11月13日, 三菱電機株式會社(TOKYO:6503)宣布,將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關系,共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導體。
三菱電機將利用其寬禁帶半導體技術開發(fā)和供應SiC MOSFET芯片,Nexperia將用于開發(fā)SiC分立器件。
Nexperia高級副總裁兼雙極分立業(yè)務部總經理Mark Roeloffzen表示:“與三菱電機的這種互利戰(zhàn)略合作伙伴關系代表了Nexperia碳化硅之旅的重要一步。三菱電機作為技術成熟的碳化硅器件和模塊供應商有著良好的記錄。結合Nexperia在分立產品和封裝方面的高質量標準和專業(yè)知識,我們必將在兩家公司之間產生積極的協(xié)同效應,最終使我們的客戶能夠在他們所服務的工業(yè)、汽車或消費市場中提供高能效產品。
三菱電機半導體與器件執(zhí)行官兼集團總裁Masayoshi Takemi表示:“Nexperia是工業(yè)領域的領先公司,擁有高質量分立半導體的成熟技術。我們很高興建立這種共同開發(fā)合作伙伴關系,這將利用兩家公司的半導體技術。
三菱電機在高速列車、高壓工業(yè)應用和家用電器等應用中確立了領先地位。該公司于2010年推出了全球首款用于空調的SiC功率模塊,并于2015年成為新干線子彈頭列車全SiC功率模塊的首家供應商。三菱電機在碳化硅功率模塊的開發(fā)和制造方面積累了卓越的專業(yè)知識,這些模塊以其先進的性能和高可靠性而聞名。
審核編輯:劉清
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原文標題:三菱電機和安世半導體將合作共同開發(fā)碳化硅功率半導體
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