chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

”芯“成果——碳化硅上生長的超高遷移率半導(dǎo)體外延石墨烯

jf_87590668 ? 來源:jf_87590668 ? 作者:jf_87590668 ? 2024-01-09 09:45 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

2024年1月3日,一篇名為《碳化硅上生長的超高遷移率半導(dǎo)體外延石墨烯》(Ultrahigh-mobility semiconducting epitaxial graphene on silicon carbide)研究論文發(fā)表在《Nature》上。該項(xiàng)科技成果是由天津大學(xué)的納米顆粒與納米系統(tǒng)國際研究中心主導(dǎo)(Tianjin International Center for Nanoparticles and Nanosystems,簡稱TICNN),與佐治亞理工學(xué)院物理學(xué)院的科研團(tuán)隊(duì)共同合作完成。

wKgZomWcq6CAIYu5AAMSkPNvEgI300.png

TICNN目前主要研究領(lǐng)域涉及石墨烯電子學(xué)及其它二維材料的相關(guān)物理、化學(xué)和材料科學(xué)研究以及團(tuán)簇物理研究和相關(guān)的科研儀器研發(fā)。

自從2004年單層石墨烯被分離出來起,關(guān)于二維石墨烯的研究爆炸性增長。石墨烯具有非常優(yōu)異的性質(zhì)(首個被發(fā)現(xiàn)可在室溫下穩(wěn)定存在的由單層原子或分子組成的晶體,具有優(yōu)異的光學(xué)、電學(xué)、力學(xué)特性),在材料學(xué)、微納加工、能源、生物醫(yī)學(xué)和藥物傳遞等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景,被認(rèn)為是一種未來革命性的材料,然而其零帶隙特性使得它在電子元件中的應(yīng)用受到了限制??蒲腥藛T用20年時間終于成功地攻克了長期以來阻礙石墨烯電子學(xué)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)難題——打開了石墨烯帶隙!

外延石墨烯是一種超高純石墨烯,它是在感應(yīng)加熱爐中將碳化硅單晶加熱到高溫后在碳化硅表面生長形成的。外延石墨烯納米電子學(xué)可充分利用電子的波動性,因此極有可能成為未來量子計(jì)算硬件制造所需的理想材料。同時,外延石墨烯電子學(xué)器件還具有遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)硅電子學(xué)器件的功耗(具有比硅高10倍的遷移率),及顯著提高的運(yùn)行速度。其最為工業(yè)界矚目的一大特點(diǎn)是外延石墨烯納米電子學(xué)器件可在傳統(tǒng)器件工藝基礎(chǔ)上稍加改進(jìn)即直接投入生產(chǎn),無需再額外開發(fā)全新的制備工藝。因此,外延石墨烯納米電子學(xué)器件具有極大的實(shí)用價(jià)值和推廣潛力。

碳化硅上生長的外延石墨烯制成的功能半導(dǎo)體,可以應(yīng)用于更小、更快的電子設(shè)備,并可能用于量子計(jì)算。因此,這一突破被認(rèn)為是開啟了“石墨烯納米電子學(xué)”大門,是石墨烯芯片制造領(lǐng)域的重要里程碑!

《參考消息》評價(jià)——根本性變革或?qū)⒌絹恚?/p>

佐治亞理工學(xué)院的Walt de Heer說——這是“萊特兄弟時刻”!

wKgaomWcq6yAKWi1AAB8WbLD0c4453.png

對此你怎么看,歡迎評論區(qū)討論!

【END】

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    462

    文章

    53193

    瀏覽量

    454043
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    29582

    瀏覽量

    252348
  • 石墨烯
    +關(guān)注

    關(guān)注

    54

    文章

    1611

    瀏覽量

    83274
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

    一、引言 碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料,其總厚度偏差(TTV)是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響,其中
    的頭像 發(fā)表于 09-18 14:44 ?359次閱讀
    【新啟航】<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>外延</b>片 TTV 厚度與<b class='flag-5'>生長</b>工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究

    從襯底到外延碳化硅材料的層級躍遷與功能分化

    碳化硅襯底和外延片是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的兩個關(guān)鍵組件,盡管兩者均由碳化硅材料構(gòu)成,但在功能定位、制備工藝及應(yīng)用場景等方面存在顯著差異。以下是具體分析:定義與基礎(chǔ)作用不同
    的頭像 發(fā)表于 09-03 10:01 ?750次閱讀
    從襯底到<b class='flag-5'>外延</b>:<b class='flag-5'>碳化硅</b>材料的層級躍遷與功能分化

