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驅(qū)動云/邊緣側(cè)算力建設(shè)的高性能互聯(lián)接口方案

jf_pJlTbmA9 ? 來源:奎芯科技 ? 作者:奎芯科技 ? 2023-11-23 16:30 ? 次閱讀
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9月14-15日,2023全球AI芯片峰會(GACS 2023)在深圳正式舉行??究萍紤?yīng)邀出席大會,副總裁王曉陽發(fā)表主題為《驅(qū)動云/邊緣側(cè)算力建設(shè)的高性能互聯(lián)接口方案》的演講。在演講中,王曉陽分享了AIGC產(chǎn)業(yè)算力需求引發(fā)的芯片互聯(lián)趨勢,并對算力芯片瓶頸進(jìn)行了分析,提出了奎芯內(nèi)存互聯(lián)解決方案和Chiplet方案落地案例。

AIGC引爆的芯片互聯(lián)趨勢

最近幾年AI模型快速發(fā)展,模型規(guī)模每年差不多10倍速度增長,當(dāng)令人驚訝的1750億參數(shù)的GPT3已成為過去式,迎來更大體量的萬億參數(shù)時代,AI系統(tǒng)算力需求也隨之增加,幾乎每季度翻倍增長。最近幾年體系結(jié)構(gòu)討論最多的問題之一就是如何破解兩堵墻:內(nèi)存墻和I/O墻。多年來通過工藝進(jìn)步,計算架構(gòu)設(shè)計革新等方法,理論算力的增長速度是驚人的,但是內(nèi)存帶寬,互聯(lián)帶寬的增長卻相對緩慢,造成了巨大的落差,最近業(yè)界也在嘗試很多方法來縮小這些差距比如:增加緩存,多級緩存架構(gòu),堆疊緩存;盡量提高單節(jié)點(diǎn)算力減少互聯(lián)的overhead;用高速的芯片互聯(lián)和系統(tǒng)互聯(lián)的SerDes做芯片互聯(lián)等等。

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英偉達(dá)GH200非常重點(diǎn)的強(qiáng)調(diào)HBM帶寬,LPDDR容量,以及NVLINK的速度。AMD發(fā)布的MI300X對算力指標(biāo)提都不提,只提內(nèi)存容量、內(nèi)存帶寬以及互聯(lián)帶寬。因此可以看到在LLM的游戲規(guī)則下,內(nèi)存容量、內(nèi)存帶寬以及互聯(lián)帶寬成了最核心的競爭力,而算力的重要性相對下降。

算力芯片瓶頸分析

目前主流AI大芯片采用HBM為主,它的價格相對其他內(nèi)存要貴,但單位帶寬成本較低。

HBM使用有諸多限制,其一是因?yàn)镠BM的顆粒必須和SOC的Die要對齊,合封在一起,所以它是一個緊耦合的狀態(tài),會帶來如下限制:在HBM數(shù)量方面,SoC與HBM必須保持貼合,導(dǎo)致HBM顆粒數(shù)量受限于芯片邊緣長度;在熱管理方面,DRAM的溫度敏感性會限制SoC的工作頻率,從而影響性能,而SoC與HBM之間的熱交互對測試提出了更高的要求;在設(shè)計實(shí)施方面,HBM IP的布局和適配性相對不夠靈活;另外,工藝限制要求SoC與HBM HOST IP必須采用相同的工藝制程;最后,需要注意的是SoC的面積占用問題,在12納米工藝下每個HBM HOST IP大約占據(jù)30mm2,限制了計算單元的面積。

其二是主流HBM的應(yīng)用還是以先進(jìn)封裝為主,包括Silicon interposer 或者Silicon Bridge等,也帶來了不少限制:Interposer尺寸受限制,最大只能有3到4個曝光面積;2.5D封裝的成本較高,與標(biāo)準(zhǔn)封裝相比價格高出4倍,近期臺積電的CoWoS單價上漲了20%;采用uBump作為連接點(diǎn)時,測試覆蓋率有限,當(dāng)封裝中包含超過6個HBM和2個ASIC時,良率明顯下降;最后,CoWoS產(chǎn)能有限,臺積電的CoWoS產(chǎn)能緊缺,國內(nèi)2.5D封裝技術(shù)還不夠成熟。

