什么是MOSFET？

MOSFET，全稱為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，即金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管，也稱為功率MOS場效應(yīng)晶體管。

MOSFET是一種半導體器件，主要由金屬、氧化物（通常為SiO2或SiN）和半導體三種材料制成。它利用電場的效應(yīng)來控制半導體的場效應(yīng)。MOSFET主要分為結(jié)型和絕緣柵型，但通常所指的是絕緣柵型中的MOS型。

MOSFET具有許多優(yōu)點，如開關(guān)速度快、高頻特性好、熱穩(wěn)定性優(yōu)良、驅(qū)動電路簡單、驅(qū)動功率小、安全工作區(qū)寬、無二次擊穿問題等。此外，MOSFET還具有高輸入電阻（通常在10^7～10^15Ω范圍內(nèi)）、低噪聲、低功耗、大動態(tài)范圍以及易于集成等特點。

MOSFET主要分為P溝道和N溝道兩種類型，主要用于功率輸出級，能夠輸出較大的工作電流（從幾安到幾十安）。因此，在開關(guān)電源、辦公設(shè)備、中小功率電機調(diào)速等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用，使得功率變換裝置實現(xiàn)高效率和小型化。

由于MOSFET的尺寸非常小，它既可以作為核心元件，也可以被集成到電路中，實現(xiàn)在單個芯片上的設(shè)計和制造。這使得MOSFET在電子設(shè)備中，特別是在需要電子信號放大的應(yīng)用中，具有重要的作用。

總的來說，MOSFET是一種重要的半導體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，特別是在需要高效、小型化和高性能的領(lǐng)域。

MOSFET的類型

MOSFET或金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管是一種具有四個端子的 FET ，即漏極、 柵極、源極和體/襯底。體端子與源極端子短路，總共留下三個工作端子，就像任何其他晶體管一樣。MOSFET主要有兩種類型，分別是耗盡型 MOSFET 或 D-MOSFET，以及增強型 MOSFET 或 E-MOSFET。

這兩種類型都可以根據(jù)N溝道和P溝道來劃分。

D-MOSFET 也稱為“常開”MOSFET，因為它們在制造過程中具有內(nèi)置通道。施加柵極電壓會減小溝道寬度，從而關(guān)閉 MOSFET。而E-MOSFET也被稱為“常關(guān)”MOSFET，因為在制造過程中沒有溝道，而是通過施加電壓來感應(yīng)的。

因此，D-MOSFET 符號有一條實線代表漏極和源極之間的溝道，允許電流在零柵源電壓下流動。而 E-MOSFET 中的虛線表示零柵源電壓下電流的路徑損壞或通道缺失。向內(nèi)的箭頭表示 N 溝道，而向外的箭頭表示 P 溝道 MOSFET。

作為高邊開關(guān)的P溝道MOSFET

下面是這種特殊用途的電路。一旦 PMOS 開啟，它將具有非常低的壓降，從而理想地為負載提供與 Vsource 相同的電壓電平。因此，使用術(shù)語“高側(cè)開關(guān)”，因為它將負載切換到高側(cè)，即電路的正極部分。

柵極信號可以是地電平（或零電平），使得PMOS導通；或者是高電平，PMOS將關(guān)斷。請注意，柵極信號的高電平必須至少等于 Vsource 的電平。如果低于 Vsource，PMOS 將不會關(guān)閉。

對于這種類型的電路，要考慮的另一件事是它允許反向電流流動。想象一下，當 Vsource 反向連接時，PMOS 的源極為負，體二極管將正向偏置，允許反向電流流動，然后負載將看到反向電壓。

P溝道MOSFET作為電池反向保護

P 溝道 MOSFET 的另一個有趣用途是電池反向保護。可以像下面的簡單插圖一樣完成。

PMOS 位于電池的高壓側(cè)或正極側(cè)。在初始導通期間，電流將流向 PMOS 的體二極管（實際上，PMOS 上沒有連接二極管。體二極管是由漏極到源極之間的 PN 結(jié)形成的。）一旦電流到達另一側(cè)，器件的“正”和“負”之間會有電壓，這是一個二極管壓降。這樣，PMOS 將導通，然后電流將流向 PMOS 通道而不是體二極管。

當電池反接時，體二極管不會正向偏置，因此電流無法流向另一側(cè)。這意味著沒有反向電壓傳輸?shù)狡骷Ｋ?，它受到保護！