GD32F10x系列復(fù)位控制包括三種復(fù)位：電源復(fù)位、系統(tǒng)復(fù)位和備份域復(fù)位。電源復(fù)位為冷復(fù)位，電源啟動(dòng)時(shí)復(fù)位除了備份域的所有系統(tǒng)。電源和系統(tǒng)復(fù)位的過(guò)程中，NRST會(huì)維持一個(gè)低電平，直至復(fù)位結(jié)束。MCU無(wú)法執(zhí)行起來(lái)時(shí)，可以通過(guò)示波器監(jiān)測(cè)NRST管腳波形來(lái)判斷芯片是否有一直發(fā)生復(fù)位事件。 芯片內(nèi)部集成POR/ PDR(上電/掉電復(fù)位)電路，用于檢測(cè)電源并在電壓低于閾值時(shí)產(chǎn)生電源復(fù)位信號(hào)復(fù)位除備份域之外的整個(gè)芯片。GD32F1中flash容量不超過(guò)128KB的GD32F103產(chǎn)品，VPOR表示上電復(fù)位的閾值電壓，典型值約為2.4V，VPDR表示掉電復(fù)位的閾值電壓，典型值約為2.35V，遲滯電壓Vhyst值約為50mV。flash容量大于128KB的GD32F103產(chǎn)品，VPOR表示上電復(fù)位的閾值電壓，典型值約為2.4V，VPDR表示掉電復(fù)位的閾值電壓，典型值約為1.8V，遲滯電壓Vhyst值約為600mV。

注意：適用于GD32F101及flash容量不超過(guò)128KB的GD32F1產(chǎn)品。

注意：適用于flash容量大于128KB的GD32F103產(chǎn)品。LVD的功能是檢測(cè)VDD/VDDA供電電壓是否低于低電壓檢測(cè)閾值(2.2 V~2.9V)，該閾值由電源控制寄存器中的LVDT[2:0]位進(jìn)行配置。LVD通過(guò)LVDEN置位使能，位于電源狀態(tài)寄存器中的LVDF位表示低電壓事件是否出現(xiàn)，該事件連接至EXTI的第16線，用戶可以通過(guò)配置EXTI的第16線產(chǎn)生相應(yīng)的中斷。遲滯電壓Vhyst值為100mV。LVD應(yīng)用場(chǎng)合：當(dāng)MCU電源受到外部干擾時(shí)，如發(fā)生電壓跌落，我們可通過(guò)LVD設(shè)置低電壓檢測(cè)閾值，一旦跌落到該閾值，LVD中斷被打開(kāi)，可在中斷函數(shù)里設(shè)置軟復(fù)位等操作，避免MCU發(fā)生其他異常。

另外，MCU復(fù)位源可以通過(guò)查詢寄存器RCU_RSTSCK來(lái)判斷，該寄存器只有上電復(fù)位才能清除標(biāo)志位，所以在使用過(guò)程中，獲取到復(fù)位源后，可通過(guò)RSTFC控制位清除復(fù)位標(biāo)志，那樣發(fā)生看門(mén)狗復(fù)位或其他復(fù)位事件時(shí)，才能較準(zhǔn)確在RCU_RSTSCK寄存器中體現(xiàn)出來(lái)：

MCU內(nèi)部集成有上電/掉電復(fù)位電路，在設(shè)計(jì)外部復(fù)位電路時(shí)，NRST管腳必須要放置一個(gè)電容，確保NRST管腳上電能產(chǎn)生一個(gè)至少20us的低脈沖延時(shí)，完成有效上電復(fù)位過(guò)程。

注意：1，內(nèi)部上拉電阻RPU = 40kΩ，建議接外部上拉電阻10kΩ即可，以使得電壓干擾不會(huì)導(dǎo)致芯片工作異常；2. 若考慮靜電等影響，可在NRST管腳處放置ESD保護(hù)二極管；3. 盡管MCU內(nèi)部有硬件POR電路，仍推薦外部加NRST復(fù)位阻容電路；4. 如果MCU啟動(dòng)異常，可適當(dāng)增加NRST對(duì)地電容值，拉長(zhǎng)MCU復(fù)位完成時(shí)間，避開(kāi)上電異常時(shí)序區(qū)。