chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

國產碳化硅外延設備供應商納設智能開啟上市輔導

CHANBAEK ? 來源:網絡整理 ? 2024-02-05 14:03 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,中國證券監(jiān)督管理委員會(證監(jiān)會)披露了關于深圳市納設智能裝備股份有限公司(以下簡稱“納設智能”)首次公開發(fā)行股票并上市輔導備案報告。這一消息引起了業(yè)界的廣泛關注,標志著納設智能在資本市場邁出了重要一步。

納設智能是一家致力于第三代半導體碳化硅(SiC)外延設備、石墨烯等先進材料制造裝備的研發(fā)、生產、銷售和應用推廣的高新技術企業(yè)。自2018年10月成立以來,納設智能始終堅持自主創(chuàng)新,突破了多項關鍵技術,成功研發(fā)出具有國際領先水平的第三代半導體SiC高溫化學氣相沉積外延設備。

這款設備作為第三代半導體SiC芯片生產的核心環(huán)節(jié)——外延生長的關鍵設備,具有工藝指標優(yōu)異、耗材成本低、維護頻率低等優(yōu)勢,是中國首臺完全自主創(chuàng)新的SiC外延設備。其成功研發(fā)不僅填補了國內市場的空白,也打破了國外技術的壟斷,為我國第三代半導體產業(yè)的發(fā)展提供了有力支撐。

經過多年的市場開拓和技術積累,納設智能在6英寸SiC外延設備領域取得了顯著的成績。截至2023年8月,公司已累計獲得10+個客戶超過150臺設備訂單,訂單金額累計數(shù)億元。這一成績充分體現(xiàn)了納設智能在第三代半導體設備領域的領先地位和強大的市場競爭力。

此次納設智能啟動上市輔導備案,是其發(fā)展歷程中的重要里程碑。通過上市輔導,納設智能將進一步規(guī)范公司治理結構,提高企業(yè)的運營效率和盈利能力。同時,上市也將為納設智能提供更多的融資渠道,加速其技術研發(fā)和產品創(chuàng)新的步伐。

未來,我們期待看到納設智能繼續(xù)發(fā)揮其在第三代半導體設備領域的專業(yè)優(yōu)勢和創(chuàng)新能力,為我國半導體產業(yè)的持續(xù)發(fā)展做出更大的貢獻。同時,我們也相信,隨著資本市場的助力,納設智能將迎來更加廣闊的發(fā)展前景。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 半導體
    +關注

    關注

    336

    文章

    29630

    瀏覽量

    253592
  • SiC
    SiC
    +關注

    關注

    32

    文章

    3406

    瀏覽量

    67504
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    25

    文章

    3221

    瀏覽量

    51450
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關聯(lián)性研究

    一、引言 碳化硅外延片作為功率半導體器件的核心材料,其總厚度偏差(TTV)是衡量產品質量的關鍵指標,直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響,其中生長工藝參數(shù)起著決定性
    的頭像 發(fā)表于 09-18 14:44 ?396次閱讀
    【新啟航】<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>外延</b>片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關聯(lián)性研究

    Wolfspeed 200mm碳化硅材料產品組合開啟大規(guī)模商用

    全球碳化硅 (SiC) 技術引領者 Wolfspeed 公司(美國紐約證券交易所上市代碼:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產品開啟大規(guī)模商用。這一重要里程碑標
    的頭像 發(fā)表于 09-11 09:12 ?1154次閱讀

    從襯底到外延碳化硅材料的層級躍遷與功能分化

    碳化硅襯底和外延片是半導體產業(yè)鏈中的兩個關鍵組件,盡管兩者均由碳化硅材料構成,但在功能定位、制備工藝及應用場景等方面存在顯著差異。以下是具體分析:定義與基礎作用不同碳化硅襯底:作為整個
    的頭像 發(fā)表于 09-03 10:01 ?782次閱讀
    從襯底到<b class='flag-5'>外延</b>:<b class='flag-5'>碳化硅</b>材料的層級躍遷與功能分化

    國產SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構

    SiC碳化硅MOSFET國產化替代浪潮:國產SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構 1 國產SiC
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?652次閱讀

