耗盡型MOSFET

應(yīng)用電路如下：

在上述電路中，選擇合適的穩(wěn)壓二極管VD1,即可得到穩(wěn)定的輸出電壓Vout。

輸出電壓Vout與穩(wěn)壓二極管VD1的穩(wěn)壓值Vz滿足關(guān)系式：Vout=Vz+VR1=Vz+|Vth|
(Vth即DMD4523E在一定電流下的閾值電壓)。

使用DMD4523E時輸入電壓最高可達400V(需考慮DMD4523E的功耗)。上述應(yīng)用可以為負載電路提供良好的過壓保護。

DMD4523E

DMD4523E系列產(chǎn)品在容性負載、儀表、通訊設(shè)備中用于瞬態(tài)浪涌抑制、過流過壓保護的應(yīng)用。

該電路中僅使用一顆耗盡型MOSFET+電阻R，就能限制流過負載回路的電流大小，為負載回路提供過流保護。

該系列產(chǎn)品可工作在較高電壓下，能為負載回路提供過壓保護及瞬態(tài)浪涌抑制。當負載出現(xiàn)短路時，為負載提供過流保護。該系列MOSFET響應(yīng)速度快，電路結(jié)構(gòu)簡單。