華為在2023年4月6日提交了一項(xiàng)“裸芯片、芯片及電子元器件”的發(fā)明專(zhuān)利，并于同年12月8日收到了專(zhuān)利授權(quán)通知書(shū)，公告編號(hào)為CN220155945U。

據(jù)專(zhuān)利概述內(nèi)容顯示，此項(xiàng)專(zhuān)利屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域。其設(shè)計(jì)是由襯底、有源層、波導(dǎo)層及緩沖結(jié)構(gòu)疊加組成。其中，有源層介于襯底與波導(dǎo)層之間，波導(dǎo)層為脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，而緩沖結(jié)構(gòu)則覆蓋于脊波導(dǎo)之上。這種設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)裸芯片焊盤(pán)和脊波導(dǎo)在裸芯片長(zhǎng)度方向上位置錯(cuò)開(kāi)，有效地縮小了裸芯片的寬度以及整體尺寸，提高單個(gè)晶圓的產(chǎn)率，降低了裸芯片的制造成本，使得包含裸芯片的電子元器件成本得以下降，增強(qiáng)了產(chǎn)品在市場(chǎng)中的競(jìng)爭(zhēng)力。