chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

晶盛機(jī)電:8英寸碳化硅襯底片處于下游企業(yè)驗(yàn)證階段

微云疏影 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-11-23 11:00 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

11月22日,晶盛機(jī)電公司公布最新調(diào)查機(jī)要,2017年開(kāi)始碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備和技術(shù)的研發(fā),連續(xù)成功開(kāi)發(fā)出6英寸、8英寸碳化硅晶體和襯底片。晶盛機(jī)電公司是中國(guó)為數(shù)不多的能供應(yīng)8英寸襯底片的企業(yè)。在此之前,公司已建成6-8英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)、切片、拋光中試線,6英寸襯底片已通過(guò)許多下游企業(yè)的檢驗(yàn),實(shí)現(xiàn)大量銷(xiāo)售,8英寸襯底片正處于下游企業(yè)檢驗(yàn)階段。

晶盛機(jī)電指出,最近在公司舉行的每年25萬(wàn)6、5為8英寸碳化硅襯底片項(xiàng)目合同及啟動(dòng)儀式為半導(dǎo)體材料方向,加快關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān),國(guó)產(chǎn)化替代這一措施標(biāo)志著晶盛機(jī)電半導(dǎo)體材料的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力得到了進(jìn)一步提高。

半導(dǎo)體設(shè)備工作,晶盛機(jī)電公司基本上是8 - 12英寸大型設(shè)備的芯片實(shí)現(xiàn)了全體覆蓋及統(tǒng)一銷(xiāo)售,6英寸碳化硅外延設(shè)備的一次性銷(xiāo)售和快速實(shí)現(xiàn)訂單量增長(zhǎng)了單曲,成功8英寸芯片碳化硅外延增長(zhǎng)國(guó)際先進(jìn)水平的研究開(kāi)發(fā)了設(shè)備。實(shí)現(xiàn)了成熟穩(wěn)定的8英寸硅電石外延工程。此外,他還開(kāi)發(fā)了用于8至12英寸晶圓及封裝端的減薄設(shè)備、外延設(shè)備、LPCVD 設(shè)備、ALD 設(shè)備。

到2023年第三季度末為止,晶盛機(jī)電的設(shè)備訂單余額為287億50萬(wàn)元人民幣,其中半導(dǎo)體設(shè)備訂單余額為33億300萬(wàn)元人民幣。

在光伏裝備領(lǐng)域,晶盛機(jī)電產(chǎn)品包括硅晶片、電池和配件,并為顧客提供太陽(yáng)能綜合解決方案。在電池方面,開(kāi)發(fā)了兼用多種電池技術(shù)的管型裝置(PECVD、LPCVD、硼擴(kuò)散爐、退火爐等)。在零部件方面,公司開(kāi)發(fā)了包括板機(jī),板機(jī),邊框自動(dòng)供應(yīng)機(jī),粘合檢驗(yàn)機(jī)等多個(gè)工序的零部件設(shè)備生產(chǎn)線。

針對(duì)公司第五代單晶爐超導(dǎo)磁場(chǎng)產(chǎn)品優(yōu)勢(shì),晶盛機(jī)電公司表示,公司推出的第五代單晶路將大幅改善n型硅晶片質(zhì)量,提高生產(chǎn)能力。公司將大力引進(jìn)在半導(dǎo)體領(lǐng)域超導(dǎo)磁場(chǎng)中的應(yīng)用技術(shù)在太陽(yáng)能領(lǐng)域徹底進(jìn)行熱低氧n型晶體生長(zhǎng)工藝窗口5ppm以下的超低氧制造,徹底消除穩(wěn)定增長(zhǎng),提高同心圓;少子壽命;擴(kuò)大有效的電阻率范圍,使n型電池效率達(dá)到極限,再根據(jù)理論進(jìn)一步為顧客減少資本,分配能量,創(chuàng)造更高的價(jià)值。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體材料
    +關(guān)注

    關(guān)注

    11

    文章

    577

    瀏覽量

    30773
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    3421

    瀏覽量

    52061
  • 晶盛機(jī)電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    16

    瀏覽量

    3437
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    破局300mm!Wolfspeed碳化硅圓取得關(guān)鍵突破

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 美國(guó)東部時(shí)間2026年1月13日,全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)Wolfspeed公司宣布成功制造出單晶300毫米(12英寸碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-15 09:29 ?680次閱讀

    12英寸碳化硅外延片突破!外延設(shè)備同步交付

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 , 短短兩天內(nèi),中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)接連迎來(lái)重磅突破。12月23日,廈門(mén)瀚天天成宣布成功開(kāi)發(fā)全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅(SiC)外延晶片;次日,
    的頭像 發(fā)表于 12-28 09:55 ?1230次閱讀

    加速!12英寸碳化硅襯底中試線來(lái)了!

