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當(dāng)選中國(guó)科學(xué)院院士的劉勝,是國(guó)內(nèi)芯片封裝技術(shù)的引領(lǐng)者

傳感器專家網(wǎng) ? 來(lái)源:長(zhǎng)江日?qǐng)?bào) ? 作者:長(zhǎng)江日?qǐng)?bào) ? 2023-12-12 17:33 ? 次閱讀
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11月22日,2023年兩院院士增選當(dāng)選院士名單揭曉,武漢地區(qū)新增5名院士。其中,武漢大學(xué)動(dòng)力與機(jī)械學(xué)院劉勝教授成功當(dāng)選中國(guó)科學(xué)院院士。

武漢大學(xué)官網(wǎng)顯示,劉勝為武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院執(zhí)行院長(zhǎng)、動(dòng)力與機(jī)械學(xué)院院長(zhǎng)、微電子學(xué)院副院長(zhǎng),主要研究方向?yàn)楣に嚵W(xué)在微電子、光電子、LED、MEMS傳感器電力電子等領(lǐng)域應(yīng)用,寬禁帶半導(dǎo)體生長(zhǎng)在線實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)科學(xué)裝置,增材制造集成在線監(jiān)測(cè)科學(xué)裝置,MEMS/NEMS,系統(tǒng)封裝與集成,可靠性等。

劉勝(中)在實(shí)驗(yàn)室

劉勝早期研究航空復(fù)合材料結(jié)構(gòu)力學(xué)和設(shè)計(jì)方法,成績(jī)斐然;在國(guó)外求學(xué)時(shí)認(rèn)識(shí)到國(guó)家在芯片封裝領(lǐng)域的落后現(xiàn)狀和預(yù)感未來(lái)發(fā)展需要,毅然轉(zhuǎn)入新興的芯片封裝領(lǐng)域。2006年放棄美國(guó)終身教職回國(guó),已為國(guó)內(nèi)培養(yǎng)博碩士130余人,為改變我國(guó)芯片封裝技術(shù)受制于人的局面做出了突出貢獻(xiàn)。

主持完成國(guó)家重大科研儀器研制項(xiàng)目

今年9月,國(guó)家自然科學(xué)基金委工程與材料科學(xué)部組織專家,由三位院士領(lǐng)銜的國(guó)家自然科學(xué)基金委項(xiàng)目驗(yàn)收專家組,在武漢對(duì)劉勝教授主持的國(guó)家重大科研儀器研制項(xiàng)目(部門推薦)“薄膜生長(zhǎng)缺陷跨時(shí)空尺度原位/實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)與調(diào)控實(shí)驗(yàn)裝置”進(jìn)行了結(jié)題驗(yàn)收。專家組一致同意項(xiàng)目通過(guò)結(jié)題驗(yàn)收,并表示具有突出的原創(chuàng)性。

這項(xiàng)原創(chuàng)性突破可提升半導(dǎo)體芯片質(zhì)量。據(jù)介紹,半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程十分復(fù)雜,主要包括硅片制造、集成電路設(shè)計(jì)、前道工藝和后道工藝四大環(huán)節(jié)數(shù)十道至數(shù)百道工藝?!氨∧どL(zhǎng)”、光刻、蝕刻等依次皆屬于前道工藝。

劉勝接受長(zhǎng)江日?qǐng)?bào)記者采訪時(shí)表示,“薄膜生長(zhǎng)”采用傳統(tǒng)的化學(xué)沉積方式容易產(chǎn)生污染和缺陷,影響半導(dǎo)體質(zhì)量和性能。而這套實(shí)驗(yàn)裝置引入超快激光,可以對(duì)整個(gè)“薄膜生長(zhǎng)”過(guò)程中的缺陷進(jìn)行監(jiān)測(cè)和調(diào)控。

劉勝團(tuán)隊(duì)將半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)裝備及測(cè)試裝備集成設(shè)計(jì)和制造,攻克多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)難題,設(shè)備真空互聯(lián),避免人為因素及外部環(huán)境對(duì)生長(zhǎng)材料造成的不良影響,顯著提高生長(zhǎng)材料的質(zhì)量。

今年10月,在武漢大學(xué)舉辦的2023新工科論壇上,劍橋大學(xué)的英國(guó)皇家科學(xué)院院士、皇家工程院院士John Robertson接受長(zhǎng)江日?qǐng)?bào)記者采訪時(shí)這樣評(píng)價(jià):高端芯片制造是科技高速發(fā)展的瓶頸,而薄膜生長(zhǎng)則是高端芯片制造及集成電路領(lǐng)域的基礎(chǔ)。劉勝教授這一成果不僅突出研究的原創(chuàng)性和科學(xué)價(jià)值,更是能幫助解決基礎(chǔ)科學(xué)問(wèn)題,是推動(dòng)集成電路領(lǐng)域發(fā)展的關(guān)鍵基礎(chǔ)和重要階梯。

倡導(dǎo)成立工業(yè)科學(xué)研究院,推動(dòng)武大新工科建設(shè)

