貫穿設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的質(zhì)量和可靠性測試驗(yàn)證，是安森美零偏移零失效（ZeroExcursion，ZeroDefect）目標(biāo)下的重要手段。相對于硅基器件，目前市場上沒有完全成熟的SiC可靠性評估方法，而它更為嚴(yán)苛的應(yīng)用環(huán)境下要求必須結(jié)合具體應(yīng)用建立失效模型。SiC通常需要解決以下難題：襯底和外延的缺陷水平、柵極氧化物可靠性測試、體二極管退化、高壓阻斷(HTRB) 期間的可靠性、與應(yīng)用相關(guān)的性能(雪崩強(qiáng)固性、邊緣端接、短路、宇宙射線耐受性、高dv/dt 耐受性設(shè)計(jì)、浪涌電流)。以柵氧可靠性為例，安森美的可靠性驗(yàn)證方法主要步驟為控制- 改進(jìn) -測試和篩選 -表征 -驗(yàn)證和提取模型。

SiC助力OBC實(shí)現(xiàn)更高的能效和功率密度。隨著汽車市場向800V高壓系統(tǒng)發(fā)展，SiC在高壓下的低阻抗、高速等優(yōu)勢將更能體現(xiàn)。安森美為汽車OBC提供優(yōu)秀的車規(guī)級IGBT和SiCMOSFET解決方案，采用先進(jìn)的封裝技術(shù)，具有小占位、超低導(dǎo)通電阻的優(yōu)點(diǎn)，滿足OBC對更高壓、更高功率、更高能效、更好散熱性和更高可靠性的需求。

安森美提供各種基于集成磁耦合無芯變壓器的隔離式柵極驅(qū)動器，適合開關(guān)速度非常高并存在系統(tǒng)尺寸限制的應(yīng)用，并且能夠可靠地控制SiMOSFET。目前，行業(yè)采用的隔離技術(shù)有傳統(tǒng)光耦、磁耦和容耦三種，安森美在磁耦和容耦技術(shù)上都有相應(yīng)的產(chǎn)品布局，具有很低的傳播延遲與極短的死區(qū)時間。除了大功率器件外，安森美還提供其他外圍的輔助器件，一起形成完整的解決方案。

安森美新款1200VFS7IGBT具有開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗低的特點(diǎn)，可在高達(dá)175℃的結(jié)溫（TJ）下工作。FS7器件的低開關(guān)損耗可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，從而減少磁性元件的尺寸，提高功率密度并降低系統(tǒng)成本。此外，安森美最新的T10 硅 MOSFET相對于T6/T8具有更小的尺寸，且具有更高的性能，基于屏蔽柵極溝槽技術(shù)，具有更低的導(dǎo)通電阻(RDSon)、更低的柵極電荷和固有的類似緩沖器的功能，可減少過沖并最大限度地降低振鈴。

汽車電子電氣架構(gòu)由分布式向域控制式轉(zhuǎn)變，設(shè)計(jì)中需要考慮使用eFuse和SmartFET實(shí)現(xiàn)診斷和保護(hù)功能。eFuse將保護(hù)和開關(guān)功能集成到單個小尺寸封裝中，以提供更先進(jìn)的保護(hù)功能，包括故障情況下更快速、更準(zhǔn)確的響應(yīng)。安森美的高邊SmartFET和低邊SmartFET能執(zhí)行多種功能，包括用作智能保險(xiǎn)絲，并在區(qū)域控制器中保護(hù)電源，能實(shí)現(xiàn)更簡單及高性價(jià)比的結(jié)構(gòu)，并可根據(jù)不同的需求而擴(kuò)展。