硅光子是一種光子集成電路，經(jīng)過幾十年的發(fā)展，硅光子學(xué)已經(jīng)取得了重大進展，從最初的高約束波導(dǎo)發(fā)展到戰(zhàn)略性地結(jié)合CMOS工業(yè)的材料、集成和封裝技術(shù)，最終在收發(fā)器領(lǐng)域確立了主導(dǎo)地位。硅光子學(xué)為需要大容量可擴展性的應(yīng)用提供了一個通用的平臺。將硅光子學(xué)擴展到可見光譜具有未來發(fā)展的可能性，提供了廣泛的創(chuàng)新應(yīng)用。硅光子學(xué)的領(lǐng)域并不局限于單一的襯底或材料。用于光子集成的各種材料平臺，如薄膜LiNbO3(TFLN)、SiN、BTO、GaAs等，已經(jīng)證明了它們的潛力。

近期，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。期間，“化合物半導(dǎo)體激光器與異質(zhì)集成技術(shù)分會”上，九峰山實驗室顧問Thomas Collins做了”SOI+SiN平臺上III-V集成的考慮因素“的主題報告，分享了硅光子學(xué)及其變體、SiN的不同“特色”、SiN‘first’和III-V，SiN‘中間’和III-V等研究內(nèi)容。

光纖傳感詢問機、潛在成本節(jié)約、CWDM、LWDM和DWDM收發(fā)器、微波光子學(xué)、光學(xué)陀螺儀等領(lǐng)域的需求。給SOI、SiN和III-V的發(fā)展帶來了機遇，報告中介紹了SiN介質(zhì)SiNSOI和III-V，閃爍/LETI方法實現(xiàn)“Si中間”和III-V，“包層問題”和轉(zhuǎn)移打印，SiN介質(zhì)應(yīng)用示例等研究進展，以及九峰山實驗室的狀況。

報告指出，SOI、SOI和SiN以及SOI和III-V工藝平臺目前已批量上市，未來“獲勝”的SiP平臺可能是SOI、SiN和III-V?！癝iN優(yōu)先”和SOI和III-V層，“原則上”最簡單的整合路線需要多個晶片接合步驟，100nm SiN需要非常厚的氧化物?！癝iN介質(zhì)”和SOI和III-V需求，“硅填充”層，一個高質(zhì)量、低溫的頂部包層OR，轉(zhuǎn)移打印用于III-V集成。九峰山實驗室研發(fā)中心和工藝中心正在研究最佳解決方案。

審核編輯：劉清