奎芯基于UCIe接口的HBM互聯(lián)方案

針對這些問題,奎芯科技打造一站式解決方案—M2LINK,用于將HBM和SoC解耦。基本做法是利用一顆Chiplet將HBM接口協(xié)議轉(zhuǎn)成UCIE接口協(xié)議,然后用RDL interposer 把Chiplet和HBM內(nèi)存封裝成一個標(biāo)準(zhǔn)模組,最后通過普通基板來和主SoC進(jìn)行封裝。這樣主SoC和標(biāo)準(zhǔn)模組間距離預(yù)計可以拉遠(yuǎn)到2.5cm,克服了原先主SoC和HBM緊耦合和綁定的限制,同時也無需受限于先進(jìn)封裝的高成本和Si Interposer的有限尺寸。除此之外還有諸多好處,比如以UCIe IP取代HBM IP,節(jié)省了主芯片面積,主芯片成本降低;單位邊長可以連接更多的HBM標(biāo)準(zhǔn)模組,內(nèi)存容量和帶寬都可以得到提升等等。

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以目前主流芯片為例,SoC近HBM的邊長為30mm的話,可以擺放6個HBM顆粒,利用M2LINK方案的話,雙邊共可以擺放8個HBM模組,同等大小的SoC可利用面積增大44%,內(nèi)存容量帶寬增加1/3, 最大封裝面積可以增加一倍以上。

奎芯Chiplet落地解決方案

奎芯科技作為國內(nèi)領(lǐng)先的互聯(lián)IP產(chǎn)品及Chiplet產(chǎn)品供應(yīng)商,國產(chǎn)自研內(nèi)存及互聯(lián)解決方案,奎芯LPDDR5X接口速率可達(dá)8533Mbps,業(yè)界領(lǐng)先??綝2D接口則具有高速率、低功耗、低延遲等優(yōu)勢。而奎芯HBM接口可支持國產(chǎn)工藝 PHY+ Controller 全套方案,速率可達(dá)6.4Gbps。目前,奎芯已經(jīng)有70件知識產(chǎn)權(quán)申請,以及16件榮譽(yù)獎項(xiàng)。

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奎芯科技基于對于整個封裝供應(yīng)鏈的整合能力,目前和客戶一起打造一款標(biāo)準(zhǔn)的帶HBM3的2.5D全國產(chǎn)封裝大芯片,將會提供包含HBM IP, interposer設(shè)計,2.5D封裝的設(shè)計的完整的turn key solution。

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同時,奎芯科技基于D2D(UCIe)解耦SoC和HBM HOST的思路不僅適用于云端訓(xùn)練和推理的大算力芯片,在端側(cè)已經(jīng)有具體實(shí)踐的案例,目前在給客戶打造的是一款低功耗計算產(chǎn)品的IO die。對于此場景,客戶希望計算部分用最先進(jìn)的制程,考慮到昂貴的成本,客戶還是希望解耦內(nèi)存接口放到成熟工藝上實(shí)現(xiàn),因此我們給客戶打造一顆包含 LPDDR host 的完整IO die, 實(shí)現(xiàn)內(nèi)存接口解耦,降低成本,為客戶未來產(chǎn)品升級增加靈活性。

奎芯科技致力于建立開放生態(tài)的一站式Chiplet服務(wù)平臺,提供接口IP,Chiplet,系統(tǒng)設(shè)計和先進(jìn)封裝設(shè)計等服務(wù),配套強(qiáng)大的供應(yīng)鏈資源及高效的系統(tǒng)整合服務(wù),為客戶提供完整的一站式解決方案。

來源: 奎芯科技

審核編輯 黃宇

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