chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

國產(chǎn)碳化硅MOS推薦-DCDC轉(zhuǎn)換器

全芯時代 ? 來源:全芯時代 ? 2023-11-17 09:04 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

DCDC轉(zhuǎn)換器是一種臨時儲存電能的設(shè)備,作用是將直流電從一個電壓水平轉(zhuǎn)換為另一個電壓水平。

尤其在汽車應(yīng)用里可將動力電池輸出的高壓直流電轉(zhuǎn)換為低壓直流電,給車內(nèi)動力轉(zhuǎn)向、水泵、車燈、空調(diào)等低壓用電系統(tǒng)供電。

DCDC轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品圖

2eccf306-84e1-11ee-939d-92fbcf53809c.png

隨著電動汽車電池電壓升至800V高壓平臺,1200V的SiCMOSFET有望被廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器中。

我司推薦一款1200V 40mΩ高壓低導(dǎo)通電阻的國產(chǎn)SiC MOSFET,最大漏源電流56A(Tc= 25°C),工作結(jié)溫范圍-55°C~175°C,最大耗散功率不高于300W,反向電容13pF,已在多家頭部客戶批產(chǎn),性能反饋優(yōu)異。

除了SiCMOS,我司在DCDC轉(zhuǎn)換器中還可提供數(shù)字隔離器、驅(qū)動、通用MOS管、通用運(yùn)放、TVS等國產(chǎn)器件的選型匹配。






審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 隔離器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    893

    瀏覽量

    40433
  • 直流電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    447

    瀏覽量

    23130
  • dcdc轉(zhuǎn)換器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    226

    瀏覽量

    40447
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3281

    瀏覽量

    51694

原文標(biāo)題:國產(chǎn)碳化硅MOS推薦----DCDC轉(zhuǎn)換器

文章出處:【微信號:quanxin100,微信公眾號:全芯時代】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

    )、數(shù)據(jù)中心和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施日益增長的需求。相比傳統(tǒng)的硅器件,碳化硅技術(shù)更具優(yōu)勢,尤其是在功率轉(zhuǎn)換效率和熱敏感性方面。碳化硅對電子、電力行業(yè)的整體影響可帶來更強(qiáng)的盈利能力和可持續(xù)性。 來自兩家行業(yè)領(lǐng)先半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 10-02 17:25 ?1392次閱讀

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下器件的參數(shù)瓶頸,直接促進(jìn)了新能源等
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?1064次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    模塊的可靠性和耐用性。低電感設(shè)計(jì):電感值為6.7 nH,有助于降低系統(tǒng)中的電感效應(yīng),提高功率轉(zhuǎn)換效率。采用全新的第3代碳化硅MOSFETs:提供更好的性能和效率。集成化溫度傳感
    發(fā)表于 06-25 09:13

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?757次閱讀

    碳化硅MOS驅(qū)動電壓如何選擇

    碳化硅MOS驅(qū)動電壓選擇15V還是18V,是電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對器件的導(dǎo)通損耗、開關(guān)特性、熱管理和系統(tǒng)可靠性有顯著影響。
    的頭像 發(fā)表于 06-04 09:22 ?1292次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOS</b>驅(qū)動電壓如何選擇

    基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動

    對于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言,優(yōu)化的柵極驅(qū)動尤為重要。此類轉(zhuǎn)換器的快速開關(guān)需仔細(xì)考量寄生參數(shù)、過沖/欠沖現(xiàn)象以及功率損耗最小化問題,而驅(qū)動電路在這些方面都起著
    的頭像 發(fā)表于 05-08 11:08 ?1001次閱讀
    基于氮化鎵的<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動<b class='flag-5'>器</b>

    碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

    隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源的需求不斷增加,能源轉(zhuǎn)換技術(shù)的提升已成為實(shí)現(xiàn)低碳經(jīng)濟(jì)的重要一環(huán)。碳化硅(SiC)功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優(yōu)越的性能,正逐漸成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備的選擇,特別是在能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。本文將深
    的頭像 發(fā)表于 04-27 14:13 ?835次閱讀

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應(yīng)用

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應(yīng)用
    發(fā)表于 04-02 11:40 ?0次下載

    SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

    結(jié)合國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體市場的競爭格局和技術(shù)發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經(jīng)成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象,比如2024已經(jīng)有
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?674次閱讀

    國產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案

    傾佳電子楊茜為客戶提供BASiC基本股份(BASiC Semiconductor)全國產(chǎn)碳化硅MOSFET和隔離驅(qū)動的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案,助力射頻電源業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級! 傾佳電子楊茜致力于推動
    的頭像 發(fā)表于 02-13 21:56 ?821次閱讀
    <b class='flag-5'>國產(chǎn)</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET和隔離驅(qū)動的真空鍍膜電源設(shè)計(jì)方案

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學(xué)與機(jī)械性能以及廣泛的應(yīng)用前景而
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?1764次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術(shù)介紹

    碳化硅在半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢: 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2390次閱讀

    碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域

    高溫、高壓和高頻環(huán)境下穩(wěn)定工作,同時具有較低的導(dǎo)通損耗和較高的開關(guān)速度。這些特性使得SiC在電力電子領(lǐng)域,特別是在電動汽車(EV)和可再生能源系統(tǒng)中的逆變器、轉(zhuǎn)換器和電源管理中發(fā)揮著重要作用。 2. 照明技術(shù) 在照明領(lǐng)域,碳化硅被用
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:06 ?2359次閱讀

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
    發(fā)表于 01-04 12:37