半導體制造業(yè)依賴復雜而精確的工藝來制造我們需要的電子元件。其中一個過程是晶圓清洗，這個是去除硅晶圓表面不需要的顆粒或殘留物的過程，否則可能會損害產品質量或可靠性。RCA清洗技術能有效去除硅晶圓表面的有機和無機污染物，是一項標準的晶圓清洗工藝。

RCA清洗工藝是美國無線電公司開發(fā)的一種濕化學工藝，涉及一系列連續(xù)步驟，以達到進一步加工準備晶圓表面，并保持其完整性。

RCA工藝需要專注于成本效率、可靠性和清潔度，以及用于精確過程控制的設備設計。設備必須易于使用并提供可重復的工藝，同時滿足工廠濕法工藝要求的特定要求。

了解濕臺工藝中的RCA工藝

RCA清洗的核心是一個三步清潔工藝，旨在有效清潔硅晶圓。每個步驟都針對不同類型的污染物，例如有機殘留物、自然氧化物薄層，最后是離子污染。

在RCA清潔的第一階段，通常稱為標準清潔1(SC-1)，混合物包含：1份NH4OH（氫氧化銨），1份H2O2（過氧化氫），5份去離子(DI)水。

SC-1解決方案可有效去除有機殘留物，同時形成一層薄薄的二氧化硅涂層，為晶圓表面提供額外的保護。第二步是用去離子水沖洗以除去SC-1溶液。接下來，浸入鹽酸和去離子水的混合物中，去除第一步中形成的薄氧化層。隨后，標準清潔2(SC-2)開始。

此步驟有助于去除金屬離子并再次形成薄的二氧化硅層。該過程最后進行另一次沖洗，并最終浸入加熱至80℃的去離子水中，以去除任何殘留物。

RCA清洗對于實現(xiàn)半導體制造的清潔度、一致性和過程控制至關重要。然而，RCA Clean 的有效性取決于所使用設備的可靠性。這意味著使用能夠有效支持RCA清潔并確保工藝工程師獲得準確且可重復結果的設備。

濕式工作臺如何促進RCA清潔

濕式工作臺經(jīng)過精心設計，可增強RCA清潔工藝并緩解工藝工程師遇到的一些挑戰(zhàn)。濕式工作臺使用的材料需要能夠耐受使用RCA清洗過程中使用的化學品，這樣可以確保設備不受清潔溶液的影響，從而實現(xiàn)不間斷的過程和更長的使用壽命。為了限制空氣流動和顆粒物的沉積，濕式工作臺需要盡可能地減少顆粒污染，確保清潔度。

濕式工作臺需要具有先進的過程控制自動化功能，對溫度、清潔時間和清潔溶液濃度等過程變量進行高精度控制，這樣可以確保RCA的清潔效果，同時也節(jié)省時間并避免了人為錯誤。

將兆聲波清洗與RCA清洗相結合

一般會我們通過使用兆聲波清潔來進一步提高RCA清潔工藝的效果。兆聲波清洗利用液體介質中的高頻聲波產生微小的空化氣泡。當這些微小氣泡破裂時，它們會產生局部沖擊波，從而有效地去除硅晶圓表面的污染物。兆聲波清洗與RCA工藝相結合，可以增強硅片清洗工藝，提供創(chuàng)建具有微觀幾何形狀的高質量半導體器件所需的精度。

結論

半導體制造中對細致且一致的晶圓清潔的需求至關重要，RCA清潔方法與兆聲波清潔相結合，為確保晶圓的清潔度提供了有效的解決方案。

審核編輯：湯梓紅