一、前言：KLEVV科賦實(shí)力推出高頻內(nèi)存

在DDR4年代，芝奇與阿斯加特成功完成逆襲，從原先的落落無(wú)名轉(zhuǎn)變?yōu)槿缃袷艿綇V大DIY玩家追捧的內(nèi)存廠商。

最近幾年，有一家名為KLEVV科賦的廠商也開(kāi)始強(qiáng)勢(shì)崛起。

本次我們就收到了他們送測(cè)的KLEVV科賦CRAS V RGB 7600MT/s內(nèi)存。

大部分DDR5內(nèi)存在6000MHz的頻率時(shí)，電壓就上到了1.35V，而KLEVV科賦CRAS V RGB 7600MT/s內(nèi)存在7600MHz的高頻下，電壓也僅僅只有1.4V，同時(shí)還將內(nèi)存時(shí)序控制在36-46-46-86 CR2。

這其中，tTAS時(shí)序僅為86，比常見(jiàn)的高頻內(nèi)存低了30以上，另外還有一個(gè)平常容易被忽視的Trfc參數(shù)，科賦非常激進(jìn)地將這個(gè)數(shù)字壓到了607，比起常見(jiàn)的高頻內(nèi)存低了200左右。

這也讓KLEVV科賦CRAS V RGB 7600MT/s內(nèi)存有了更加出色的讀寫(xiě)帶寬，以及更低的延遲。

在做工和選材方面，KLEVV科賦CRAS V RGB 7600MT/s內(nèi)存采用了海力士A-Die顆粒，這是當(dāng)前超頻能力最強(qiáng)的DDR5內(nèi)存顆粒。

為了控制好溫度，KLEVV科賦CRAS V RGB 7600MT/s內(nèi)存還設(shè)計(jì)了2mm厚的鋁合金散熱片，在科賦的調(diào)校下，即便是將內(nèi)存超頻到8000MHz甚至更高的頻率，內(nèi)存溫度也只有60度，因此玩家到手后可以放心超頻。

當(dāng)然，作為電競(jìng)內(nèi)存條，RGB也不可或缺。科賦在內(nèi)存的PCB板上集成了一顆ENE 6K5830UA0芯片，用于控制燈效，可以實(shí)現(xiàn)神光同步，也能讓玩家自由設(shè)置RGB燈效。

二、圖賞：2mm厚鋁材散熱片

CRAS V RGB DDR5內(nèi)存沒(méi)有過(guò)于花哨外觀設(shè)計(jì)，內(nèi)存采用黑色PCB板，上面覆蓋著厚度為2mm的深灰色鋁合金散熱片，整體看上去非常沉穩(wěn)而有質(zhì)感。

頂部的導(dǎo)光條上有KLEVV字樣。

2mm厚的鋁合金散熱板材，散熱相當(dāng)給力。

三、性能測(cè)試：輕松超頻8000MT/s 延遲53ns

測(cè)試平臺(tái)配置如下：

1、內(nèi)存帶寬測(cè)試

這是在BIOS全默認(rèn)的情況下測(cè)得的數(shù)據(jù)，此時(shí)內(nèi)存頻率為4800MHz，時(shí)序?yàn)?0-40-40-76 CR2，內(nèi)存的讀取、寫(xiě)入和復(fù)制帶寬分別為75774MB/s、68359MB/S、69408MB/s，內(nèi)存的延遲則為89.1ns。

直接在BIOS開(kāi)啟XMP模式，內(nèi)存運(yùn)行在7600MHz頻率，時(shí)序36-46-46-86 CR2，默認(rèn)電壓1.4V。

此時(shí)的內(nèi)存的讀取、寫(xiě)入和復(fù)制帶寬分別為113GB/s、98217MB/S、101685MB/s，提升了21-28%不等，延遲降低到了65.8ns。

2、超頻與穩(wěn)定性測(cè)試

加壓到1.50V，將內(nèi)存頻率拉到8000MHz，時(shí)序不變，測(cè)試結(jié)果如下：

8000MHz頻率下，讀取速度120GB/s，寫(xiě)入101GB/s，復(fù)制103GB/s，延遲僅63.1ns，

但KLEVV科賦CRAS V RGB 7600MT/s內(nèi)存的潛力遠(yuǎn)不止如此，我們停止提升頻率，開(kāi)始優(yōu)化時(shí)序和小參，并保持1.5V電壓不變。

