chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

器件可靠性與溫度的關(guān)系

jf_pJlTbmA9 ? 來源:硬件十萬個為什么 ? 作者:硬件十萬個為什么 ? 2023-12-04 16:34 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

本文轉(zhuǎn)載自: 硬件十萬個為什么微信公眾號

1、器件失效與溫度的關(guān)系

器件極限溫度承受能力是高壓線,超過后失效率劇增,使用中不允許超過。在極限溫度以內(nèi),器件失效率與溫度仍然強相關(guān),失效率隨著溫度升高而增加。

問題:是否存在一個安全溫度點,只要不超過這個溫度點,失效率與溫度關(guān)系就不密切?

答案:理論與實際表明,多數(shù)情況下不存在這樣的溫度點。器件的失效率始終與溫度相關(guān),只是高于某個溫度點之后,失效率會急劇上升,出現(xiàn)拐點。

wKgaomVdi_SAYVKSAADXnKac74A209.png

降額設(shè)計就是使元器件或產(chǎn)品工作時承受的工作應力適當?shù)陀谠骷虍a(chǎn)品規(guī)定的額定值,從而達到降低基本失效率(故障率),提高使用可靠性的目的。20世紀50年代,日本人發(fā)現(xiàn),溫度降低10℃,元器件的失效率可降低一半以上。實踐證明,對元器件的某些參數(shù)適當降額使用,就可以大幅度提高元器件的可靠性。因電子產(chǎn)品的可靠性對其電應力和溫度應力比較敏感,故而降額設(shè)計技術(shù)和熱設(shè)計技術(shù)對電子產(chǎn)品則顯得尤為重要。

一款流量計的電源前期設(shè)計,未采用降額設(shè)計,其調(diào)整管僅按計算其功耗為0.8W(在常溫20℃~25℃),選用額定功率為1W的晶體管。結(jié)果在調(diào)試時和在用戶使用中發(fā)生故障頻繁。分析其原因主要是該管額定功耗1W時的環(huán)境溫度為25℃,而實際工作時該管處于的環(huán)境溫度為60℃,此管此時實際最大功耗已達1W。經(jīng)可靠性工程師分析和建議,選用同參數(shù)2W的晶體管,這時降額系數(shù)S≈0.5。因而產(chǎn)品的故障很快得到解決。

2、溫度循環(huán)是最惡毒的環(huán)境應力

wKgZomVdi_aAMr9yAAA4vf1qG9s789.png

篩選試驗(剔除方法):為剔除有早期失效的產(chǎn)品進行的試驗。對電子設(shè)備,最有效的是溫度循環(huán),效率:溫度循環(huán)/振動=3.5/1。

更具上面統(tǒng)計,我們可以看出溫度循環(huán)是最有效暴露缺陷的環(huán)境應力。

以上為統(tǒng)計結(jié)論。同時,我們的經(jīng)驗,機械應力疊加溫度應力,可以觸發(fā)一些不容易復現(xiàn)的故障。

3、元器件特性隨著溫度漂移,導致系統(tǒng)故障

一類是可恢復的軟失效

一類是不可恢復的硬失效

軟失效一般是指溫度容限不夠,可以恢復,是引起單板故障很難重現(xiàn)的一個重要原因。雖然問題經(jīng)常觸發(fā)軟失效,但要減少軟失效,不能僅靠降低溫度,必須在分析清楚具體原因的情況下制定有針對性的改進措施。

溫度引起軟失效多由器件參數(shù)的漂移導致。

案例1:參數(shù)溫度漂移,導致三極管不導通

1、halt試驗溫度降到-15度時單板串口掛死,此問題必現(xiàn),判斷時鐘或者電源有問題。

2、通過管理芯片MCU查看單板的電壓檢測結(jié)果和時鐘檢測結(jié)果,接入到MCU的電壓檢測結(jié)果都正常,檢測到單板的工作時鐘丟失

3、針對時鐘丟失進行分析

wKgaomVdi_eAQn4MAABqOn8PjlU555.png

CPU工作電源模塊在電壓正常工作之后同步輸出EN信號打開時鐘電路,而這個CPU工作電壓輸出沒有接入到MCU檢測(此電壓是0V~1.2V變化,沒有接入MCU檢測),時鐘電路得到EN信號才能正常工作;

邏輯檢測到電源A與電源B正常工作之后打開CPU工作電源模塊;

電源A與電源B正常工作的信號是通過的兩個mos管送給CPLD檢測。

wKgZomVdi_iARWZYAAAsufjYoFQ702.png

4、通過理論分析三極管的輸入電壓為1V05,通過分壓電阻分到0.7V打開三極管,在常溫時對導通電壓的要求為0.58V~0.7V

所以0.7V導通沒問題

wKgaomVdi_qAXEybAABP7ewkCuQ932.png

在低溫時由于特性漂移,導通電壓需求已經(jīng)高于0.7V,分壓值不能滿足三極管導通要求。

wKgZomVdi_uAcjgDAAD8u_km6hA642.png

三極管低溫時參數(shù)漂移驗證:

在常溫下用一塊沒有去掉分壓電阻的單板正常運行,用示波器測試/1V05_detect管腳,/1V05_detect信號為低電平,把示波器設(shè)置為上升沿觸發(fā)模式,然后用液氮開始對著三極管噴,只有幾秒的時間,/1V05_detect信號由低變?yōu)楦唠娖搅?,驗證了三極管在低溫時,參數(shù)發(fā)生漂移,Vbe導通門檻變高。

4、溫度導致器件損壞

對于后一種硬失效,失效的原因很離散,器件制造過程中多多少少存在難以完全避免的雜質(zhì)和缺陷,這些各種各樣的微小缺陷在器件運行期間逐漸生長擴展,當影響到器件外部功能時就導致了器件失效,溫度在缺陷的生長擴展中通常會起到加速的作用,經(jīng)常需要電應力的協(xié)同。

器件極限溫度承受能力是高壓線,超過后失效率劇增,使用中不允許超過。在極限溫度以內(nèi),器件失效率與溫度仍然強相關(guān),失效率隨著溫度升高而增加。

焊接和使用過程中溫度過高,導致BGA焊球開裂

wKgaomVdi_2APNqTAAU9t0rJUvk719.png

5、對系統(tǒng)的溫度進行測量、監(jiān)控、保護

有些處理器內(nèi)部有溫度傳感器,處理器內(nèi)部通過溫度傳感器來感測核心溫度,當前處理器的溫度傳感器采用數(shù)字溫度傳感器(Digital thermal sensor)。

在多核處理器中,intel集成多個DTS,用于監(jiān)控不同區(qū)域的溫度,每個區(qū)域的溫度數(shù)據(jù)可以通過MSR寄存器讀取。

數(shù)字溫度傳感器只在C0(normal operating)狀態(tài)時有效。

過溫也是通過數(shù)字溫度傳感器測試出來的,并且也在MSR寄存器中的一個比特位表現(xiàn)出來。

溫度傳感器的數(shù)值是單板進入TM1,TM2狀態(tài)的信息源。

我們還可以在關(guān)鍵點位增加溫度傳感器,來改善熱環(huán)境。當發(fā)現(xiàn)過溫了,進行告警、降頻、重啟等自動操作。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 傳感器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2573

    文章

    53839

    瀏覽量

    779509
  • mcu
    mcu
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    18369

    瀏覽量

    378500
  • 可靠性
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    274

    瀏覽量

    27366
  • MSR
    MSR
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    20

    瀏覽量

    8246
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    影響保護元器件可靠性以及保護響應時間的關(guān)鍵要素有哪些?

    影響保護元器件可靠性以及保護響應時間的關(guān)鍵要素?
    發(fā)表于 09-08 06:45

    CDM試驗對電子器件可靠性的影響

    在電子器件制造和應用中,靜電放電(ESD)是一個重要的可靠性問題。CDM(帶電器件模型)試驗是評估電子器件在靜電放電環(huán)境下的敏感度和可靠性
    的頭像 發(fā)表于 08-27 14:59 ?444次閱讀
    CDM試驗對電子<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>可靠性</b>的影響

    半導體可靠性測試恒溫箱模擬嚴苛溫度環(huán)境加速驗證進程

    在半導體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當下,芯片其性能與可靠性直接影響著各類電子設(shè)備的質(zhì)量與穩(wěn)定性。半導體可靠性測試恒溫箱作為模擬芯片苛刻工作環(huán)境的關(guān)鍵設(shè)備,在芯片研發(fā)與生產(chǎn)過程中發(fā)揮著作用。一、核心功能:模擬溫度
    的頭像 發(fā)表于 08-04 15:15 ?489次閱讀
    半導體<b class='flag-5'>可靠性</b>測試恒溫箱模擬嚴苛<b class='flag-5'>溫度</b>環(huán)境加速驗證進程

    可靠性設(shè)計的十個重點

    專注于光電半導體芯片與器件可靠性領(lǐng)域的科研檢測機構(gòu),能夠?qū)ED、激光器、功率器件等關(guān)鍵部件進行嚴格的檢測,致力于為客戶提供高質(zhì)量的測試服務,為光電產(chǎn)品在各種高可靠性場景中的穩(wěn)定應用提
    的頭像 發(fā)表于 08-01 22:55 ?546次閱讀
    <b class='flag-5'>可靠性</b>設(shè)計的十個重點

    器件可靠性領(lǐng)域中的 FIB 技術(shù)

    器件可靠性領(lǐng)域中的FIB技術(shù)在當今的科技時代,元器件可靠性至關(guān)重要。當前,國內(nèi)外元器件可靠性
    的頭像 發(fā)表于 06-30 14:51 ?399次閱讀
    元<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>可靠性</b>領(lǐng)域中的 FIB 技術(shù)

    電子元器件可靠性檢測項目有哪些?

