晶圓廠設(shè)備廠商?hào)|京電子宣布，計(jì)劃于2025年推出最新研發(fā)的蝕刻設(shè)備。

此款設(shè)備致力于在厚度達(dá)到超越400層的NAND閃存芯片上精確蝕刻通道孔。這被視為東京電子公司的一次重要突破，因當(dāng)前全球范圍內(nèi)僅有美國(guó)泛林集團(tuán)能生產(chǎn)此類(lèi)設(shè)備。

根據(jù)已公開(kāi)的研究報(bào)告，東京電子的新式蝕刻機(jī)具備在極低溫環(huán)境下進(jìn)行高速蝕刻的能力。據(jù)悉，該機(jī)器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻工作。此外，設(shè)備使用了新開(kāi)發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳?xì)怏w以提升工藝水平。

業(yè)界消息透露，相關(guān)供應(yīng)商得到了來(lái)自眾多芯片制造商的積極反饋，因此預(yù)期大規(guī)模訂單將接踵而至。其中，三星自去年起即開(kāi)始試用這款新設(shè)備，正考慮將在后續(xù)的第十代NAND芯片產(chǎn)品線中采用。

消息補(bǔ)充道，泛林集團(tuán)愈發(fā)擔(dān)憂(yōu)，他們認(rèn)為隨著東京電子的新品上市，自身在蝕刻機(jī)領(lǐng)域的市場(chǎng)份額或?qū)⒖s減約為10%-15%。