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 12英寸碳化硅再迎來(lái)跨越式進(jìn)展!9月26日,機(jī)電宣布,首條12英寸
    的頭像 發(fā)表于 09-29 08:59 ?4963次閱讀

    AR光波導(dǎo)+先進(jìn)封裝雙驅(qū)動(dòng),12英寸碳化硅靜待爆發(fā)

    替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介層,并最晚在2027年廣泛應(yīng)用。 ? 碳化硅過(guò)去的主力市場(chǎng)是功率器件,但功率器件市場(chǎng)需求增速存在瓶頸,從6英寸8英寸的進(jìn)程花費(fèi)時(shí)間較長(zhǎng),除了
    的頭像 發(fā)表于 09-26 09:13 ?6578次閱讀

    重大突破!12 英寸碳化硅圓剝離成功,打破國(guó)外壟斷!

    9月8日消息,中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所旗下的科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè),于近日在碳化硅圓加工技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破。該企業(yè)憑借自主研發(fā)的激光剝離設(shè)備,
    的頭像 發(fā)表于 09-10 09:12 ?1578次閱讀

    【新啟航】碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中表面粗糙度對(duì)結(jié)果的影響研究

    摘要 本文聚焦碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量過(guò)程,深入探究表面粗糙度對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響機(jī)制,通過(guò)理論分析與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,揭示表面粗糙度與測(cè)量誤差的關(guān)聯(lián),為優(yōu)化碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 08-18 14:33 ?558次閱讀
    【新啟航】<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b> TTV 厚度測(cè)量中表面粗糙度對(duì)結(jié)果的影響研究

    12英寸碳化硅襯底,會(huì)顛覆AR眼鏡行業(yè)?

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)今年以來(lái),各家廠商都開(kāi)始展示出12英寸SiC產(chǎn)品,包括錠和襯底,加速推進(jìn)12英寸SiC的產(chǎn)業(yè)化。最近,天成半導(dǎo)體宣布成功研制出12
    的頭像 發(fā)表于 07-30 09:32 ?1.2w次閱讀

    碳化硅圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?1057次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>晶</b>圓特性及切割要點(diǎn)

    12英寸SiC,再添新玩家

    科晶體也宣布成功研制差距12英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底,并同期研制成功12英寸N型碳化硅單晶襯底
    的頭像 發(fā)表于 05-21 00:51 ?7566次閱讀

    12英寸碳化硅襯底,又有新進(jìn)展

    尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸
    的頭像 發(fā)表于 04-16 00:24 ?2978次閱讀

    CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國(guó)產(chǎn)碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示

    )的壟斷與衰落 技術(shù)壟斷期:Wolfspeed(原CREE)曾長(zhǎng)期主導(dǎo)全球碳化硅襯底市場(chǎng),其物理氣相傳輸法(PVT)生長(zhǎng)技術(shù)及6英寸襯底工藝占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。2018年特斯拉采用
    的頭像 發(fā)表于 03-05 07:27 ?1385次閱讀
    CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>襯底</b>崛起的發(fā)展啟示

    三安光電與意法半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目通線

    三安光電和意法半導(dǎo)體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅圓合資制造廠(安意法半導(dǎo)體有限公司,簡(jiǎn)稱(chēng)安意法),全面落成后預(yù)計(jì)總投資約為230億元人民幣(約32億美元)。該合資廠
    的頭像 發(fā)表于 02-27 18:12 ?1696次閱讀

    機(jī)電:6-8 英寸碳化硅襯底實(shí)現(xiàn)批量出貨

    ? 【DT半導(dǎo)體】獲悉,2月21日,機(jī)電接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示,在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)復(fù)蘇的背景下,下游客戶逐步規(guī)劃實(shí)施擴(kuò)產(chǎn),公司原有8-12
    的頭像 發(fā)表于 02-22 15:23 ?1974次閱讀

    環(huán)球宣布:6英寸碳化硅襯底價(jià)格趨于穩(wěn)定

    近日,環(huán)球董事長(zhǎng)徐秀蘭表示,主流6英寸碳化硅(SiC)襯底的價(jià)格已經(jīng)穩(wěn)定,但市場(chǎng)反彈仍不確定。中國(guó)臺(tái)灣制造商正專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)8
    的頭像 發(fā)表于 02-19 11:35 ?993次閱讀

    碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

    多晶碳化硅和非碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱(chēng);而非
    的頭像 發(fā)表于 02-05 13:49 ?2077次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉積技術(shù)介紹