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開關(guān)電容轉(zhuǎn)換原理簡介

jf_pJlTbmA9 ? 來源:南芯半導(dǎo)體 ? 作者:南芯半導(dǎo)體 ? 2023-12-05 16:49 ? 次閱讀
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開關(guān)電容的歷史

隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,便攜設(shè)備已滲透到人們生活的各個(gè)方面。以手機(jī)為例,當(dāng)今社會生活已離不開手機(jī)的使用,從日常通訊到娛樂購物,甚至核酸檢測[此處有表情],不可否認(rèn),手機(jī)已經(jīng)成為了最重要的工具。

伴隨著手機(jī)的高強(qiáng)度使用,隨之而來的焦慮便是如何才能保證手中的手機(jī)有足夠長的續(xù)航時(shí)間?

這個(gè)問題也一直困擾著業(yè)界。目前主要的解決方案有兩個(gè)方向:1. 提升電池容量;2. 加快充電速度。

在提升電池容量方面,基礎(chǔ)材料技術(shù)的進(jìn)步相對緩慢,尚需要更多時(shí)間實(shí)現(xiàn)電池容量的突破。在充電速度方面,得益于芯片技術(shù)的迅猛發(fā)展,充電功率在過去不到10年的時(shí)間內(nèi)增長了幾十倍。使用習(xí)慣從之前的充電一晚上,到現(xiàn)在的20分鐘后又是一條好漢。從10年前5V/0.5A充電,到現(xiàn)在的150W甚至240W的充電功率[1],使得用戶的手機(jī)續(xù)航焦慮得到了極大的緩解。

說到手機(jī)充電功率的提升,不得不提到開關(guān)電容技術(shù)(Switched-Capacitor, Charge Pump)。

自150年前James Clark Maxwell 首次提出利用開關(guān)電容方法代替電阻的方法[2],在那之后開關(guān)電容主要還只用在模擬濾波器和小功率供電電路上,直到2017年,首顆充電用開關(guān)電容芯片才在手機(jī)中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)使用。在此之后,單顆開關(guān)電容芯片的功率從40W快速發(fā)展到如今的80W,同時(shí)也促進(jìn)了手機(jī)快充技術(shù)的急速發(fā)展。

開關(guān)電容的應(yīng)用

以常用的鋰電池充電為例,充電至少分為4個(gè)階段 [3],分別為涓流充電(Trickle Charge), 預(yù)充電(Pre-Charge), 恒流充電(Constant Current Charge)和恒壓充電(Constant Voltage Charge)。開關(guān)電容電路通常在恒流充電和部分恒壓充電階段啟用,以充分利用開關(guān)電容電路的高轉(zhuǎn)換效率優(yōu)勢。

典型的手機(jī)快充的應(yīng)用如圖2所示,開關(guān)電容組成的充電通道與傳統(tǒng)的Buck Charger并聯(lián),形成了一條獨(dú)立的電池充電通路以完成高效快速的充電。當(dāng)適配器不支持輸出電壓連續(xù)可調(diào)時(shí),Buck Charger可以支持最高18W的充電。若適配器滿足快充的要求,單顆開關(guān)電容電路可以支持從33W(SC8546)到80W(SC8571)的快速充電。

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(圖 2)

在應(yīng)用于快速充電之外,開關(guān)電容電路還可以作為電壓轉(zhuǎn)換電路以實(shí)現(xiàn)將電池電壓降壓或升壓后為母線供電。圖3是在手機(jī)供電系統(tǒng)中一種新穎的架構(gòu)。針對2s電池的手機(jī)系統(tǒng),開關(guān)電容電路可以將2s電池的高壓降低一半為系統(tǒng)(VSYS)供電,在充電時(shí)也可以將Buck Charger提供的VBAT充電電壓泵升兩倍為電池充電。這樣的架構(gòu)既可以保持與1s電池相同的主充電路以降低成本,又可以兼容SC8571的應(yīng)用實(shí)現(xiàn)2s高壓快充的效率。

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(圖 3)

開關(guān)電容的工作原理

接下來將以2:1的開關(guān)電容為例介紹其基本的工作原理。如下圖所示,最簡單的2:1開關(guān)電容電路至少由5個(gè)器件組成,其分別為開關(guān)管Q1~Q4和飛電容CFLY。

wKgaomVdjvGAY1rOAAGTBTthBaE242.png

(圖 4)

2:1開關(guān)電容有兩個(gè)工作模態(tài):

其一為Q1和Q3導(dǎo)通,VIN通過Q1/CFLY/Q3組成的充電通道為VOUT提供能量;

其二為Q2和Q4導(dǎo)通,CFLY為VOUT提供能量。

wKgaomVdjvOAZyZeAADB5u1kFPg459.jpg

(圖 5)

wKgZomVdjvSADnm7AAHt9LXi9RU198.png

(圖 6)