    在電子信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天,從日常使用的智能終端到關(guān)乎國計民生的關(guān)鍵設(shè)備,電子元器件可靠性直接決定著整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性與安全。北京沃華慧通測控技術(shù)有限公司深耕電子測試測量領(lǐng)域多年,憑借深厚的技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 05-14 11:44 ?464次閱讀
    電子元<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>可靠性</b>檢測項目有哪些?

    提供半導體工藝可靠性測試-WLR晶圓可靠性測試

    無需封裝:熱阻低,允許施加更高溫度和大電流密度而不引入新失效機理;實時反饋:與工藝開發(fā)流程深度融合,工藝調(diào)整后可立即通過測試反饋評估可靠性影響;行業(yè)標準化:主流廠商均發(fā)布WLR技術(shù)報告,推動其成為工藝
    發(fā)表于 05-07 20:34

    電機微機控制系統(tǒng)可靠性分析

    針對性地研究提高電機微機控制系統(tǒng)可靠性的途徑及技術(shù)措施:硬件上,方法包括合理選擇篩選元器件、選擇合適的電源、采用保護電路以及制作可靠的印制電路板等;軟件上,則采用了固化程序和保護 RAM 區(qū)重要數(shù)據(jù)等
    發(fā)表于 04-29 16:14

    IGBT的應用可靠性與失效分析

    包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應、雪崩耐量、短路能力及功耗等,使用可靠性問題包括并聯(lián)均流、軟關(guān)斷、電磁
    的頭像 發(fā)表于 04-25 09:38 ?1802次閱讀
    IGBT的應用<b class='flag-5'>可靠性</b>與失效分析

    分立器件可靠性:從工業(yè)死機到汽車故障的隱形防線

    本文聚焦分立器件可靠性,指出35%電子設(shè)備失效源于選型不當。解析可靠性三大核心指標(標準認證、參數(shù)分析、實測驗證)及選型三大黃金法則,強調(diào)避免常溫參數(shù)忽視、盲目進口等誤區(qū)。合科泰器件
    的頭像 發(fā)表于 04-23 13:16 ?481次閱讀
    分立<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>可靠性</b>:從工業(yè)死機到汽車故障的隱形防線

    電機控制器電子器件可靠性研究

    控制器電子器件在儲存狀態(tài)下的可靠性。純分享帖,需要者可點擊附件獲取完整資料~~~*附件:電機控制器電子器件可靠性研究.pdf 【免責聲明】本文系網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻
    發(fā)表于 04-17 22:31

    半導體器件可靠性測試中常見的測試方法有哪些?

    半導體器件可靠性測試方法多樣,需根據(jù)應用場景(如消費級、工業(yè)級、車規(guī)級)和器件類型(如IC、分立器件、MEMS)選擇合適的測試組合。測試標準(如JEDEC、AEC-Q、MIL-STD)
    的頭像 發(fā)表于 03-08 14:59 ?1106次閱讀
    半導體<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>可靠性</b>測試中常見的測試方法有哪些?

    聚焦離子束技術(shù)在元器件可靠性的應用

    近年來,聚焦離子束(FocusedIonBeam,F(xiàn)IB)技術(shù)作為一種新型的微分析和微加工技術(shù),在元器件可靠性領(lǐng)域得到了廣泛應用,為提高元器件可靠性提供了重要的技術(shù)支持。元
    的頭像 發(fā)表于 02-07 14:04 ?577次閱讀
    聚焦離子束技術(shù)在元<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>可靠性</b>的應用

    可靠性溫度循環(huán)試驗至少需要幾個循環(huán)?

    暴露于預設(shè)的高低溫交替的試驗環(huán)境中所進行的可靠性試驗。熱循環(huán)試驗適用于揭示評估由剪切應力所引起的“蠕變-應力釋放”疲勞失效機理和可靠性,在焊點的失效分析和評價方面應
    的頭像 發(fā)表于 01-23 15:26 ?846次閱讀
    <b class='flag-5'>可靠性</b><b class='flag-5'>溫度</b>循環(huán)試驗至少需要幾個循環(huán)?

    微電子器件可靠性失效分析程序

    微電子器件可靠性失效分析程序
    的頭像 發(fā)表于 11-01 11:08 ?1990次閱讀
    微電子<b class='flag-5'>器件</b><b class='flag-5'>可靠性</b>失效分析程序