今年10月26日至27日,武漢大學(xué)舉辦2023新工科論壇。劉勝教授既是“傳統(tǒng)工學(xué)—新工科”的親歷者,又是學(xué)科交叉的踐行者。他認(rèn)為,人類當(dāng)前正面臨著以人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)為核心的第四次技術(shù)革命,促進(jìn)了工學(xué)與其他學(xué)科的交叉融合,如生物學(xué)、經(jīng)濟(jì)學(xué)、管理學(xué)等,這些學(xué)科的交叉融合為工學(xué)專業(yè)的發(fā)展提供了新的思路和方法。著力培養(yǎng)未來(lái)新興產(chǎn)業(yè)和新經(jīng)濟(jì)需要的、實(shí)踐能力強(qiáng)、創(chuàng)新能力強(qiáng)的高素質(zhì)復(fù)合型新工科人才已成為目前世界科技發(fā)展的重要舉措。

在劉勝教授積極倡導(dǎo)下,2017年,武漢大學(xué)成立了聚焦新工科教育的獨(dú)立科研機(jī)構(gòu)——工業(yè)科學(xué)研究院,并于2022年聘請(qǐng)毛明院士兼任院長(zhǎng),這是促進(jìn)武漢大學(xué)新工科建設(shè)的重要舉措。

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研究院定位于面向國(guó)家戰(zhàn)略行業(yè)和支柱產(chǎn)業(yè)對(duì)高端制造裝備的重大需求,站在芯片與激光制造的國(guó)際學(xué)術(shù)前沿,開(kāi)展高端制造裝備的應(yīng)用基礎(chǔ)理論和共性技術(shù)研究。其目標(biāo)是建設(shè)成為國(guó)家芯片與激光制造領(lǐng)域重要的應(yīng)用基礎(chǔ)研究、高端裝備研發(fā)與應(yīng)用、高層次人才培養(yǎng)、國(guó)際學(xué)術(shù)合作與交流基地。

武漢大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究院成立6年來(lái),取得了一系列令人矚目的成績(jī):

——面向國(guó)家重大需求和國(guó)際前沿,開(kāi)展基礎(chǔ)理論與科技創(chuàng)新研究,承擔(dān)項(xiàng)目134項(xiàng),實(shí)到經(jīng)費(fèi)3.1億元。

——獲得國(guó)家級(jí)與省部級(jí)科技獎(jiǎng)7項(xiàng):2020年度國(guó)家科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)1項(xiàng)、教育部技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)1項(xiàng)、中國(guó)電子學(xué)會(huì)技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)1項(xiàng)、湖北省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)1項(xiàng)、湖南省科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)2項(xiàng)等。

——發(fā)表學(xué)術(shù)論文511篇,其中SCI收錄論文504篇,實(shí)現(xiàn)Science正刊論文的突破(2篇),Nature/Science子刊10篇;出版專著7部,其中英文著作5部。

——授權(quán)發(fā)明專利174項(xiàng),專利轉(zhuǎn)讓141項(xiàng),成果轉(zhuǎn)化1.98億元;成果孵化高新技術(shù)企業(yè)5家。

最驚艷的成果是兩項(xiàng)“0”到“1”的突破:劉勝教授以第一作者牽頭完成的“高可靠性封裝關(guān)鍵技術(shù)及成套工藝”,支撐我國(guó)電子制造跨越式發(fā)展,榮獲2020年度國(guó)家科技進(jìn)步一等獎(jiǎng);其二就是前面提到的國(guó)家基金委重大儀器專項(xiàng)——國(guó)際上首臺(tái)薄膜生長(zhǎng)缺陷跨時(shí)空尺度的原位/實(shí)時(shí)測(cè)量與調(diào)控關(guān)鍵部件及綜合科學(xué)實(shí)驗(yàn)裝置通過(guò)國(guó)家驗(yàn)收。

劉勝簡(jiǎn)介:

劉勝,1963年3月出生,斯坦福大學(xué)博士,ASME會(huì)士和IEEE會(huì)士,微納制造領(lǐng)域?qū)<?,?guó)內(nèi)芯片封裝技術(shù)的引領(lǐng)者,在微納制造科學(xué)與工程技術(shù)方面(涉及集成電路、發(fā)光二極管(LED)、微傳感器及電力電子IGBT等芯片封裝)取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。以第一完成人獲2020年國(guó)家科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎(jiǎng)、2016年國(guó)家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)、2015年教育部技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)、2018年電子學(xué)會(huì)技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)、2009年IEEE國(guó)際電子封裝學(xué)會(huì)杰出技術(shù)成就獎(jiǎng)(全球每年1人,國(guó)內(nèi)首人)、2009年中國(guó)電子學(xué)會(huì)特別成就獎(jiǎng)、1997年國(guó)際微電子及封裝學(xué)會(huì)(IMAPS)技術(shù)貢獻(xiàn)獎(jiǎng)、1995年美國(guó)總統(tǒng)教授獎(jiǎng)(當(dāng)年30人),1999年入選首批國(guó)家杰青(海外)項(xiàng)目(當(dāng)年僅7人)。發(fā)表SCI論文424篇、SCI他引6600余次,出版專著6部(英文4部),授權(quán)發(fā)明專利196件。

審核編輯 黃宇

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