臺積電董事長劉德音昨日出席創(chuàng)辦人張忠謀獲頒李國鼎科技發(fā)展基金會第一屆「李國鼎獎」，媒體問及先進(jìn)制程設(shè)廠進(jìn)展時，他簡短回應(yīng)強(qiáng)調(diào)：「1.4納米會留在臺灣」。

先前外界屢傳臺積電1.4納米落腳桃園龍科三期，隨著龍?zhí)秷@區(qū)三期因私人土地征收爭議擴(kuò)大，依據(jù)反龍?zhí)犊茖W(xué)園區(qū)第三期擴(kuò)建案自救會連絡(luò)人張貴有說法，先前在新竹科學(xué)園區(qū)管理局、臺積電與自救會三方代表對談下，當(dāng)時臺積電已明確表示：「認(rèn)同在地鄉(xiāng)親愛護(hù)土地及家園的強(qiáng)烈情懷，決定放棄原欲在龍科的擴(kuò)廠計(jì)畫?！?/p>

臺積電在10月法說會前也明確指出，經(jīng)公司評估后，在現(xiàn)階段條件下不再考慮進(jìn)駐龍?zhí)秷@區(qū)三期，未來公司仍維持過去擴(kuò)廠步調(diào)，臺積電將持續(xù)與管理局合作評估臺灣適合半導(dǎo)體建廠的用地。

先進(jìn)工藝，競爭激烈

在臺積電推進(jìn)的同時，三星和英特爾也不甘落后。

首先看南韓三星電子，他們近期矢言要在2027年推出1.4納米芯片制造，超越臺積電和英特爾代工服務(wù)，也對按計(jì)劃在2025年生產(chǎn)2納米芯片充滿信心。知名電子媒體EDN報導(dǎo)，三星承諾量產(chǎn)1.4nm芯片大約需要4年時間，在此期間可能會發(fā)生很多事情。

三星1.4nm和2nm芯片都將采用今年發(fā)布的3nm芯片上率先采用的環(huán)繞式閘極（GAA）技術(shù)來制造。而對手臺積電和英特爾將在2納米制造從Fin場效電晶體（FinFET）過渡到GAA電晶體，分別于2025年和2024年商業(yè)量產(chǎn)。

在另一項(xiàng)重大設(shè)計(jì)改革中，三星計(jì)劃在1.4納米制造中加入額外的納米片，將納米片的數(shù)量從3個增加到4個。由于每個電晶體有更多的納米片，1.4納米芯片將增強(qiáng)開關(guān)能力和運(yùn)行速度。此外，更多的納米片將更好地控制電流，從而產(chǎn)生更少的熱量并減少漏電流。GAA電晶體透過在比finFET更小的電晶體中實(shí)現(xiàn)更高的速度來解決FinFET的限制。

三星長期以來在芯片制造一直落后臺積電，盡管如此，這仍然表明三星正全力參與競賽，并在大型晶圓廠的競爭中與臺積電較勁。

三星是第一個實(shí)施GAA電晶體的公司，然而，在不斷向更小制程進(jìn)軍的過程中，一直輸給臺積電和英特爾?，F(xiàn)在，GAA在1.4制程上的突破提供了落后臺積電的喘息空間。在臺積電持續(xù)強(qiáng)化研發(fā)和擴(kuò)點(diǎn)制造下，三星挑戰(zhàn)王者的目標(biāo)仍有很大的難度。

來到英特爾方面，《日經(jīng)亞洲》援引英特爾半導(dǎo)體集團(tuán)首席執(zhí)行官周二的言論稱，英特爾最先進(jìn)的芯片設(shè)計(jì)將于明年第一季度進(jìn)入測試生產(chǎn)階段。

該新聞媒體報道稱，英特爾首席執(zhí)行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）在臺灣舉行的一次會議上表示，這款名為 18A 的設(shè)備“目前有許多測試晶圓問世”?！度战?jīng)亞洲》稱，他還聲稱“18A 的發(fā)明階段已經(jīng)完成”，并補(bǔ)充說這家美國公司正在“競相生產(chǎn)”。

除了自己的產(chǎn)品外，英特爾還宣布 18A 制造技術(shù)還將用于電信設(shè)備制造商愛立信 (BS:ERICAs) 等外部客戶的芯片中。

這家總部位于加州的公司表示，其目標(biāo)是在 2025 年之前準(zhǔn)備好 18A 制造工藝，這一時間表與競爭對手三星和臺積電類似先進(jìn)芯片的生產(chǎn)計(jì)劃大致一致。

對英特爾來說，在先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域建立業(yè)務(wù)至關(guān)重要，特別是因?yàn)樗Ｍ屚顿Y者放心，盡管人工智能日益普及導(dǎo)致競爭加劇，但其關(guān)鍵的個人電腦和服務(wù)器業(yè)務(wù)仍將保持主導(dǎo)地位。