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帶時鐘接收器的DDR5設(shè)計方法

要長高 ? 來源:EETOP編譯 ? 2023-11-16 17:42 ? 次閱讀
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在今年的 DesignCon 2023 活動中,美光科技(Micron)展示了所有關(guān)于 DDR5 設(shè)計挑戰(zhàn)的演講,例如DRAM 內(nèi)部對決策反饋均衡器 ( DFE )的需求。西門子EDA(Siemens EDA)和 Micron 聯(lián)手撰寫了一份關(guān)于該主題的 25 頁詳細白皮書,我能夠從這篇短文中歸納出一些要點。

DDR5 規(guī)范于 2020 年推出,數(shù)據(jù)傳輸帶寬為 3200MT/s,需要均衡 (EQ) 電路來解決通道損傷問題。

DFE 旨在克服符號間干擾 ( ISI ) 的影響,美光的設(shè)計人員必須考慮 DRAM DFE 中的時鐘、Rx 眼圖評估、誤碼率 (BER) 和抖動分析。IBIS-AMI模型用于對 DDR5 行為以及 EDA 工具統(tǒng)計仿真流程進行建模。

DDR5 規(guī)范的一部分是 DRAM Rx 內(nèi)部的 4-tap DFE,DFE查看過去接收的數(shù)據(jù)比特,以消除比特位中的任何ISI。DFE首先應(yīng)用一個電壓偏移來消除ISI,然后限幅器將當(dāng)前位量化為高位或低位。EETOP編譯自semiwiki

圖片

DDR5 規(guī)范中的典型 4-tap DFE

對于 DDR5,時鐘是差分選通信號(DQS_t、DQS_c),并且它沿著單端數(shù)據(jù)信號 (DQ) 轉(zhuǎn)發(fā)到 Rx。DQS 信號被緩沖,然后扇出到最多 8 個 DQ 鎖存器的時鐘輸入,從而導(dǎo)致時鐘樹延遲。

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DQS 時鐘樹延遲

最大眼圖高度為 95mV,最大眼圖寬度為 0.25 單位間隔 (UI),或僅為 78.125ps。使用統(tǒng)計方法測量 1e-16 的 BER 是最實用的。

IBIS 模型已用于多代 DDR 系統(tǒng),支持端到端系統(tǒng)仿真,但從 DDR5 開始添加 EQ 功能和 BER 眼圖模板要求,人們尋求新的仿真模型和分析。通過 IBIS-AMI 建模,可以實現(xiàn)快速、準確的 Si 仿真,可跨 EDA 工具移植,同時保護 IO 細節(jié)的 IP。IBIS-AMI支持統(tǒng)計和逐位仿真模式,統(tǒng)計流程如下所示。

圖片

統(tǒng)計仿真流程

這個流程的結(jié)果是一個統(tǒng)計學(xué)上的眼圖,可用于測量不同誤碼率水平下的眼圖輪廓。

DDR5仿真實例

使用 Micron 提供的 DQ 和 DQS IBIS-AMI 模型在HyperLynx LineSim工具中對 DDR5 仿真進行建模,以下是系統(tǒng)原理圖。

圖片

DDR5系統(tǒng)原理圖

EDA工具在指定的時鐘時間捕捉波形,其中時鐘時間內(nèi)的時序不確定性被轉(zhuǎn)移到所產(chǎn)生的輸出眼圖中,在限幅器及其時鐘量化之前重建電壓和時序裕量。

圖片

Variable clock times

DQS 和 DQ 時序不確定性都會影響眼圖,類似于時序裕度。圖 A 顯示注入到 DQ 信號的抖動,圖 B 顯示注入到 DQS 信號的抖動。DQ(紅色)和 DQS(綠色)抖動一起顯示在圖 C 中。

圖片

Timing bathtub curve

甚至可以對各種組合中的 DQ 信號和 DQS 信號進行正弦抖動效應(yīng)建模,以查看 BER 和時序浴盆曲線結(jié)果。DDR5 具有 Rj、Dj 和 Tj 測量,而不是周期和周期間抖動測量??梢?a href="http://www.brongaenegriffin.com/analog/" target="_blank">模擬 Rx 和 Rj 值對 BER 圖的影響以及bathtub curve時序。

圖片

數(shù)據(jù)上的 Rx Rj 與數(shù)據(jù)和時鐘組合的比較

超越線性和時不變 (LTI) 建模,多重邊沿響應(yīng) (MER) 技術(shù)使用一組上升沿和下降沿。通過定制的高級 IBIS-AMI 流程,它對每個 MER 邊緣執(zhí)行統(tǒng)計分析,然后將組合效果疊加到輸出眼圖中。

圖片

逐位高級仿真結(jié)果

在建模中添加 2% 的 Tx Rj 值可顯示更真實的 BER 降級圖結(jié)果。

總結(jié)

信號完整性效應(yīng)主導(dǎo) DDR5 系統(tǒng)的設(shè)計,因此要獲得準確的結(jié)果,需要對所有新的物理效應(yīng)進行詳細建模。Rx AMI 模型的 IBS-AMI 規(guī)范已更新為使用轉(zhuǎn)發(fā)時鐘。Micron 展示了他們?nèi)绾问褂脮r鐘 DDR5 模擬流程來模擬新效應(yīng),包括非 LTI 效應(yīng),并實現(xiàn) 1e-16 及以下的 BER 模擬。

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