驟中出現(xiàn) 脫落。

2. 可能會(huì)導(dǎo)致鍍膜時(shí)新膜層的不均勻性,形成針孔或其他缺陷等。

去除方法

溶劑清洗

可以使用有機(jī)溶劑溶劑(如異丙醇)來清洗晶圓,以去除多余的HMDS,但這種方法并不能完全除去HMDS,TARC,可能有少量的殘留。

等離子清洗

在一些工序前后,使用氧離子體清洗步驟來去除晶圓上的有機(jī)殘留物,包括HMDS,TARC。這種清洗方法可以將很薄的HMDS,TARC涂層完全清洗干凈。

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檢測(cè)是否清洗干凈的方法

紅外光譜分析:可用于檢測(cè)特定化學(xué)基團(tuán)的存在,如HMDS中的硅烷基團(tuán)。

原子力顯微鏡(AFM):可以用于檢測(cè)表面粗糙度的變化,表面殘留物較多,粗糙度較大。

FIB:利FIB檢查晶圓截面,觀察有無大面積膜層殘留。








審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:HMDS和BARC是如何除去的?

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