Si上 AIN 和 GaN 的濺射外延(111)

濺射外延是一種低成本工藝，適用于沉積III族氮化物半導(dǎo)體，并允許在比金屬-有機(jī)氣相外延（MOVPE）更低的生長溫度下在大襯底區(qū)域上沉積。介紹了用反應(yīng)磁控濺射法在Si（111）襯底上外延生長的高質(zhì)量AlN、AlGaN和GaN，并給出了工藝參數(shù)的詳細(xì)信息。在高純度環(huán)境中使用基于氨的反應(yīng)濺射工藝，可以在扭曲和傾斜方面以與最佳MOVPE生長樣品相當(dāng)?shù)母呓Y(jié)晶質(zhì)量生長AlN，并且具有非常低的表面粗糙度，沒有濺射AlN和凹坑的典型柱狀結(jié)構(gòu)。

下一代顯示器的Micro-LED集成技術(shù)

基于III-V族化合物半導(dǎo)體的無機(jī)微發(fā)光二極管（micro-LED）已被廣泛研究用于自發(fā)射顯示器。從芯片到應(yīng)用，集成技術(shù)在微型LED顯示器中發(fā)揮著不可或缺的作用。例如，大規(guī)模顯示器依賴于分立器件管芯的集成來實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展的微型LED陣列，而全色顯示器需要在同一基板上集成紅色、綠色和藍(lán)色的微型LED單元。此外，與晶體管或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體電路的集成對于控制和驅(qū)動微型LED顯示系統(tǒng)是必要的。在這篇綜述文章中，我們總結(jié)了微型LED顯示器的三種主要集成技術(shù)，即轉(zhuǎn)移集成、鍵合集成和生長集成。概述了這三種集成技術(shù)的特點(diǎn)，并討論了集成微型LED顯示系統(tǒng)的各種策略和挑戰(zhàn)。

化學(xué)刻蝕法制備金屬超疏水表面及其應(yīng)用研究進(jìn)展

本文從以下幾個方面綜述了MSHPS的作用機(jī)制和研究現(xiàn)狀。首先，提出了潤濕理論模型，然后討論了化學(xué)蝕刻法制備MSHPS的進(jìn)展。其次，介紹了MSHPS在自清潔、防冰、耐腐蝕、減阻、油水分離等方面的應(yīng)用。最后，總結(jié)了MSHPS在當(dāng)前應(yīng)用中遇到的挑戰(zhàn)，并討論了未來的研究方向。

關(guān)鍵詞：金屬、超疏水表面、化學(xué)蝕刻、低粘附性、自清洗、Micro-LED、下一代顯示器、集成技術(shù)、硅、氮化鎵

審核編輯 黃宇