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      富士電機將投2000億日元提高功率半導體產(chǎn)能

      第三代半導體產(chǎn)業(yè) ? 來源：第三代半導體產(chǎn)業(yè) ? 2023-12-29 10:22 ? 次閱讀
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      據(jù)日經(jīng)新聞消息，日本富士電機(Fuji Electric)將在2024～2026年度的3年內(nèi)向半導體領(lǐng)域投資2000億日元（折合人民幣約100億元）規(guī)模。

      重點將放在用于純電動汽車(EV)電力控制等的功率半導體上，計劃在日本國內(nèi)工廠新建碳化硅(SiC)功率半導體的生產(chǎn)線，提高產(chǎn)能。

      意在抓住不斷擴大的需求，帶動下一個增長。與此前用作半導體材料的硅相比，碳化硅在高硬度和耐久性方面表現(xiàn)突出，能夠承受高電壓和高電流。









      審核編輯：劉清

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      原文標題：押寶SiC！富士電機將投2000億日元提高功率半導體產(chǎn)能

      文章出處：【微信號：第三代半導體產(chǎn)業(yè)，微信公眾號：第三代半導體產(chǎn)業(yè)】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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