2023年，中國化合物半導體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長領(lǐng)域，中國尤其獲得國際IDM的認可，導致產(chǎn)量大幅增長。此前中國碳化硅材料僅占全球約5%的產(chǎn)能，然而業(yè)界樂觀預計，2024年中國碳化硅晶圓在全球的占比有望達到50%。

天岳先進、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能，目前這些中國企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為6萬片。隨著各公司產(chǎn)能釋放，預計2024年月產(chǎn)能將達到12萬片，年產(chǎn)能150萬。

根據(jù)行業(yè)消息和市調(diào)機構(gòu)的統(tǒng)計，此前天岳先進、天科合達合計占據(jù)全球5%的市場份額，而全球四大碳化硅領(lǐng)先廠商的份額要大得多，其中Wolfspeed占比60%，Coherent占比15%，羅姆電子占比13%，SK Siltron占比5%。

業(yè)界稱，此前不少海外研究機構(gòu)對中國企業(yè)的制造能力表示懷疑，然而近期博世、意法半導體、英飛凌等都與中國企業(yè)簽訂碳化硅合約，足以證明中國在供應(yīng)鏈中的地位快速提升。

今年5月，天岳先進、天科合達兩大廠商均在其官微宣布，與國際半導體大廠英飛凌簽訂了供貨協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，天科合達和天岳先進將為英飛凌供應(yīng)用于生產(chǎn)SiC半導體的6英寸（150mm）碳化硅晶圓和晶錠，兩家企業(yè)的供應(yīng)量均將占到英飛凌未來長期預測需求的兩位數(shù)份額。未來也將提供200mm直徑碳化硅材料，助力英飛凌向200mm直徑晶圓的過渡。

今年6月，意法半導體在官網(wǎng)宣布，將同三安光電在中國重慶建立一個新的8英寸碳化硅器件合資制造廠。新的SiC制造廠計劃于2025年第四季度開始生產(chǎn)，預計將于2028年全面落成，屆時將更好地支持中國的汽車電氣化、工業(yè)電力和能源等應(yīng)用日益增長的需求。同時，三安光電將利用自有SiC襯底工藝，單獨建造和運營一個新的8英寸SiC襯底制造廠，以滿足該合資廠的襯底需求。

分析人士表示，目前全球市場主要使用150mm碳化硅晶圓，預計到2024年隨著制造商的擴產(chǎn)，產(chǎn)品價格將明顯下滑，這會給競爭力較弱的制造商帶來挑戰(zhàn)。

根據(jù)TrendForce集邦咨詢此前研究，從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來看，中國的SiC功率半導體產(chǎn)值以功率元件業(yè)（包含F(xiàn)abless、IDM以及Foundry）占比最高，達42.4%，接續(xù)為襯底片制造業(yè)及外延片制造業(yè)。

對于SiC襯底及外延材料環(huán)節(jié)，中國廠商已逐漸贏得海外領(lǐng)先業(yè)者的認可，尤其體現(xiàn)在外延片環(huán)節(jié)。須留意的是，在SiC晶體厚度與一致性指標上，本土廠商仍需付出諸多努力，以期實現(xiàn)在汽車電驅(qū)系統(tǒng)等更多高端場景中的應(yīng)用。當前中國正在展開大規(guī)模的SiC材料擴產(chǎn)行動，TrendForce集邦咨詢預估2023年中國N-Type SiC襯底產(chǎn)能（折合6英寸）可達1020Kpcs，其中以天科合達份額續(xù)居首位。

隨著新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等下游市場的快速爆發(fā)，中國的SiC功率元件市場規(guī)模正在迅速擴大。據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計，按2022年應(yīng)用結(jié)構(gòu)來看，光伏儲能為中國SiC市場最大應(yīng)用場景，占比約38.9%，接續(xù)為汽車、工業(yè)以及充電樁等。當然，汽車市場作為未來發(fā)展主軸，即將超越光伏儲能應(yīng)用，其份額至2026年有望攀升至60.1%。

在此情況下，中國已有約70家廠商切入SiC功率元件業(yè)務(wù)，整體市場進入高度競爭階段。尤其針對低階二極管，不少廠商深感無力而陸續(xù)退出，進一步聚焦凸顯核心競爭力的MOSFET業(yè)務(wù)。

再觀察SiC晶圓產(chǎn)線情況，據(jù)TrendForce集邦咨詢不完全統(tǒng)計，截至3Q23，中國已有約24家廠商涉足SiC晶圓制造。其中IDM廠商15家，7家實現(xiàn)量產(chǎn)；Foundry廠商9家，5家實現(xiàn)量產(chǎn)。以各家晶圓產(chǎn)能來看，三安光電與積塔半導體分別位居IDM與Foundry廠商首位。

整體來看，盡管中國SiC晶圓廠產(chǎn)能擴張的步伐仍在繼續(xù)，但有效的MOSFET產(chǎn)能并不理想。TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計2022年由中國廠商釋放的SiC MOSFET晶圓產(chǎn)能尚不足全球10%，不過這一情況預計自4Q23開始會有所好轉(zhuǎn)。

如今，無論是上游材料、晶圓代工廠、器件、封裝，國內(nèi)在SiC的各個細分供應(yīng)鏈環(huán)節(jié)都已有玩家在積極參與。但目前海外廠商在碳化硅領(lǐng)域仍占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢，國內(nèi)企業(yè)仍在起步階段，技術(shù)不斷追趕同時產(chǎn)能尚在爬坡。雖然市場產(chǎn)銷兩旺，但中國碳化硅功率器件仍處于早期階段，如何降低成本、穩(wěn)定質(zhì)量、提升良率，是國產(chǎn)碳化硅功率半導體大規(guī)模應(yīng)用的關(guān)鍵。