“基于碰撞電離率模型的平行平面結(jié)和晶閘管的研究”和“基于碰撞電離率模型的Miller公式S參數(shù)擬合”對(duì)平行平面結(jié)的雪崩擊穿電壓、碰撞電離率積分等進(jìn)行了討論，但作為IGBT器件的基本構(gòu)成結(jié)構(gòu)，PNPN四層結(jié)構(gòu)的碰撞電離與耐壓原理更為復(fù)雜。

本節(jié)就主要對(duì)PNPN四層結(jié)構(gòu)的晶閘管正向阻斷過(guò)程的機(jī)理進(jìn)行深入探討，嘗試解釋雪崩擊穿條件，并給出在MEDICI中對(duì)各個(gè)重要參數(shù)（如γ1β 1 ^*^ 、M p 、α 1 ）的較為準(zhǔn)確的提取方法，以及驗(yàn)證提取方法的正確性。

過(guò)去晶閘管被叫做硅控整流器（Silicon-controlled Rectifier）。單純的PNPN結(jié)構(gòu)無(wú)法控制，晶閘管加入了柵極因此它具有陽(yáng)極、陰極和柵極。晶閘管導(dǎo)通電流大，正反都可耐高壓。

因此此次研究對(duì)象為單純的PNPN四層Shockley二極管結(jié)構(gòu)，其等效電路如下圖1所示：

圖1 晶閘管及其等效電路

晶閘管內(nèi)部載流子的分布模型

表1 / 各電流成分的符號(hào)和定義

當(dāng)陽(yáng)極加上一定的電壓時(shí)，如圖2所示，J1結(jié)與J3結(jié)基本上處于零偏狀態(tài)，外加電壓幾乎全部加在了J2結(jié)上，此時(shí)隨著外加電壓的增大，J2結(jié)耗盡區(qū)逐步擴(kuò)大，其內(nèi)部的載流子運(yùn)動(dòng)如圖所示：

圖2 Shockley二極管PNPN結(jié)構(gòu)在正向阻斷時(shí)的內(nèi)部各種電流成分的傳輸過(guò)程

阻斷態(tài)下晶閘管內(nèi)部載流子的解析分析

圖3 空穴流補(bǔ)充電子流的簡(jiǎn)化圖

正向阻斷時(shí)的雪崩擊穿條件的確定

圖4 各種條件下的電流所占的成分

圖5 穩(wěn)定條件與雪崩條件

如圖5中的虛線所示，虛線下方的其他區(qū)域（黃色區(qū)域）為建立穩(wěn)定電流的條件。