電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）繼SK海力士、三星之后，南京臺積電也被撤銷了豁免？

9月2日消息，美國商務(wù)部官員在近期通知臺積電，決定終止臺積電南京廠的所謂“經(jīng)過驗證的最終用戶”(VEU)地位，即撤銷了過去臺積電向南京工廠輸送受美國出口管制的半導體設(shè)備等的豁免權(quán)，意味著未來臺積電供應(yīng)商向南京工廠供應(yīng)半導體設(shè)備和其他相關(guān)產(chǎn)品時都需要單獨申請批準。

臺積電也證實，已接到美國政府通知，南京廠的VEU授權(quán)將會在2025年12月31日撤銷。

月產(chǎn)4萬片，營收150億，占比不足3%

臺積電南京廠（Fab 16）項目于2016年啟動，初期規(guī)劃投資30億美元建設(shè)12英寸晶圓廠，聚焦16nm制程，目標月產(chǎn)能2萬片。該工廠在2018年10月實現(xiàn)16nm量產(chǎn)，并在2020年達產(chǎn)，實現(xiàn)月產(chǎn)2萬片的初期產(chǎn)能目標。2021年，南京廠16nm晶圓月產(chǎn)達到2.5萬片。

在2021年的全球缺芯潮中，成熟制程產(chǎn)能嚴重緊缺，于是臺積電在2021年4月宣布投資28.87億美元在南京廠擴建28nm制程產(chǎn)能，新增月產(chǎn)4萬片。新增的產(chǎn)能在2022年下半年開始量產(chǎn)，并在2023年中達產(chǎn)。達產(chǎn)后，南京廠總產(chǎn)能達到月產(chǎn)6萬片以上。

根據(jù)臺積電2024年年報，臺積電南京廠去年營收約150億元，占臺積電總營收約2.4%。而近年來受到地緣政治等因素影響，臺積電南京廠也沒有新的擴產(chǎn)計劃。

臺積電表示，正在評估情況并與美國政府保持溝通，將全力確保南京廠的持續(xù)運作不受影響。美國商務(wù)部也承諾，將批準必要的許可證申請，以避免工廠停擺。鑒于南京廠主要生產(chǎn)16nm及以上成熟制程，且當前庫存和現(xiàn)有設(shè)備足以維持生產(chǎn)，短期內(nèi)產(chǎn)能利用率（目前接近100%）和輸出不會顯著下降。

盡管南京廠對臺積電營收影響不大，但在消息傳出后，臺積電主要的半導體設(shè)備供應(yīng)商，包括應(yīng)用材料、ASML、東電和科磊等股價跌幅都超過大盤。

年底撤銷VEU授權(quán)后，對臺積電南京廠的影響主要是進口設(shè)備、材料等可能受到逐案審查，導致設(shè)備進口延誤，增加運營成本和不確定性。特別是工廠維護、升級或更換設(shè)備時，需額外合規(guī)程序，這可能影響效率并抬高成本。

同時，這也基本將臺積電南京廠的定位固化，由于可能無法獲得新設(shè)備，或許未來該工廠難以像2021年這樣快速響應(yīng)市場需求增設(shè)產(chǎn)能，促使臺積電將產(chǎn)能加速轉(zhuǎn)移到海外。

SK海力士、三星同樣未能幸免

2022年，美國商務(wù)部針對中國實施嚴格的半導體出口管制，但為三星和SK海力士在中國的工廠，比如三星的西安廠和SK海力士的大連、無錫廠提供了VEU豁免。這允許它們無需逐案申請許可證，即可從美國供應(yīng)商（如應(yīng)用材料、KLA等）進口受管制的半導體設(shè)備、工具和材料，用于維護和升級工廠。

然而在8月底，美國商務(wù)部正式通知三星和SK海力士，將撤銷其VEU豁免，并在120天后生效。美國商務(wù)部在一份聲明中表示，美國政府計劃批準這些公司的現(xiàn)有設(shè)施運營許可申請，但不打算授予它們擴大產(chǎn)能或升級技術(shù)的許可。

