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擴(kuò)展 IGBT7 產(chǎn)品組合,實(shí)現(xiàn)bast-in-Class功率密度

英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ? 2023-12-11 17:31 ? 次閱讀
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我們已經(jīng)介紹過(guò)關(guān)于采用標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝的1200V TRENCHSTOP IGBT7 S7加EC7二極管續(xù)流產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)。

秉承"越多越好"的宗旨,英飛凌最近拓展了 IGBT7和EC7技術(shù)的產(chǎn)品系列,其新封裝形式一定程度上豐富了其市場(chǎng)價(jià)值主張。圖1顯示了目前可用的分立產(chǎn)品組合,重點(diǎn)如下:

1.

采用TO-247 PLUS封裝可實(shí)現(xiàn)高功率密度,可用于商用車(chē)和農(nóng)用車(chē)(CAV)的輔助和主牽引驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用

2.

完整產(chǎn)品組合:在相同外形尺寸下,電流從8A到120A不等

3.

拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)靈活,例如開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī) (SRM)的驅(qū)動(dòng)器,可以通過(guò)TO-247 PLUS不帶續(xù)流二極管的IGBT串聯(lián)外接二極管實(shí)現(xiàn)

4.

40A這一常用型號(hào)采用了TO-247-4封裝的開(kāi)爾文發(fā)射極引腳,開(kāi)通損耗明顯降低,滿足高開(kāi)關(guān)頻率的苛刻應(yīng)用要求

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圖1:英飛凌1200V IGBT7 S7分立式TO系列產(chǎn)品組合(點(diǎn)擊圖片可放大查看)

讓我們重點(diǎn)討論一下TO-247 PLUS封裝--但首先要問(wèn)幾個(gè)問(wèn)題。

1.

您的功率變換系統(tǒng)是否需要滿足針對(duì)變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD)的嚴(yán)格要求?

2.

您想讓您的變頻器毫不費(fèi)力地獲得更高的額定功率嗎?

3.

您的VFD設(shè)計(jì)中是否并聯(lián)了多個(gè)器件?

如果答案全部是肯定的,那么,TO-247 PLUS封裝就是為您量身打造的!

我聽(tīng)起來(lái)像個(gè)推銷(xiāo)員,對(duì)嗎?那么,讓我們通過(guò)一些仿真和實(shí)驗(yàn)室測(cè)試來(lái)揭開(kāi)這些說(shuō)法的神秘面紗。如果您下載了1200V IGBT7 S7 PLECS模型,并在B6兩電平三相逆變器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中運(yùn)行......結(jié)果是,使用最新發(fā)布的IKQ120N120CS7器件,您可以將輸出功率提高約120%(見(jiàn)圖2)!

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圖2:與標(biāo)準(zhǔn)TO-247相比,1200V IGBT7 S7 PLUS 封裝的功率密度有所提高。

條件:800 VDC,散熱器溫度=100°C,cos(φ)=1,mindex=1,fout=50 Hz,RG與數(shù)據(jù)手冊(cè)值一致

芯片的不斷縮小和電流密度的不斷提高一直是功率變換器設(shè)計(jì)關(guān)注的問(wèn)題。人們普遍擔(dān)憂,新一代芯片盡管具有更高的電流密度,但由于散熱設(shè)計(jì)更具挑戰(zhàn),新器件可能無(wú)法在實(shí)際工況中實(shí)現(xiàn)期待的輸出功率。但圖3澄清了這種擔(dān)憂,與前幾代產(chǎn)品相比,新一代IKW75N120CS7的輸出電流性能更為出色。

因此,如果我是一名推銷(xiāo)員,我只需要說(shuō),測(cè)試結(jié)果表明,新型1200V TRENCHSTOP IGBT7 S7和EC7二極管的損耗降低,抵消了更高電流密度導(dǎo)致的散熱設(shè)計(jì)的難點(diǎn)。此外,測(cè)試結(jié)果表明,IKW75N120CS7具有更高的輸出電流,可以輕松替代兩個(gè)40A級(jí)的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品(工作在相同的 dV/dt),而英飛凌以前的產(chǎn)品(如 IKQ75N120CT2)則不具備這一能力。是時(shí)候更換了!

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圖3:IKQ75N120CS7在三相兩電平直流-交流變換器 IGBT和二極管應(yīng)用中的測(cè)試結(jié)果對(duì)比--內(nèi)部和外部競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。(點(diǎn)擊圖片可放大查看)

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