三星電子擬升級(jí)工藝，引入模塑底部填膠提升封裝工藝
據(jù)韓國(guó)媒體ETNews透露，三星電子正在研究將非導(dǎo)電膠（NCF）更換為模塑底部填膠（MUF），以提升公司的封裝技術(shù)水平。
此前，三星一直利用非導(dǎo)電膠來完成半導(dǎo)體間的垂直連接。盡管NCF能有效避免芯片變形，但其難度較大且生產(chǎn)率低下的缺點(diǎn)使其未受到廣泛認(rèn)同。
據(jù)報(bào)道，三星電子擬在硅通孔（through-silicon electrode，TVS）的制造過程中引用MUF材料。TVS可以在晶圓或裸晶表面鉆出許多微小的孔洞，提供垂直連接通道。而MUF則可以填充這些孔洞，減小半導(dǎo)體間的空隙，從而讓各種垂直堆疊的半導(dǎo)體更加穩(wěn)定。
據(jù)悉，三星已從日本引進(jìn)相關(guān)設(shè)備，以推進(jìn)MUF的應(yīng)用。此外，SK海力士也在第三代HBM（HBM2E）之后改用MUF，尤其是針對(duì)MR-MUF進(jìn)行了調(diào)整。
業(yè)內(nèi)人士評(píng)價(jià)說：“相較于NCF，MR-MUF具有更高的導(dǎo)熱性能，對(duì)工藝速度及良品率均有顯著改善。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15891瀏覽量
182723 -
TVS
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
921瀏覽量
62898 -
晶圓
+關(guān)注
關(guān)注
53文章
5297瀏覽量
131205
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
漢思底部填充膠：提升芯片封裝可靠性的理想選擇
一、底部填充膠的作用與市場(chǎng)價(jià)值在電子封裝領(lǐng)域，底部填充膠（Underfill）已成為
漢思新材料：底部填充膠工藝中需要什么設(shè)備
在底部填充膠工藝中，設(shè)備的選擇直接影響填充效果、生產(chǎn)效率和產(chǎn)品可靠性。以下是關(guān)鍵設(shè)備及其作用，涵蓋從基板處理到固化檢測(cè)的全流程：漢思新材料：底部填充
什么是SMT錫膏工藝與紅膠工藝？
SMT錫膏工藝與紅膠工藝是電子制造中兩種關(guān)鍵工藝，主要區(qū)別在于材料特性、工藝目的及適用場(chǎng)景。以下
芯片封裝工藝詳解
封裝工藝正從傳統(tǒng)保護(hù)功能向系統(tǒng)級(jí)集成演進(jìn)，其核心在于平衡電氣性能、散熱效率與制造成本?。 一、封裝工藝的基本概念 芯片封裝是將半導(dǎo)體芯片通過特定工藝
哪家底部填充膠廠家比較好？漢思底填膠優(yōu)勢(shì)有哪些？
哪家底部填充膠廠家比較好？漢思底填膠優(yōu)勢(shì)有哪些？漢思底部填充膠作為
先進(jìn)封裝Underfill工藝中的四種常用的填充膠CUF,NUF,WLUF和MUF介紹
今天我們?cè)僭敿?xì)看看Underfill工藝中所用到的四種填充膠：CUF，NUF，WLUF和MUF。 倒裝芯片的底部填充工藝一般分為三種：毛細(xì)填
消息稱三星電子考慮直接投資玻璃基板，提升FOPLP先進(jìn)封裝競(jìng)爭(zhēng)力
12月31日消息，據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子考慮直接由公司自身對(duì)用于FOPLP工藝的半導(dǎo)體玻璃基板進(jìn)行投資，以在先進(jìn)封裝方面提升同臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)的實(shí)力
HDI盲埋孔工藝及制程能力你了解多少？
。
HDI激光填孔工藝能力
1、半固化片壓合填孔
適用條件： 板厚 ≤ 0.3mm、孔徑 ≤ 0.2mm；
方法： 在上述條件下，可采用半固化片進(jìn)行填
發(fā)表于 12-18 17:13
功率模塊封裝工藝
功率模塊封裝工藝 典型的功率模塊封裝工藝在市場(chǎng)上主要分為三種形式，每種形式都有其獨(dú)特的特點(diǎn)和適用場(chǎng)景。以下是這三種封裝工藝的詳細(xì)概述及分點(diǎn)說
功率模塊封裝工藝有哪些
本文介紹了有哪些功率模塊封裝工藝。 功率模塊封裝工藝 典型的功率模塊封裝工藝在市場(chǎng)上主要分為三種形式，每種形式都有其獨(dú)特的特點(diǎn)和適用場(chǎng)景。以下是這三
三星蘇州先進(jìn)封裝廠將擴(kuò)產(chǎn)
，內(nèi)部封裝工藝的重要性正在上升。為此，三星正集中力量提升封裝能力，以保持技術(shù)領(lǐng)先并縮小與 SK Hynix 的差距。 業(yè)內(nèi)人士消息稱三星
三星電子計(jì)劃新建封裝工廠，擴(kuò)產(chǎn)HBM內(nèi)存
三星電子計(jì)劃在韓國(guó)天安市新建一座半導(dǎo)體封裝工廠，以擴(kuò)大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設(shè)施，進(jìn)一步提升
三星擴(kuò)建半導(dǎo)體封裝工廠，專注HBM內(nèi)存生產(chǎn)
近日，三星電子計(jì)劃在韓國(guó)忠清南道天安市的現(xiàn)有封裝設(shè)施基礎(chǔ)上，再建一座半導(dǎo)體封裝工廠，專注于HBM(High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)器)等內(nèi)存產(chǎn)品的生產(chǎn)。據(jù)悉，
三星電子：18FDS將成為物聯(lián)網(wǎng)和MCU領(lǐng)域的重要工藝
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）今年上半年，三星在FD-SOI工藝上面再進(jìn)一步。3月份，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布與三星聯(lián)合推出18nm FD-SOI
發(fā)表于 10-23 11:53
?873次閱讀
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論