    國產碳化硅功率模塊升級APF有源濾波器

    BASiC Semiconductor(基本股份)作為APF有源濾波器行業(yè)產品升級首選的國產碳化硅(SiC)功率模塊供應商,傾佳電子楊茜從技術、市場、供應鏈及本土化服務四大維度深入分析
    的頭像 發(fā)表于 03-01 10:12 ?574次閱讀
    <b class='flag-5'>國產</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>功率模塊升級APF有源濾波器

    SiC碳化硅二極管公司成為國產碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象

    結合國產碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術發(fā)展趨勢,SiC碳化硅二極管公司已經成為國產碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對象,比如2024已經有
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?606次閱讀

    微半導體氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應

    近日,GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領導者——微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術進入戴爾供應鏈,為戴爾AI筆記本打造
    的頭像 發(fā)表于 02-07 13:35 ?982次閱讀
    <b class='flag-5'>納</b>微半導體氮化鎵和<b class='flag-5'>碳化硅</b>技術進入戴爾<b class='flag-5'>供應</b>鏈

    碳化硅外延晶片硅面貼膜后的清洗方法

    引言 碳化硅(SiC)外延晶片因其卓越的物理和化學特性,在功率電子、高頻通信、高溫傳感等領域具有廣泛應用。在SiC外延晶片的制備過程中,硅面貼膜是一道關鍵步驟,用于保護外延層免受機械損
    的頭像 發(fā)表于 02-07 09:55 ?317次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>外延</b>晶片硅面貼膜后的清洗方法

    產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應用

    *附件:國產SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延片生長裝置

    器件制造的關鍵。鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延片生長裝置作為一種先進的生長設備,以其獨特的結構和高效的生長性能,成為制備高質量SiC外延片的重要工具。本文將詳細介紹鐘罩式
    的頭像 發(fā)表于 01-07 15:19 ?423次閱讀
    鐘罩式熱壁<b class='flag-5'>碳化硅</b>高溫<b class='flag-5'>外延</b>片生長裝置

    天域半導體IPO:國內碳化硅外延片行業(yè)第一,2024年上半年陷入增收不增利困局

    片銷量第一,營收受市場價格下跌明顯 當前,天域半導體已經成為中國首家技術領先的專業(yè)碳化硅外延供應商,其及其技術可以用于在汽車、5G基站、數(shù)據中心、雷達及家用電器等場景。同時也是中國首批實現(xiàn)4英吋及6英吋
    的頭像 發(fā)表于 01-06 06:58 ?3926次閱讀
    天域半導體IPO:國內<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>外延</b>片行業(yè)第一,2024年上半年陷入增收不增利困局

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    隨著電力電子技術的不斷進步,碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分,柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
    發(fā)表于 01-04 12:37

    高溫大面積碳化硅外延生長裝置及處理方法

    碳化硅(SiC)作為一種具有優(yōu)異物理和化學性質的半導體材料,在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域展現(xiàn)出巨大的應用潛力。高質量、大面積的SiC外延生長是實現(xiàn)高性能SiC器件制造的關鍵環(huán)節(jié)。然而
    的頭像 發(fā)表于 01-03 15:11 ?382次閱讀
    高溫大面積<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>外延</b>生長裝置及處理方法

    8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結構

    隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領域的廣泛應用,高質量、大面積的SiC外延生長技術變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當前及未來一段時間內的主流尺寸,其外延生長室的結構設計
    的頭像 發(fā)表于 12-31 15:04 ?398次閱讀
    8英寸單片高溫<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>外延</b>生長室結構

    溝槽結構碳化硅外延填充方法

    一、引言 溝槽結構碳化硅外延填充方法是指通過在碳化硅襯底上形成的溝槽內填充高質量的外延層,以實現(xiàn)器件的電學和熱學性能要求。這一過程中,不僅要保證
    的頭像 發(fā)表于 12-30 15:11 ?504次閱讀
    溝槽結構<b class='flag-5'>碳化硅</b>的<b class='flag-5'>外延</b>填充方法