長鑫存儲”半導(dǎo)體芯片測試方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)“專利獲授權(quán)
長鑫存儲技術(shù)有限公司獲得“半導(dǎo)體芯片測試方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)”專利。許可公告日為11月14日，許可公告號碼為cn116540059b。
根據(jù)專利摘要，該公開提供屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域的半導(dǎo)體芯片測試方法、裝置、裝置及存儲介質(zhì)。該方法對半導(dǎo)體芯片進(jìn)行直流應(yīng)力試驗，得出直流應(yīng)力試驗結(jié)果，直流應(yīng)力試驗結(jié)果包括第一失效單位的失效通知。根據(jù)第一無效單位的無效地址信息，確定交流試驗區(qū)；對交流應(yīng)力試驗區(qū)域進(jìn)行交流應(yīng)力試驗，得出交流應(yīng)力試驗結(jié)果，交流應(yīng)力試驗結(jié)果包括第二實效單位的失效通知。利用第一個有效單位的有效地址信息，利用第一個有效單位和第二個有效單位的有效地址信息，維修第二個有效單位。
這一公開縮短了測試時間，減少了測試費用。
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