上海伯東提供半導(dǎo)體新材料和設(shè)備管道檢漏解決方案, 助力企業(yè)生產(chǎn)高質(zhì)量的六氯乙硅烷 Si?Cl?. 六氯乙硅烷廣泛應(yīng)用于有機(jī)硅化合物的合成, 電子半導(dǎo)體材料制造.

半導(dǎo)體新材料和設(shè)備檢漏:提升產(chǎn)品良率
半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備及其相關(guān)設(shè)施一般在真空環(huán)境下工作, 任何一處出現(xiàn)泄漏都可能導(dǎo)致包括產(chǎn)量下降, 產(chǎn)品不達(dá)標(biāo)或嚴(yán)重安全風(fēng)險(xiǎn). 因此, 在潔凈室之內(nèi)或在任何維護(hù)干預(yù)之后, 密封性檢漏是必須的步驟. 上海伯東提供全面的氦質(zhì)譜檢漏解決方案, 確保生產(chǎn)設(shè)施從工藝室到排氣系統(tǒng)的真空完整性.

檢漏要求:高精度, 清潔無(wú)油, 快速檢測(cè), 盡可能縮短停機(jī)時(shí)間

在真空環(huán)境下工作的半導(dǎo)體制造設(shè)備氦質(zhì)譜檢漏方法: 為了確保最終產(chǎn)品的質(zhì)量, 真空設(shè)施需要避免任何污染. 在安裝任何工具或者維護(hù)腔室之后, 推薦使用檢漏儀真空模式進(jìn)行設(shè)備的密封性測(cè)試. 氦質(zhì)譜檢漏儀在真空條件下直接連接到設(shè)備, 通過(guò)將示蹤氣體氦氣噴灑到可能泄漏源的周?chē)?(比如焊縫, 接頭, 閥門(mén)等處), 即可定位, 定量檢測(cè)到存在的漏點(diǎn). 真空模式下漏率 1X10-10mbar l/s.

在壓力下工作的氣體管路和機(jī)柜氦質(zhì)譜檢漏方法:
由于工藝氣體對(duì)自然環(huán)境的潛在危害, 此類(lèi)管線在投入運(yùn)行前需要通過(guò)測(cè)試. 推薦使用氦質(zhì)譜檢漏儀吸槍模式, 要測(cè)試的管線在壓力下充滿氦氣. 檢漏儀吸槍探頭可以探測(cè)可能逸出的氦氣. 吸槍模式下, 漏率 1X10-8mbar l/s

針對(duì)不同的工況, 上海伯東提供合適的半導(dǎo)體設(shè)備檢漏方案
當(dāng)復(fù)雜系統(tǒng)或大容量系統(tǒng) (例如處理室或前級(jí)管線) 上發(fā)生泄漏時(shí), 需要大抽速檢漏儀以加快泄漏檢測(cè)過(guò)程, 從而減少設(shè)備停機(jī)時(shí)間. 推薦使用氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 390 或 ASM 392

對(duì)于過(guò)壓系統(tǒng)或難以進(jìn)入測(cè)試區(qū)域的情況, 推薦便攜式檢漏儀 ASM 310 提供較大靈活性的同時(shí)又不影響性能和靈敏度