近日，國內(nèi)知名存儲器制造企業(yè)佰維科技股份有限公司(以下簡稱“佰維”)欣然宣告，其在DRAM技術領域取得了重要突破——成功研發(fā)并量產(chǎn)了符合CXL 2.0規(guī)范的CXL DRAM內(nèi)存擴展模塊。這不僅對于我國信息技術創(chuàng)新有著重大意義，更是對于全球存儲器市場產(chǎn)生了積極影響。

據(jù)了解，佰維此次發(fā)布的CXL DRAM內(nèi)存擴展模塊，秉承了其一貫的尖端技術理念，采用EDSF(即E3.S)外觀設計。該款產(chǎn)品的杰出之處在于其內(nèi)存容量可以達到驚人的96GB級別，并且支持PCIe 5.0x8接口，這樣就使得理論帶寬高達32GB/s。值得一提的是，這款產(chǎn)品還可以和那些支持CXL規(guī)范以及E3.S接口的背板和服務器主板進行直接連接，從而能夠有效地提升服務器的內(nèi)存容量和帶寬。

佰維作為國內(nèi)領先的存儲器解決方案提供商，一直致力于推動信息技術創(chuàng)新，為客戶提供高性能、高可靠性的存儲器產(chǎn)品。在過去的幾年里，佰維在DRAM技術方面投入了大量的資源和精力，取得了豐碩的成果。這次的新品發(fā)布，正是其持續(xù)不斷科技創(chuàng)新的又一重要體現(xiàn)。

此次成功推出符合CXL 2.0規(guī)范的CXL DRAM內(nèi)存擴展模塊，不僅標志著我國信息產(chǎn)業(yè)在DRAM技術領域實現(xiàn)了新的飛躍，也將有力地推動全球存儲器市場的發(fā)展。由于該模塊能夠與支持CXL規(guī)范的其他設備無縫連接，將會促使更多應用場景下的數(shù)據(jù)處理速度得到顯著提升，進而推動商業(yè)模式的轉型和升級。

對于我們來說，此次佰維公司的CXL DRAM內(nèi)存擴展模塊的成功研發(fā)及其量產(chǎn)，無疑是我國信息技術領域自主創(chuàng)新的又一重要里程碑。它不僅展示了我國在DRAM技術領域的強大實力，更為我國信息技術產(chǎn)業(yè)在國際舞臺上贏得了更高的聲譽。佰維科技股份有限公司的領導層表示，他們將繼續(xù)加大力度推進信息科技的創(chuàng)新步伐，以滿足日益增長的市場需求和客戶期望。