氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維GaN器件、高電子遷移率等特點(diǎn)，用于制造高頻、高功率密度和高效率的功率電子器件。GaN功率器件技術(shù)在多個(gè)領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用前景，可以提高系統(tǒng)效率、減小體積，并推動(dòng)電力電子技術(shù)的發(fā)展。

近日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇開幕大會(huì)上。英諾賽科歐洲總經(jīng)理Denis Macron分享了《具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技術(shù)》的主題報(bào)告，GaN功率器件使功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（AC/DC、DC/DC等）比硅功率器件更小、更高效、更簡(jiǎn)單，從而更便宜，從而徹底改變了功率半導(dǎo)體行業(yè)。然而，關(guān)于GaN功率器件仍然存在一些問題，比如它們非常昂貴，可靠性值得懷疑。

報(bào)告介紹了通過利用規(guī)模經(jīng)濟(jì)，8英寸高通量制造晶圓廠完全致力于生產(chǎn)硅晶片上的8英寸GaN（即，相對(duì)于6英寸，每片晶片約2倍的器件），可以提供具有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的GaN功率器件。

同時(shí)介紹了innoscience的最新可靠性結(jié)果，包括失效測(cè)試和壽命提取，這將消除關(guān)于GaN功率器件可靠性的最后一個(gè)懸而未決的問題。通過展示如何利用離散（InnoGaN) 和集成（SolidGaN) Innoscience GaN功率器件增強(qiáng)了AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器的性能，以最大限度地提高其效率，同時(shí)減小其尺寸。

審核編輯：劉清