FRAM的主要優(yōu)點是數(shù)據(jù)讀取速度快，讀取電流極小，非常適用于一些對頻繁讀取數(shù)據(jù)有要求的一些應用。此外，也可以通過使用FRAM來延長電池壽命。

與EEPROM和閃存等現(xiàn)有類型的非易失性存儲器相比，F(xiàn)RAM具有高寫入速度、高讀/寫耐久性和低功耗的特點，廣泛應用于IC卡、RFID標簽、功率計和工業(yè)機械等，同時由于其尺寸小的特性也非常適合可穿戴設(shè)備和傳感器網(wǎng)絡(luò)。本文主要介紹國產(chǎn)FRAM SF25C20兼容MB85RS2MT在可穿戴產(chǎn)品中的應用。

國芯思辰FRAM SF25C20具有讀寫速度快（100萬次）、寫入壽命長、寫入耗能小等優(yōu)點。它的工作電壓范圍為2.7V至3.6V，最低待機功耗只有9微安，能在低電流的情況下瞬間保存數(shù)據(jù)，確保系統(tǒng)中的信息安全。

FRAMSF25C20芯片介紹：

? 接口類型：SPI接口；

? 工作頻率：25兆赫茲；

? 數(shù)據(jù)保持：10年@85℃（200年@25℃）；

? 高速讀特性：支持40MHz高速讀命令；

? 工作環(huán)境溫度范圍：-40℃至85℃；

? 封裝形式：8引腳SOP封裝，符合RoHS；

? 性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（賽普拉斯）。

綜上可以看出，F(xiàn)RAMSF25C20非常適合可穿戴產(chǎn)品的信息存儲，配置了SF25C20的可穿戴設(shè)備不僅僅是一種硬件設(shè)備，更是通過軟件支持以及數(shù)據(jù)交互、云端交互來實現(xiàn)強大的功能。

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