圖6為2:1開關(guān)電容電路工作時(shí)的電流和電壓示意圖,其中紅色的曲線為飛電容CFLY的電流波形。其在每個(gè)充放電周期內(nèi)都是指數(shù)的,時(shí)間常數(shù)近似為開關(guān)管的導(dǎo)通電阻乘以飛電容CFLY。值得注意的是充電電流在開關(guān)管動作后的一段時(shí)間內(nèi)充電是最多的,開關(guān)管導(dǎo)通的時(shí)間越長,其流通的電流越小,這一點(diǎn)是與Buck電路的顯著區(qū)別。

由于開關(guān)電容電路沒有電感,因此其不具備調(diào)整輸出電壓連續(xù)可調(diào)的能力,只能等比例的,如2:1/3:1/4:1等,實(shí)現(xiàn)降壓或升壓。因此,開關(guān)電路可以等效為帶輸出阻抗的直流變壓器,如圖7所示。

wKgaomVdjvaAGrbRAAG2NnTrOi8856.png

(圖 7)

輸出阻抗為什么在圖7中會用一顆電阻來表示?

因?yàn)殚_關(guān)電容其本身是可以等效為一顆電阻的,接下來將用一個(gè)更為簡單的電路來進(jìn)行說明。

wKgZomVdjveAGsgGAAFRGIpBRxo288.png

(圖 8)

如圖8所示的開關(guān)電路,其有兩個(gè)開關(guān)S1和S2,還有一顆用于能量傳遞的電容CFLY。假設(shè)S1和S2以頻率f交替導(dǎo)通,并且在CFLY兩端的電壓在S1和S2斷開前都已達(dá)到穩(wěn)態(tài),即在S1斷開前CFLY兩端的電壓為VIN,在S2斷開前CFLY兩端的電壓為VOUT。

那么,在一個(gè)開關(guān)周期內(nèi),CFLY傳遞的電荷為:

wKgaomVdjviAH26XAAAFBzX2adA344.png

由于S1和S2都是頻率f交替導(dǎo)通,根據(jù)電流的定義,其等效傳遞的電流為:

wKgaomVdjvmAce5sAAAHofDmGGs471.png

此開關(guān)電容電路的等效電阻為:

wKgZomVdjvqALyl1AAAHdu1T4aU945.png
wKgaomVdjvyAVw6wAAGCmrKD3u8618.png

(圖 9)

再回過頭重新看圖5中的開關(guān)電容的兩個(gè)工作狀態(tài),假設(shè)輸入VIN和輸出VOUT電壓在開關(guān)周期內(nèi)紋波很小或者保持不變,那么同樣可以利用式(1)-(3)來推導(dǎo)2:1開關(guān)電容電路的輸出阻抗。

需要說明的是,實(shí)際開關(guān)電容電路中,由于輸入輸出電壓和CFLY兩端的壓差在開關(guān)周期內(nèi)是有紋波變化的,且在工作狀態(tài)切換前CFLY兩端的電壓不一定可以進(jìn)入穩(wěn)態(tài),因此2:1開關(guān)電路輸出阻抗會復(fù)雜一些。(由于篇幅限制,將不在此詳細(xì)說明)

開關(guān)電容的優(yōu)勢

以上介紹了開關(guān)電容的工作原理,而高功率充電之所以選擇開關(guān)電容的拓?fù)渲饕且驗(yàn)橄啾扰cBuck Charger有明顯的效率優(yōu)勢。其主要原因?yàn)椋?/p>

沒有電感儲能,因此沒有電感引起的損耗

沒有電感續(xù)流,因此開關(guān)管沒有關(guān)斷損耗,二極管反向恢復(fù)損耗和死區(qū)損耗

由于開關(guān)管串聯(lián)工作,降低了寄生電容的壓降,進(jìn)一步降低了開通過程中產(chǎn)生的損耗

圖10為南芯SC8571的效率曲線,其峰值效率超過98.5%,相比于其他的充電拓?fù)?,開關(guān)電容展現(xiàn)了極大的效率優(yōu)勢。

wKgZomVdjv2AUCV0AABnLlSr10M286.png

(圖 10)

結(jié) 語

在如今這個(gè)對快充技術(shù)需求非常強(qiáng)烈的時(shí)代,開關(guān)電容電路通過其優(yōu)異的轉(zhuǎn)換效率在手機(jī)中獲得了大范圍的應(yīng)用,并已實(shí)現(xiàn)單顆充電80W的高功率。

本文通過對開關(guān)電容基本工作原理的簡介,說明了其工作特點(diǎn)和等效電路模型,并闡明了開關(guān)電容電路高轉(zhuǎn)換效率的原因。

【注釋】

[1] 公眾號文章:南芯助力-真我GT Neo3王者歸來,150W光速秒沖,全球首發(fā)

[2] G. C. Temes, U. -K. Moon and D. Allstot, "Switched-Capacitor Circuits [Education]," in IEEE Circuits and Systems Magazine, vol. 21, no. 4, pp. 40-42, Fourthquarter 2021, doi: 10.1109/MCAS. 2021.3118195.

[3]公眾號文章:南芯半導(dǎo)體SC89890H介紹

文章來源:南芯半導(dǎo)體

審核編輯 黃宇

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