    半導(dǎo)體外延和薄膜沉積有什么不同

    半導(dǎo)體外延和薄膜沉積是兩種密切相關(guān)但又有顯著區(qū)別的技術(shù)。以下是它們的主要差異:定義與目標(biāo)半導(dǎo)體外延核心特征:在單晶襯底生長一層具有相同或相似晶格結(jié)構(gòu)的單晶薄膜(
    的頭像 發(fā)表于 08-11 14:40 ?888次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體外延</b>和薄膜沉積有什么不同

    碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)

    01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過晶體
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:00 ?632次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點(diǎn)

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的崛起與技術(shù)突
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?628次閱讀

    碳化硅半導(dǎo)體中的作用

    電導(dǎo)、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力、高擊穿電場和高飽和電子漂移速度等物理特性。這些特性使得碳化硅能夠承受高溫、高壓、高頻等苛刻環(huán)境,同時保持較高的電學(xué)性能。 二、碳化硅半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?2065次閱讀

    用于半導(dǎo)體外延生長的CVD石墨托盤結(jié)構(gòu)

    襯底的關(guān)鍵組件,其結(jié)構(gòu)和性能對外延片的質(zhì)量具有決定性影響。本文將詳細(xì)介紹一種用于半導(dǎo)體外延生長的CVD石墨托盤結(jié)構(gòu),探討其設(shè)計(jì)特點(diǎn)、工作原理及在
    的頭像 發(fā)表于 01-08 15:49 ?364次閱讀
    用于<b class='flag-5'>半導(dǎo)體外延</b>片<b class='flag-5'>生長</b>的CVD<b class='flag-5'>石墨</b>托盤結(jié)構(gòu)

    鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延生長裝置

    一、引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,碳化硅(SiC)作為一種具有優(yōu)異物理和化學(xué)性質(zhì)的材料,在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。高質(zhì)量、大面積的SiC外延片是實(shí)現(xiàn)高性能SiC
    的頭像 發(fā)表于 01-07 15:19 ?423次閱讀
    鐘罩式熱壁<b class='flag-5'>碳化硅</b>高溫<b class='flag-5'>外延</b>片<b class='flag-5'>生長</b>裝置

    減少減薄碳化硅紋路的方法

    碳化硅(SiC)作為一種高性能半導(dǎo)體材料,因其出色的熱穩(wěn)定性、高硬度和高電子遷移率,在電力電子、微電子、光電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。在SiC器件的制造過程中,碳化硅片的減薄是一個重要環(huán)
    的頭像 發(fā)表于 01-06 14:51 ?392次閱讀
    減少減薄<b class='flag-5'>碳化硅</b>紋路的方法

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37

    高溫大面積碳化硅外延生長裝置及處理方法

    碳化硅(SiC)作為一種具有優(yōu)異物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長是實(shí)現(xiàn)高性能SiC器件制造的關(guān)鍵環(huán)
    的頭像 發(fā)表于 01-03 15:11 ?382次閱讀
    高溫大面積<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>外延</b><b class='flag-5'>生長</b>裝置及處理方法

    8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結(jié)構(gòu)

    隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來一段時間內(nèi)的主流尺寸,其外延
    的頭像 發(fā)表于 12-31 15:04 ?398次閱讀
    8英寸單片高溫<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>外延</b><b class='flag-5'>生長</b>室結(jié)構(gòu)

    溝槽結(jié)構(gòu)碳化硅外延填充方法

    一、引言 溝槽結(jié)構(gòu)碳化硅外延填充方法是指通過在碳化硅襯底形成的溝槽內(nèi)填充高質(zhì)量的外延層,以實(shí)現(xiàn)器件的電學(xué)和熱學(xué)性能要求。這一過程中,不僅
    的頭像 發(fā)表于 12-30 15:11 ?504次閱讀
    溝槽結(jié)構(gòu)<b class='flag-5'>碳化硅</b>的<b class='flag-5'>外延</b>填充方法

    碳化硅的未來發(fā)展趨勢

    源轉(zhuǎn)換 碳化硅材料的高電子遷移率和高熱導(dǎo)率使其在電力電子領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。特別是在高功率轉(zhuǎn)換器中,碳化硅器件能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率和更小的體積。隨著電動汽車和可再生能源技術(shù)的發(fā)展,對高效能源轉(zhuǎn)換的需求日益增長,
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:32 ?1221次閱讀

    碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢,其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)使其成為新一代高性能半導(dǎo)體材料的佼佼者。以下是對碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:30 ?1293次閱讀