最終時(shí)序?yàn)?6-46-46-56CR2，在rRAS從86降到56的同時(shí)還大幅優(yōu)化tWRWRSG、tREFI、tRDRDSG tRDRDD等參數(shù)，最終測(cè)得的數(shù)據(jù)為讀取125GB/s、寫(xiě)入120GB/s、復(fù)制118GB/s，延遲大幅度降低到53.9ns，比默認(rèn)時(shí)序足足降低了10ns之多。

如果有足夠的時(shí)間，再優(yōu)化一下小參，或許能將延遲壓到50ns以內(nèi)。

3、超頻穩(wěn)定性測(cè)試

KLEVV科賦CRAS V RGB 7600MT/s內(nèi)存的Trfc參數(shù)僅為607，我們未做調(diào)整。

根據(jù)以往我們的測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，大部分高頻內(nèi)存條的Trfc值一般都超過(guò)700甚至達(dá)到了800左右，這個(gè)數(shù)字越高，內(nèi)存越穩(wěn)定，但讀寫(xiě)帶寬和延遲會(huì)有一定的損失。

KLEVV科賦CRAS V RGB 7600MT/s內(nèi)存將Trfc壓到了607，顯示了科賦對(duì)于產(chǎn)品穩(wěn)定性的信心。

我們使用MemtestPro 4.3測(cè)試了超頻后的穩(wěn)定性，總計(jì)測(cè)試了44分鐘，進(jìn)度115%，0錯(cuò)誤。

在穩(wěn)定性測(cè)試時(shí)，內(nèi)存最高功耗接近7W，最高溫度僅有61.5度，對(duì)于和內(nèi)存而言，70度一下都是非常安全的溫度。

當(dāng)然，由于607的Trfc值過(guò)于激進(jìn)，也許在個(gè)別平臺(tái)上會(huì)存在穩(wěn)定性的問(wèn)題，如果遇到這個(gè)問(wèn)題，建議你適當(dāng)調(diào)整一下Trfc數(shù)值。

四、總結(jié)：新一代真香條當(dāng)之無(wú)愧！

目前能在8000MHz頻率上通過(guò)穩(wěn)定性測(cè)試內(nèi)存真沒(méi)有多少，即便有一些特挑過(guò)的內(nèi)存能通過(guò)此項(xiàng)測(cè)試，但時(shí)序和內(nèi)存電壓并不好看。

KLEVV科賦CRAS V RGB 7600MT/s內(nèi)存多少給了我們一點(diǎn)驚喜，在1.5V的電壓下，我們將其超頻到8000MHz，并且將時(shí)序壓低到36-46-46-56 CR2，Trfc值更是只有607，最終不負(fù)眾望通過(guò)了內(nèi)存穩(wěn)定性測(cè)試。

在這個(gè)頻率以及時(shí)序下，它的讀取帶寬可以達(dá)到125GB/s，延遲更是低至53.5ns，在2mm鋁合金散熱片的壓制下，內(nèi)存烤機(jī)溫度也僅有60度。

在游戲性能方面，當(dāng)內(nèi)存頻率從4800MHz提升到7600MHz時(shí)，游戲幀率提升了15%左右，而繼續(xù)提升到8000MHz并且延遲控制在53ns時(shí)，游戲的幀率則能提升22%。

要知道RTX 4090對(duì)比RTX 4080，性能提升幅度也是20%左右。

KLEVV科賦CRAS V RGB 7600MT/s 16GBx2套條目前售價(jià)為1869元，這個(gè)價(jià)格與大部分7200/7600MT/s內(nèi)存相當(dāng)。

考慮到它極強(qiáng)的超頻能力以及散熱性能，同時(shí)RGB燈效也是可圈可點(diǎn)，我們將會(huì)在年底評(píng)獎(jiǎng)活動(dòng)中授予其“編輯選擇獎(jiǎng)”。

新一代真香條當(dāng)之無(wú)愧！

審核編輯：湯梓紅