值得一提的是，這次被撤銷VEU授權(quán)的，還包括SK海力士此前收購英特爾位于大連的存儲工廠。

韓國產(chǎn)業(yè)部表示，政府已向商務(wù)部“說明我們半導體公司在中國穩(wěn)定運營對全球半導體供應(yīng)鏈穩(wěn)定的重要性”。韓國外交部表示，首爾將繼續(xù)與華盛頓進行磋商以盡量減少對韓國公司的影響。

相比于臺積電南京廠，三星、SK海力士在中國大陸的產(chǎn)能占比要高得多。根據(jù)統(tǒng)計數(shù)據(jù)，截至今年三季度，三星西安工廠月產(chǎn)能達25 萬 - 26.5 萬片 12 英寸晶圓，占三星全球 NAND 閃存總產(chǎn)能的40%-42%。這一比例自 2024 年以來持續(xù)穩(wěn)定，主要得益于西安工廠二期和三期項目的持續(xù)擴產(chǎn)。

西安工廠是三星在全球范圍內(nèi)最大的NAND制造基地，在2023年獲得VEU豁免后，三星電子就在西安工廠投資升級工藝，計劃2024年引進236層NAND制造設(shè)備。

而無錫工廠也是SK海力士全球最大的DRAM制造基地，截至今年三季度，月產(chǎn)能約17萬片12英寸晶圓，占到SK海力士全球DRAM總產(chǎn)能的35%-40%。就在今年6月，SK海力士還與合資公司海太半導體簽署新合同，推進后端工藝升級和產(chǎn)能擴張。

但在VEU豁免被撤銷后，三星和SK海力士在中國大陸的產(chǎn)能擴張和制程升級可能會因此停滯。短期來看，制程上三星的高層數(shù)NAND制造設(shè)備已經(jīng)完成導入，產(chǎn)能較為穩(wěn)定；但SK海力士近期才傳出消息稱計劃提升無錫工廠DDR4晶圓投片規(guī)模，這可能需要新的設(shè)備導入，但在撤銷豁免節(jié)點前，仍有時間準備。

現(xiàn)在可以確定的是，三星和SK海力士位于中國的工廠，這些占全球產(chǎn)能比例非常大的工廠，產(chǎn)能和制程可能被限制在2025年當下的節(jié)點，未來擴產(chǎn)以及制程升級都很有可能會受到限制。

從中國市場的角度來看，隨著時間的推進以及技術(shù)升級，這將會有利于本土存儲芯片廠商，比如長存和長鑫可能會獲得更廣闊的市場機會。從全球的角度來看，兩家韓國存儲大廠的產(chǎn)能擴張，未來需要轉(zhuǎn)移到其他地區(qū)。

實際上，三星和SK海力士目前已經(jīng)分別在美國得州和印第安納州投資建廠。但人力成本和初期供應(yīng)鏈成本可能會較高，兩家公司也希望通過增強自動化比例來降低運營成本。

長期來看，韓國存儲巨頭的產(chǎn)能布局，可能會受到設(shè)備管制影響而逐步“去中國化”。但對于中國本土的存儲廠商來說，也將會是市場擴張的機會。

小結(jié)：

海外半導體廠商VEU豁免被陸續(xù)撤銷，表明美國希望加速半導體產(chǎn)能“去中國化”并“回流”。毫無疑問，這將導致半導體供應(yīng)鏈變得更加割裂，從全球化加速轉(zhuǎn)向區(qū)域化，分散的供應(yīng)鏈也會為半導體制造帶來更大的成本波動。長期來看，成本攀升、技術(shù)分化將會是全球半導體產(chǎn)業(yè)下個階段的特性。對于中國半導體產(chǎn)業(yè)，要應(yīng)對未來全球供應(yīng)鏈的變化，則需要更加高度的自主化，以保障本土供應(yīng)鏈安全。